一种基于2.5D结构多层互联的POP封装结构的制作方法

一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构
技术领域
1.本实用新型涉及半导体芯片封装技术领域，特别涉及一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构。


背景技术：

2.随着人们对电子产品性能的要求不断提升，半导体封装结构面向小型化、高密度、多功能、系统化的方向发展。但是，目前现有的封装结构是通过转接板直接将芯片垂直互联在基板上，其对于芯片集成的多元化及集成度的提高有很大的限制，在应对多种芯片或元器件的集成封装时还存在较大的难度，且产品可靠性以及散热性有待提高；另外，现有的封装工艺，工艺流程较为复杂，生产成本较高，得到的产品良率有待提高。


技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构。该封装结构有效地提高了产品的集成度，实现了产品的多功能化，散热性好，产品可靠性高，封装体积小，生产成本低，产品良率高。
4.为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
5.一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构，包括独立封装结构和基板，独立封装结构设置于基板上；该独立封装结构包括转接板；转接板中填充有导电结构一，转接板的正面上分别设有至少一层第一重布线层，每层第一重布线层上分别覆盖有一层具有导通开孔的第一绝缘介质层；转接板的背面上分别设有至少一层第二重布线层，每层第二重布线层上分别覆盖有一层具有导通开孔的第二绝缘介质层；
6.转接板的正面连接有半导体器件一，半导体器件一通过第一重布线层与导电结构一电性连接；
7.转接板的背面连接有半导体器件二；且半导体器件二通过第二重布线层与导电结构一电性连接；转接板的背面上还设有塑封层；塑封层包封所述半导体器件二；塑封层中填充有与第二重布线层电性连接的导电结构二；塑封层上设有至少一层与导电结构二电性连接的第三重布线层，每层第三重布线层上分别覆盖有一层具有导通开孔的第三绝缘介质层；最外层的第三绝缘介质层的导通开孔处设有半导体器件三；半导体器件三与第三重布线层电性连接。
8.进一步地，所述导电结构一和导电结构二均为导电柱。
9.进一步地，所述半导体器件三与第三绝缘介质层之间填充有底胶。
10.进一步地，转接板的正面上的最外层的第一绝缘介质层的导通开孔处设有外导电结构，外导电结构与基板连接。
11.本实用新型的有益效果是：
12.本实用新型通过在转接板上制备垂直开孔，垂直开孔中填充导电材料，并在转接板上下两面分别形成重布线层，将不同半导体器件集成在转接板上下两面，利用垂直通孔
中的导电材料将转接板上下两面上的半导体器件电性连接，再通过塑封层及在塑封层上制作通孔，通孔中填充导电材料，并制作可以引出信号的重布线层，然后在塑封层上方连接半导体器件，形成三层高密度堆叠效果，有效地提高了产品的集成度，实现了产品的多功能化。
13.本实用新型的整个封装结构的散热性好，产品可靠性高，封装体积较小，各层之间为垂直排列，缩短了各半导体器件之间的传输路径，提高产品的性能，实现产品的高密度集成封装。独立封装结构贴附在基板上，可以避免对基板的重布线加工，节约了生产成本，提高了产品良率。
附图说明
14.图1为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s1结束后得到的结构图。
15.图2为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s2结束后得到的结构图。
16.图3为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s3结束后得到的结构图。
17.图4为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s4结束后得到的结构图。
18.图5为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s5结束后得到的结构图。
19.图6为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s6结束后得到的结构图。
20.图7为本实用新型封装结构的制作方法在步骤s7结束后得到的结构图。
21.图8为本实用新型基于2.5d结构多层互联的pop封装结构的结构示意图。
具体实施方式
22.下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
23.如图1至图8所示的一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构的制作方法的较佳实施例，其包括如下步骤：
24.s1，取一转接板100，在转接板100上制作开孔，在开孔内填充导电材料，形成导电结构一101，采用化学机械研磨的方式将转接板的正面平坦化，然后在转接板100上制作至少一层与导电结构一101电性连接的第一重布线层102，并在每层第一重布线层102上覆盖一层具有导通开孔的第一绝缘介质层103；
25.其中的转接板100的材料为硅或其他半导体材质；在本实施例中，转接板为硅板；导电结构一101的材料为金属材料、导电高分子材料、导电陶瓷材料或其他导电材料；第一重布线层102的材料为钛、铜、铝、镍、锡、金、银中的一种或两种及以上的组合；第一绝缘介质层103的材料为环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰亚胺衍生物、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金属氧化物中的一种或两种以上的组合；在本实施例中，导电结构一101的材料为金属材料，第一重布线层102的材料为铜，第一绝缘介质层103的材料为环氧树脂；且在本实施例中，第一重布线层102的层数为两层；
26.s2，在步骤s1形成的最外层的第一绝缘介质层103的某些导通开孔处连接具有导电结构的半导体器件一200，该半导体器件一200与通过第一绝缘介质层103的导通开孔暴露的第一重布线层102电性连接；并在最外层的第一绝缘介质层103的其他导通开孔处采用
印刷锡膏或植球的方式形成外导电结构104；
27.s3，将步骤s2得到的结构倒置，并将转接板100的正面通过键合胶层105与一载板106键合；载板106的材料为玻璃、金属、半导体、聚合物中的一种；在本实施例中，载板106的材料为玻璃；键合胶层105包括键合材料层和光热转换层，以便于后续过程中可以采用激光照射光热转化层以剥离载板；该键合胶层105还可以保护外导电结构104和半导体器件一200；
28.s4，对转接板100的背面进行减薄处理，使得导电结构一101露出；在转接板100的背面上制作至少一层第二重布线层107，并在每层第二重布线层107上覆盖一层具有导通开孔的第二绝缘介质层108；将具有导电结构的半导体器件二300倒装在转接板100的背面上，且半导体器件二300与通过第二绝缘介质层108的导通开孔暴露的第二重布线层107电性连接；
29.第二重布线层107的材料为钛、铜、铝、镍、锡、金、银中的一种或两种及以上的组合；第二绝缘介质层108的材料为环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰亚胺衍生物、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金属氧化物中的一种或两种以上的组合；在本实施例中，第二重布线层107的材料为铜，第二绝缘介质层108的材料为环氧树脂；且在本实施例中，第二重布线层107的层数为两层；
30.s5，利用塑封层109将半导体器件二300进行包封，并在塑封层109上开通孔，并在该通孔中填充导电材料，形成导电结构二110；塑封层109的材料为环氧化物、树脂、可塑形聚合物或其他材料；导电结构二110的材料为金属材料、导电高分子材料、导电陶瓷材料或其他导电材料；在本实施例中，塑封层109的材料选择为环氧化物，导电结构二110的材料为金属材料；
31.s6，在塑封层109上制作至少一层第三重布线层111，并在每层第三重布线层111上覆盖一层具有导通开孔的第三绝缘介质层112；第三重布线层111的材料为钛、铜、铝、镍、锡、金、银中的一种或两种及以上的组合；第三绝缘介质层112的材料为环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰亚胺衍生物、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金属氧化物中的一种或两种以上的组合；在本实施例中，第三重布线层111的材料为铜，第三绝缘介质层112的材料为环氧树脂；且在本实施例中，第三重布线层111的层数为两层；
32.s7，在最外层的第三绝缘介质层112上方连接半导体器件三400，半导体器件三400与通过第三绝缘介质层112的导通开孔暴露的第三重布线层111电性连接；并且，通过底部填胶工艺在半导体器件三400与第三绝缘介质层112之间形成底胶113，对半导体器件三400底部的导电结构进行包裹；底胶113的材料可以为树脂、填料、应力释放剂、助黏剂或其他材料；
33.s8，采用激光照射的方法去除载板106，并通过切割的方式切割转接板100，得到多个独立封装结构，然后采用拾取放置的方法将独立封装结构贴附在基板500上，得到如图8所示的pop封装结构；其中，基板500与独立封装结构的外导电结构104通过导电胶连接。
34.如图8所示的一种基于2.5d结构多层互联的pop封装结构的较佳实施例，其包括独立封装结构和基板500，独立封装结构设置于基板500上；该独立封装结构包括转接板100；转接板100中填充有导电结构一101，转接板100的正面上分别设有至少一层第一重布线层102，每层第一重布线层102上分别覆盖有一层具有导通开孔的第一绝缘介质层103；转接板
100的背面上分别设有至少一层第二重布线层107，每层第二重布线层107上分别覆盖有一层具有导通开孔的第二绝缘介质层108；
35.转接板100的正面连接有半导体器件一200，半导体器件一200通过第一重布线层102与导电结构一101电性连接；
36.转接板100的背面连接有半导体器件二300；且半导体器件二300通过第二重布线层107与导电结构一101电性连接；转接板100的背面上还设有塑封层109；塑封层109包封所述半导体器件二300；塑封层109中填充有与第二重布线层107电性连接的导电结构二110；塑封层109上设有至少一层与导电结构二110电性连接的第三重布线层111，每层第三重布线层111上分别覆盖有一层具有导通开孔的第三绝缘介质层112；最外层的第三绝缘介质层112的导通开孔处设有半导体器件三400；半导体器件三400与第三重布线层111电性连接。
37.其中，导电结构一101和导电结构二110均为导电柱。
38.其中的半导体器件三400与第三绝缘介质层113之间填充有底胶113。
39.其中的转接板100的正面上的最外层的第一绝缘介质层103的导通开孔处设有外导电结构104，外导电结构104与基板500连接。
40.本实用新型的封装结构具有三层高密度堆叠的效果，有效地提高了产品的集成度，实现了产品的多功能化；且本实用新型的整个封装结构的散热性好，产品可靠性高，封装体积较小，各层之间为垂直排列，缩短了各半导体器件之间的传输路径，提高产品的性能，实现产品的高密度集成封装。独立封装结构贴附在基板上，可以避免对基板的重布线加工，节约了生产成本，提高了产品良率。
41.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。