一种电容晶片加工用焊件结构的制作方法

1.本实用新型涉及电容技术领域，尤其涉及一种电容晶片加工用焊件结构。


背景技术：

2.电容是计算机系统供电电路中不可或缺的重要元件，主板上的各类板卡、芯片组需要使用多种类型电压的电源，要保证主板及板卡的稳定运行需要采用电容器用于过滤电源，确保电压稳定。与普通液态铝质电解电容相比固态电容采用导电性高分子作为介电材料，该材料不会与氧化铝产生作用，通电后不致于发生爆炸的现象；同时它为固态产品，不存在由于受热膨胀导致爆裂的情况。固态电容具备环保、低阻抗、高低温稳定、耐高纹波及高信赖度等优越特性，是目前电解电容产品中最高阶的产品。
3.贴片式固态塑封电容器作为固态电容中的典型代表，通过多层电容晶片堆叠形成，具有寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好，但在实际加工生产过程当中，由于电容晶片体积小、厚度小，存在单片的电容晶片不便于夹持、操作、作业效率低、不良品率偏高等问题。
4.鉴于此，有必要提出一种电容晶片加工用焊件结构以解决或至少缓解上述缺陷。


技术实现要素：

5.本实用新型的主要目的在于提供一种电容晶片加工用焊件结构，以解决现有由于电容晶片体积小、厚度小，存在单片的电容晶片不便于夹持、操作、作业效率低、不良品率偏高等问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供了一种电容晶片加工用焊件结构，包括呈长条状的工艺条，所述工艺条包括相对设置的第一侧和第二侧，所述第一侧固定连接有沿所述工艺条的长度方向排布的晶片条本体，所述晶片条本体包括相对设置的固定侧边与伸出于所述工艺条预设距离的自由侧边；其中，所述固定侧边连接于所述工艺条的所述第一侧上，所述自由侧边向外凸伸有多块沿所述晶片条本体的长度方向线性排布的电容晶片。
7.优选地，所述工艺条的所述第一侧开设有至少两个沿所述工艺条的长度方向间隔排布的第一定位孔，所述晶片条本体的所述固定侧边上开设有多个与所述第一定位孔一一相对应的第二定位孔。
8.优选地，所述电容晶片包括电容晶片本体，以及位于所述自由侧边和所述电容晶片本体之间的剪切条，所述剪切条与所述电容晶片本体以及所述自由侧边固定连接。
9.优选地，所述工艺条的所述第二侧的两端分别形成有预设宽度以及预设长度的挡肩。
10.优选地，所述第一定位孔以及所述第二定位孔的个数均为两个，两个所述第一定位孔沿所述工艺条的长度方向对称设置。
11.优选地，所述第一定位孔以及所述第二定位孔的个数均为两个，两个所述第一定位孔沿所述工艺条的长度方向对称设置。
12.优选地，所述电容晶片本体、所述剪切条以及所述晶片条本体为一体成型。
13.优选地，所述预设距离设置在2～3mm之间，所述预设长度设置在25～35mm之间，所述预设宽度设置在6～12mm之间。
14.优选地，所述第一定位孔以及所述第二定位孔的直径均设置在0.8～1.2mm之间。
15.优选地，所述晶片条本体的所述固定侧边通过焊接与所述工艺条的所述第一侧连接。
16.优选地，所述工艺条的厚度设置在0.8～1.2mm之间。
17.与现有技术相比，本实用新型所提供的具有如下的有益效果：
18.本实用新型提供一种电容晶片加工用焊件结构，包括呈长条状的工艺条，工艺条包括相对设置的第一侧和第二侧，通过在第一侧固定连接有沿工艺条的长度方向排布的晶片条本体，并在晶片条本体的自由侧边向外凸伸有多块沿晶片条本体的长度方向线性排布的电容晶片。本实用新型所提供的工艺条能够固定呈长条状的晶片条本体，晶片条本体的自由侧边可以根据实际需要设置多块呈线性排布的电容晶片，通过工艺条和晶片条本体的配合使用，将多块电容晶片集成于工艺条上进行批量化、齐整化生产，此外，通过设置第一定位孔以及第二定位孔，能够将晶片条本体精准地定位于工艺条的预设位置，大幅提高生产效率，以便于后续工序的进行，成品率也得到明显改善。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
20.图1为本实用新型一个实施例中的整体结构示意图；
21.图2为本实用新型一个实施例中的另一视角下的整体结构示意图；
22.图3为本实用新型一个实施例中的a处放大示意图。
23.本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
24.附图标号说明：
25.工艺条100；第一侧110；第一定位孔111；第二侧120；挡肩130；
26.晶片条本体200；固定侧边210；第二定位孔211；自由侧边220；电容晶片230；电容晶片本体231；剪切条232。
具体实施方式
27.应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
28.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
29.需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)
仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
30.另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
31.请参阅附图1-3，本实用新型提供的一实施例中的一种电容晶片230加工用焊件结构，包括呈长条状的工艺条100，所述工艺条100包括相对设置的第一侧110和第二侧120，所述第一侧110固定连接有沿所述工艺条100的长度方向排布的晶片条本体200，所述晶片条本体200包括相对设置的固定侧边210与伸出于所述工艺条100预设距离的自由侧边220；其中，所述固定侧边210连接于所述工艺条100的所述第一侧110上，所述自由侧边220向外凸伸有多块沿所述晶片条本体200的长度方向线性排布的电容晶片230。
32.本领域技术人员应当理解的是，由于单个的电容晶片230体积小、厚度小，在实际生产加工过程中存在不便于操作、作业效率低、不良品率偏高等问题，针对这些问题，本实用新型所提供的工艺条100能够固定呈长条状的晶片条本体200，晶片条本体200的自由侧边220可以根据实际需要设置多块呈线性排布的电容晶片230，通过工艺条100和晶片条本体200的配合使用，将多块电容晶片230集成于工艺条100上进行批量化、工整化生产，大幅提高生产效率，以便于后续工序的进行，成品率也得到明显改善。
33.作为本实用新型一优选的实施方式，所述工艺条100的所述第一侧110开设有至少两个沿所述工艺条100的长度方向间隔排布的第一定位孔111，所述晶片条本体200的所述固定侧边210上开设有多个与所述第一定位孔111一一相对应的第二定位孔211。通过设置一一对应的第一定位孔111以及第二定位孔211，能够将晶片条本体200精准地定位于工艺条100的预设位置处。此外，第一定位孔111以及第二定位孔211的排布位置不限于是本实施中的排布方式，还可以根据实际需要进行设定。
34.作为本实用新型一较佳的实施方式，所述电容晶片230包括电容晶片本体231，以及位于所述自由侧边220和所述电容晶片本体231之间的剪切条232，所述剪切条232与所述电容晶片本体231以及所述自由侧边220固定连接。通过设置剪切条232，更有助于将电容晶片本体231从晶片条本体200上剪切下来，以便于后续工序的进行、使用和操作。
35.进一步地，所述工艺条100的所述第二侧120的两端分别形成有预设宽度以及预设长度的挡肩130。设置挡肩130可以进一步地将工艺条100限定在特定位置，有利于定位以及改善受力方式。在一具体的实施方式中，所述预设距离设置在2～3mm之间，所述预设长度设置在25～35mm之间，所述预设宽度设置在6～12mm之间。
36.进一步地，所述第一定位孔111以及所述第二定位孔211的个数均为两个，两个所述第一定位孔111沿所述工艺条100的长度方向对称设置。值得注意的是，第一定位孔111和第二定位孔211的数量至少需要设置两个，以确保晶片条本体200能够按照预先要求固定于工艺条100上。在以具体的实施方式中，所述第一定位孔111和第二定位孔211均为两个。
37.进一步地，所述电容晶片本体231、所述剪切条232以及所述晶片条本体200为一体
成型。采用一体成型设置更有助于批量化生产，提高生产效率。
38.进一步地，所述第一定位孔111以及所述第二定位孔211的直径均设置在0.8～1.2mm之间。本领域技术人员应当理解的是，第一定位孔111和第二定位孔211的具体值还可以根据实际情况设定，不宜过大，也不宜过小即可。
39.作为本实用新型一优选的实施方式，所述晶片条本体200的所述固定侧边210通过焊接与所述工艺条100的所述第一侧110连接。通过焊接的方式能够将晶片条本体200牢牢地固定在所述工艺条100的第一侧110上。
40.进一步地，所述工艺条100的厚度设置在0.8～1.2mm之间。可以理解的是，在其他实施例中，所述工艺条100的厚度还可以设置在其他范围内，具体可以根据实际生产加工需要设定。
41.以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。