图像传感器的制作方法

1.本实用新型涉及图像传感器技术领域，特别是涉及一种图像传感器。


背景技术：

2.图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，通常大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(ccd)和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器芯片两大类。
3.cmos图像传感器和传统的ccd传感器相比，具有低功耗，低成本和与cmos工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在cmos图像传感器不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机(dsc)，手机摄像头，摄像机和数码单反(dslr)中，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。
4.cmos图像传感器的像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。最常用的像素单元为包含一个光电二极管和多个晶体管的有源像素结构。这些器件中光电二极管是感光单元，实现对光线的收集和光电转换，其它的mos晶体管是控制单元，主要实现对光电二极管的选中，复位，信号放大和读出的控制。
5.cmos图像传感器按照入射光进入光电二极管的路径不同，可以分为前照式和背照式两种图像传感器，前照式是指入射光从靠近电路连接层的一面进入光电二极管的图像传感器，而背照式是指入射光从远离电路连接层的一面进入光电二极管的图像传感器。
6.为了提高cmos图像传感器中光电二极管的面积和减少介质层对入射光的损耗，我们可以采用背照式cmos图像传感器工艺，即入射光从硅片的背面进入光电二极管，从而减小介质层对入射光的损耗，提高像素单元的灵敏度。
7.硅材料对入射光的吸收系数随波长的增强而减小。常规像素单元通常使用红、绿、蓝三原色的滤光层。其中红光在硅片中的吸收位置最深，而蓝光最浅。蓝光在最靠近硅片表面的位置被吸收，其吸收系数最高；红光进入硅片最深，其吸收系数最低；绿光的吸收系数介于蓝光和红光两者之间，而近红外光的吸收需要大于2.3微米的吸收厚度。所以，现有的背照式cmos图像传感器对于接收红色光线及近红外光线的性能较差，导致暗场效果的光线捕捉能力及成像能力较差。
8.现有的背照式cmos图像传感器为了增加对收红色光线及近红外光线的接收性能，通常会在背照式cmos图像传感器上通过加厚感光元件的厚度或在感光元件上增加些微结构进行光线发散，然后在硅基底内设置深沟隔离结构减少串扰的现象，深沟隔离结构(deep trench isolation，dti)可以具有间隔感光元件和反射光线的作用，将各个方向的入射光反射回基底中，增加光在硅基底中的光程，提高光的吸收率。但是该结构并不能起到对所有方向的光线均增加光程的作用，只有大角度的光线可以经过dti的反射作用增加光程，从而提高光的吸收率，而dti对于大部分垂直入射或小角度入射的光线起到的作用有限。对于可见光部分，由于光波长较短，其在硅中的行程较短，影响不大；但是对于红外光部分，由于其波长较长，若不增加在硅基底中的光程，则会影响红外光的吸收率，从而影响整个传感器对于红外光(主要指近红外波段780nm～1100nm)的探测效率。


技术实现要素：

9.为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种图像传感器，以解决现有技术中图像传感器对光线探测效率较差的问题。
10.本实用新型的目的通过下述技术方案实现：
11.本实用新型提供一种图像传感器，包括电路连接层、光学结构层以及位于所述电路连接层和所述光学结构层之间的半导体结构层；
12.所述半导体结构层包括层叠设置第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第二半导体衬底设于所述第一半导体衬底远离所述电路连接层的一侧；
13.所述第一半导体衬底靠近所述第二半导体衬底的一侧或/和所述第二半导体衬底靠近所述第一半导体衬底的一侧设有第一调光结构，所述第二半导体衬底靠近所述光学结构层的一侧设有第二调光结构；其中，至少一个所述第一调光结构及至少一个所述第二调光结构构成一个调制单元，以基于所述调制单元调制不同波长的光线；
14.所述半导体结构层内具有呈阵列分布的多个感光像素区，所述感光像素区内设有感光元件，每一所述感光像素区对应至少一个所述调制单元。
15.进一步地，所述第一调光结构设于所述第二半导体衬底中且靠近所述第一半导体衬底的一侧，所述第一调光结构朝向所述第一半导体衬底一侧的宽度大于或等于所述第一调光结构远离所述第一半导体衬底一侧的宽度。
16.进一步地，所述第一调光结构设于所述第一半导体衬底中且靠近所述第二半导体衬底的一侧，所述第一调光结构朝向所述第二半导体衬底一侧的宽度大于或等于所述第一调光结构远离所述第二半导体衬底一侧的宽度。
17.进一步地，所述第二调光结构朝向所述光学结构层一侧的宽度大于或等于所述第二调光结构远离所述光学结构层一侧的宽度。
18.进一步地，所述第一调光结构和所述第二调光结构在对应所述感光像素区的平面形状均包括多个圆形结构、圆形结构与圆环形结构的组合、“田”字形结构、“井”字形结构、“米”字形结构或网状结构。
19.进一步地，所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底采用不同的材料制成。
20.进一步地，所述第二半导体衬底的折射率大于所述第二调光结构的折射率；所述第一半导体衬底的折射率大于所述第二半导体衬底的折射率。
21.进一步地，所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底之间还具有中间调制层，所述第一调光结构位于所述第一半导体衬底上且其上表面不高于所述中间调制层的上表面。
22.进一步地，所述第一调光结构的宽度大于所述第二调光结构的宽度。
23.进一步地，所述第一调光结构横向最小尺寸大于两倍的所述第二调光结构横向最小尺寸。
24.本实用新型有益效果在于：通过设置两种不同的调光结构，从而可以对不同光线的进行衍射作用，以增加不同光线在半导体结构层内的光程，以增强图像传感器对不同光线的探测效率以及增加光的吸收率；而且第二调光结构设于第二半导体衬底靠近光学结构层的一侧，可以降低光线在第二半导体衬底表面上的反射效果，从而增加光线进入半导体结构层内的光量，以进一步对光线的探测效率以及增加光线的吸收率。
附图说明
25.图1是本实用新型实施例一中图像传感器的纵截面结构示意图；
26.图2是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之一；
27.图3是本实用新型实施例一中图像传感器在第二调光结构处的横截面结构示意图之二；
28.图4是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之三；
29.图5是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之四；
30.图6是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之五；
31.图7a-7j是本实用新型实施例一中图像传感器的制作方法的结构流程图；
32.图8是本实用新型实施例二中图像传感器的纵截面结构示意图；
33.图9是本实用新型实施例三中图像传感器的纵截面结构示意图；
34.图10a-10j是本实用新型实施例三中图像传感器的制作方法的结构流程图。
具体实施方式
35.为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的图像传感器的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
36.[实施例一]
[0037]
图1是本实用新型实施例一中图像传感器的纵截面结构示意图，图2是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之一，图3是本实用新型实施例一中图像传感器在第二调光结构处的横截面结构示意图之二，图4是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之三，图5是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之四，图6是本实用新型实施例一中图像传感器在第一调光结构处的横截面结构示意图之五，图7a-7j是本实用新型实施例一中图像传感器的制作方法的结构流程图。
[0038]
如图1至图6所示，本实用新型实施例一提供的一种图像传感器，包括电路连接层10、光学结构层30以及位于电路连接层10和光学结构层30之间的半导体结构层20。半导体结构层20内具有呈阵列分布的多个感光像素区21以及将多个感光像素区21间隔开的沟槽隔离结构22，感光像素区21内设有感光元件(如光电二极管)。其中，沟槽隔离结构22具有将多个感光元件间隔开以及反射光线的作用，以增加光线在半导体结构层20内的光程，从而提升光线的吸收效率。半导体结构层20在每个感光像素区21内会形成传输晶体管(tx)、复位晶体管(rst)以及源极跟随晶体管(sf)等，电路连接层10中具有多个连接线路将多个晶体管相互配合起来。光学结构层30包括滤色层31和微透镜阵列结构32，滤色层31包括红(r)、绿(g)、蓝(b)三色滤色层，多个滤色层31呈阵列分布，可以是每个滤色层31对应一个像素单元。微透镜阵列结构32具有聚光作用，使光线汇聚至感光元件上，以增加感光元件对光
线的接收性能。至于电路连接层10和光学结构层30的具体结构可以参考现有技术，这里不再赘述。
[0039]
半导体结构层20包括相互层叠设置第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b，第二半导体衬底20b设于第一半导体衬底20a远离电路连接层10的一侧。
[0040]
本实施例中，可以理解为，第二半导体衬底20b靠近第一半导体衬底20a的一侧设有第一凹槽结构201，第一凹槽结构201内填充第一介质结构层51并形成第一调光结构，第二半导体衬底20b靠近光学结构层30的一侧设有第二凹槽结构202，第二凹槽结构202内填充第二介质结构层52并形成第二调光结构。其中，至少一个第一调光结构及至少一个第二调光结构构成一个调制单元，以基于调制单元调制不同波长的光线，每一感光像素区对应至少一个调制单元。即本实施例中第二半导体衬底20b的上下两侧均设有经过图案化处理的调制结构，即第一介质结构层51形成的第一调光结构和第二介质结构层52形成的第二调光结构。
[0041]
其中，光线经过调光结构具有衍射作用，从而将小角度光线转换成大角度光线入射半导体结构层20内，使光线在半导体结构层20中光程增加，因此可以提升光线的吸收效率。可以通过设置第一调光结构和第二调光结构尺寸，使得调光结构对不同光线具有更好的衍射效果，从而增加光线在半导体结构层20中光程，例如改变凹槽结构的宽度、相邻凹槽结构之间的间距等。本实施例中，第一调光结构与第二调光结构可以对不同波长的光线具有衍射作用，即第一调光结构与第二调光结构的尺寸不相同，例如第一凹槽结构201的宽度与第二凹槽结构202的宽度不相同，或相邻第一凹槽结构201之间的间距与相邻第二凹槽结构202之间的间距不相同。当然，还可以设计调光结构的尺寸，使得调光结构对红光、绿光以及蓝光等光线的衍射效果更好。将第二调光结构设于第二半导体衬底20b靠近光学结构层30的一侧，从而使得第二调光结构不仅可以增加光线的射入角度，而且还可以降低光线在第二半导体衬底表面上的反射效果，从而增加光线进入半导体结构层内的光量，以进一步对光线的探测效率以及增加光线的吸收率。
[0042]
在其他实施例中，可以是第一半导体衬底20a靠近第二半导体衬底20b的一侧设有第一调光结构；还可以是第一半导体衬底20a靠近第二半导体衬底20b的一侧以及第二半导体衬底20b靠近第一半导体衬底20a的一侧共同形成第一调光结构，即第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b在相向的一侧均设有相互对齐的第一凹槽结构201。
[0043]
本实施例中，第一凹槽结构201的宽度大于第二凹槽结构202的宽度，即第一调光结构的宽度a1(图7e)大于第二调光结构的宽度a2(图7g)，从而使得第一调光结构对短波长光线的衍射效果较为明显，例如蓝光和绿光。而第二调光结构对长波长光线的衍射效果较为明显，例如红光。而且第二凹槽结构202的宽度较小，使得第二半导体衬底的表面具有更好的抗反射效果。
[0044]
需要说明的是，此处第一调光结构的宽度a1是指，对于第一调光结构而言，其上表面所对应的若干个纵截面图中，选取其中最小的尺寸定义为此处的第一调光结构的宽度a1。同理，定义第二调光结构的宽度a2。
[0045]
在其他实施例中，第一凹槽结构201的宽度在对应不同颜色滤色器的感光像素区21内不相同，例如对应红色滤色器的感光像素区21内的第一凹槽结构201对红光具有较好的衍射效果，对应绿色滤色器的感光像素区21内的第一凹槽结构201对绿光具有较好的衍
射效果，对应蓝色滤色器的感光像素区21内的第一凹槽结构201对蓝光具有较好的衍射效果，即对应红色感光像素区21内第一凹槽结构201的宽度＞对应绿色感光像素区21内第一凹槽结构201的宽度＞对应蓝色感光像素区21内第一凹槽结构201的宽度。
[0046]
本实施例中，第一调光结构朝向第一半导体衬底20a一侧的表面宽度等于第一调光结构远离第一半导体衬底20a一侧的表面宽度，即第一凹槽结构201朝向第一半导体衬底20a一侧的宽度等于第一凹槽结构201远离第一半导体衬底20a一侧的宽度，例如第一凹槽结构201的纵截面为矩形。
[0047]
当然，在其他实施例中，参考图8所示，第一调光结构朝向第一半导体衬底20a一侧的表面宽度大于第一调光结构远离第一半导体衬底20a一侧的表面宽度，即第一凹槽结构201朝向第一半导体衬底20a一侧的宽度大于第一凹槽结构201远离第一半导体衬底20a一侧的宽度，也就是说第一凹槽结构201的纵截面为上窄下宽的结构。例如，第一调光结构和第一凹槽结构201的纵截面均为梯形结构。
[0048]
当然，第一调光结构和第一凹槽结构201的纵截面也可以为其他上窄下宽的结构，例如梯形与矩形的组合结构。通过将半导体结构层20采用双层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，而且第一凹槽结构201设于第二半导体衬底20b靠近第一半导体衬底20a的一侧，从而可以为第二半导体衬底20b的设计提供更大设计空间，例如可以使得第一凹槽结构201设计成上窄下宽的结构。
[0049]
在其他实施例中，第一凹槽结构201设于第一半导体衬底20a中且靠近第二半导体衬底20b的一侧，第一凹槽结构201朝向第二半导体衬底20b一侧的宽度大于或等于第一凹槽结构201远离第二半导体衬底20b一侧的宽度，例如第一凹槽结构201的纵截面为矩形结构或倒梯形结构。由于需要对第一半导体衬底20a进行蚀刻才能形成第一凹槽结构201，所以第一凹槽结构201无法形成上窄下宽的结构。
[0050]
本实施例中，第二凹槽结构202朝向光学结构层30一侧的宽度大于或等于第二凹槽结构202远离光学结构层30一侧的宽度，例如第二凹槽结构202的纵截面为矩形结构或倒梯形结构。
[0051]
在一示例中，采用对第二半导体衬底20b进行蚀刻形成第二凹槽结构202的方式，第二凹槽结构202形成上宽下窄的结构。
[0052]
进一步地，第一调光结构和第二调光结构在对应感光像素区21的平面形状均为多个圆形结构(图2)、圆形结构与圆环形结构的组合(图3)、“田”字形结构(图4)、“井”字形结构(图5)、“米”字形结构(图6)或网状结构(未图示)，其中为多个圆形结构时，多个圆形结构可以呈阵列排布，也可以呈“十”字形排布，相邻的两个圆形结构相互结构。当然，第一凹槽结构201和第二凹槽结构202在对应感光像素区21的平面形状也可以为多个方形结构，其平面形状可以根据实际需要来设定，并不以此为限。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202的平面形状可以相同，也可以不相同。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202可以下上对齐，也可以相互错开。
[0053]
在一示例中，第一调光结构的横向最小尺寸为d1(图2)，第二调光结构的横向最小尺寸为d2(图3)，其中，d1大于等于2*d2，例如，d1可以是d2的尺寸的3倍、5倍等。从而有利于第二调光结构主要用于减少光线在第二半导体衬底20b表面上的反射，第一调光结构主要用于对光线进行衍射。进一步可选示例中，选择第一调光结构与第二调光结构交替间隔排
布，例如，可以是在调光结构排布方向上，图中的左右方向，第一调光结构的中心和第二调光结构的中间交替排布。进一步优选示例中，二者呈等间距排布，且第二调光结构的中心对应位于两个相邻的第一调光结构中心的中间位置。
[0054]
需要说明的是，此处第一调光结构的横向最小尺寸d1是指，对于第一调光结构而言，选取第一调光结构厚度的中间位置作为参考面，该参考面所对应的若干个纵截面图中，选取其中最小的尺寸定义为此处的第一调光结构的横向最小尺寸d1。同理，定义第二调光结构的横向最小尺寸d2。
[0055]
本实施例中，第二介质结构层52包括填充于第二凹槽结构202内的填充部，该填充部构成第二调光结构。当然，在其他示例中，还可以是第二介质结构层52包括填充于第二凹槽结构202内的填充部以及覆盖第二半导体衬底20b表面上的覆盖部。第一介质结构层51(对应第一调光结构)和第二介质结构层52(对应第二调光结构)可采用相同的材料制成，例如均采用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽等一种材料或者多种材料组成。当然，第一介质结构层51和第二介质结构层52也可采用不同的材料制成。
[0056]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用相同的材料制成，例如均采用单晶硅。当然，在其他实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用不同的材料制成，例如，第一半导体衬底20a采用单晶硅，而第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流。第二半导体衬底20b可以采用p型掺杂的单晶硅，掺杂元素为b，掺杂浓度为4.00e+13/cm2。在另一些方案中，第二半导体衬底20b也可以采用是sige单晶，ge占比为5％，从而可以提升图像传感器对红外光线的探测效率。当然，第一半导体衬底20a也可以采用掺杂单晶硅制成。通过将半导体结构层20采用双层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，从而可以为半导体结构层20的设计提供了更大设计空间，例如，使得第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a可以采用不同的材料制成，通过将第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流以及提升图像传感器对红外光线的探测效率。
[0057]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a的折射率相同，当然，在其他实施例中，第一半导体衬底的折射率大于第二半导体衬底的折射率大于第二调光结构的折射率，第一调光结构的折射率与第一半导体衬底的折射率不同。
[0058]
本实施例中，沟槽隔离结构22贯穿第二半导体衬底20b且部分伸入第一半导体衬底20a中，但没有贯穿第一半导体衬底20a。其中，沟槽隔离结构22可以采用氧化物(例如氧化铪、氧化铝、氧化钽、氧化硅)、氮化硅(sin)、二氧化硅(sio2)高介电材料或空气等折射率低于半导体结构层20的折射率的材料制成，从而使得沟槽隔离结构22与半导体结构层20之间形成全反射，以增加光线在半导体结构层20内的光程，从而提升光线的吸收效率。当然，在其他实施例中，沟槽隔离结构22也可以同时贯穿第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b。
[0059]
在其他实施例中，第一半导体衬底20a与第一介质结构层51之间还可以设有带有负电荷的金属氧化物层，金属氧化物层覆盖住第一半导体衬底20a靠近第二半导体衬底20b的表面以及第一凹槽结构201的内壁，从而可以降低图像传感器的暗电流。金属氧化物层可以是al2o3、ta2o5、hfo2等材料或这些材料的多层组合。
[0060]
如图7a-7j所示，本实施例还提供一种图像传感器的制作方法，该制作方法用于制
作如上所述的图像传感器，该制作方法包括：
[0061]
如图7a-7c所示，提供第一半导体衬底20a，然后在第一半导体衬底20a的第一表面制作电路连接层10。
[0062]
其中，半导体衬底20a具有相对的第一表面和第二表面，其中第二表面通常是第一半导体衬底20a通过翻转后，进行化学机械抛光使得第一半导体衬底20a变薄，并形成第一半导体衬底20a的第二表面。第一半导体衬底20a可以采用单晶硅或掺杂单晶硅制成。本实施例中，首先在第一半导体衬底20a的第一表面上一层绝缘薄膜并形成绝缘层40，然后在绝缘层40远离第一半导体衬底20a的一侧制成电路连接层10，电路连接层10是由多层导电层和多层绝缘层制成，半导体结构层20对应每个感光像素区21内会形成传输晶体管(tx)、复位晶体管(rst)以及源极跟随晶体管(sf)等多种晶体管，至于电路连接层10的具体结构和制作方法可以参考现有技术，这里不再赘述。
[0063]
如图7d-7e所示，在第一半导体衬底20a背离第一表面的第二表面覆盖第一介质材料层51a，对第一介质材料层51a进行蚀刻并形成图案化的第一介质结构层51，第一介质结构层51包括若干个间隔排布的第一调光结构，第一半导体衬底20a的第二表面从第一介质材料层51a被蚀刻掉的区域露出。
[0064]
具体地，将制作完电路连接层10的第一半导体衬底20a进行翻转，使得第一半导体衬底20a的第二表面处于上侧，此时，可以对第一半导体衬底20a的第二表面进行打磨使得第一半导体衬底20a变薄，当然也可以不进行打磨。然后在第一半导体衬底20a的第二表面覆盖第一介质材料层51a，并对第一介质材料层51a进行蚀刻并形成图案化的第一介质结构层51。在对第一介质材料层51a进行蚀刻时，在第一介质材料层51a被蚀刻掉的区域露出第一半导体衬底20a的第二表面，即将第一介质材料层51a刻穿，而第一半导体衬底20a的第二表面保留部分的第一介质材料层51a形成第一介质结构层51。
[0065]
其中，第一介质材料层51a可以采用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽等一种材料或者多种材料组成。
[0066]
如图7f所示，在第一半导体衬底20a的第二表面形成第二半导体衬底20b并覆盖住第一介质结构层51，使得第二半导体衬底20b在靠近第一半导体衬底20a的一侧形成第一调光结构，第一半导体衬底20a与第二半导体衬底20b共同组成半导体结构层20。
[0067]
具体地，先在第一半导体衬底20a的第二表面采用单晶硅沉积工艺沉积半导体材料层，例如可以是采用低温液相外延技术或者热丝cvd法形成半导体材料层，其中外延工艺的温度小于500℃，例如，可以是100℃、200℃、300℃；然后再采用有化学机械研磨工艺(cmp)对半导体材料层进行研磨，使得半导体材料层更加平整，需要控制研磨时间，防止将第一介质结构层51露出；从而在第二半导体衬底20b对应第一介质结构层51的区域形成第一凹槽201，第一凹槽201内由第一介质结构层51填充，使得第二半导体衬底20b在靠近第一半导体衬底20a的一侧形成第一调光结构。光线经过调光结构具有衍射作用，从而将小角度光线转换成大角度光线入射半导体结构层20内，使光线在半导体结构层20中光程增加，因此可以提升光线的吸收效率。可以通过设置第一凹槽201尺寸，使得调光结构对光线衍射效果更好，从而增加红外光在半导体结构层20中光程，例如改变第一介质结构层51的宽度、相邻第一介质结构层51之间的间距等。当然，还可以设计第一凹槽201尺寸，使得调光结构对绿光或蓝光等光线的衍射效果更好。
[0068]
本实施例中，第一介质结构层51和第二半导体衬底20b均是采用一道制程工艺制成。在其他实施例中，为了制作结构更加复杂的第一介质结构层51和第一凹槽201，可以将第一介质结构层51和第二半导体衬底20b均采用多道制程工艺制成，例如在制作第一介质结构层51的截面为中间宽上下窄的结构时，先在覆盖一层介质材料层并蚀刻，以形成第一介质结构层51的下半部分；再沉积一层半导体材料层并打磨，以形成第二半导体衬底20b的下半部分；然后再覆盖一层介质材料层并蚀刻，以形成第一介质结构层51的上半部分；最后再沉积一层半导体材料层并打磨，以形成第二半导体衬底20b的上半部分。
[0069]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用相同的材料制成，例如均采用单晶硅。当然，在其他实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用不同的材料制成，例如，第一半导体衬底20a采用单晶硅，而第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流。第二半导体衬底20b可以采用p型掺杂的单晶硅，掺杂元素为b，掺杂浓度为4.00e+13/cm2。但在形成第二半导体衬底20b后，还需要对第二半导体衬底20b进行退火处理以激活掺杂的元素。在另一些方案中，第二半导体衬底20b也可以采用是sige单晶，ge占比为5％，从而可以提升图像传感器对红外光线的探测效率。当然，第一半导体衬底20a也可以采用掺杂单晶硅制成。通过将半导体结构层20采用两层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，从而可以为半导体结构层20的设计提供了更大设计空间，例如使得第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a可以采用不同的材料制成，通过将第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流以及提升图像传感器对红外光线的探测效率。
[0070]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a的折射率相同，当然，在其他实施例中，第一半导体衬底的折射率大于第二半导体衬底的折射率大于第二调光结构的折射率，第一调光结构的折射率与第一半导体衬底的折射率不同。
[0071]
本实施例中，第一介质结构层51朝向第一半导体衬底20a一侧的表面宽度等于第一介质结构层51远离第一半导体衬底20a一侧的表面宽度，即第一调光结构朝向第一半导体衬底20a一侧的宽度等于第一调光结构远离第一半导体衬底20a一侧的宽度，例如第一调光结构和第一凹槽结构201的纵截面为矩形。
[0072]
当然，在其他实施例中，第一介质结构层51朝向第一半导体衬底20a一侧的表面宽度大于第一介质结构层51远离第一半导体衬底20a一侧的表面宽度，即第一调光结构朝向第一半导体衬底20a一侧的宽度大于第一调光结构远离第一半导体衬底20a一侧的宽度，也就是说第一凹槽结构201的纵截面为上窄下宽的结构。例如第一调光结构和第一凹槽结构201的纵截面均为梯形结构。当然，第一介质结构层51和第一凹槽结构201的纵截面也可以为其他上窄下宽的结构，例如梯形与矩形的组合结构。通过将半导体结构层20采用双层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，而且第一凹槽结构201设于第二半导体衬底20b靠近第一半导体衬底20a的一侧，从而可以为第二半导体衬底20b的设计提供更大设计空间，例如可以使得第一凹槽结构201设计成上窄下宽的结构。
[0073]
如图7g所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面对第二半导体衬底20b进行蚀刻并形成第二凹槽结构202。第二凹槽结构202的宽度与第一凹槽结构201的宽度不相同，即第一调光结构与第二调光结构的尺寸不相同，从而使得第一调光结构和第二调光结构可以对不同波长的光线具有更好的衍射效果。第二调光结构设于第二半导体衬
底20b靠近光学结构层30的一侧，从而使得第二调光结构不仅可以增加光线的射入角度，增加光路的吸收光程，而且还可以降低光线在第二半导体衬底表面上的反射效果，具有抗反射的效果，从而增加光线进入半导体结构层内的光量，以进一步对光线的探测效率以及增加光线的吸收率。
[0074]
本实施例中，第一凹槽结构201的宽度a1大于第二凹槽结构202的宽度a2，即第一调光结构的尺寸大于第二调光结构的尺寸，从而使得第二调光结构对短波长光线的衍射效果较为明显，例如蓝光和绿光。而第一调光结构对长波长光线的衍射效果较为明显，例如红光。而且第二凹槽结构202的宽度较小，使得第二半导体衬底的表面具有更好的抗反射效果。
[0075]
在其他实施例中，第一凹槽结构201的宽度在对应不同颜色的感光像素区21内不相同，例如对应红色感光像素区21内的第一凹槽结构201对红光具有较好的衍射效果，对应绿色感光像素区21内的第一凹槽结构201对绿光具有较好的衍射效果，对应蓝色感光像素区21内的第一凹槽结构201对蓝光具有较好的衍射效果，即红色感光像素区21内对应第一凹槽结构201的宽度＞绿色感光像素区21内对应第一凹槽结构201的宽度＞蓝色感光像素区21内对应第一凹槽结构201的宽度。
[0076]
本实施例中，第二凹槽结构202朝向光学结构层30一侧的宽度大于或等于第二凹槽结构202远离光学结构层30一侧的宽度，例如第二凹槽结构202的纵截面为矩形结构或倒梯形结构。在一示例中，采用第二半导体衬底20b进行蚀刻的方式形成第二凹槽结构202，第二凹槽结构202形成上宽下窄的结构。
[0077]
进一步地，第一调光结构和第二调光结构在对应感光像素区21的平面形状均包括多个圆形结构(图2)、圆形结构与圆环形结构的组合(图3)、“田”字形结构(图4)、“井”字形结构(图5)、“米”字形结构(图6)或网状结构(未图示)，其中为多个圆形结构时，多个圆形结构可以呈阵列排布，也可以呈“十”字形排布，相邻的两个圆形结构相互结构。当然，第一凹槽结构201和第二凹槽结构202在对应感光像素区21的平面形状也可以为多个方形结构，其平面形状可以根据实际需要来设定，并不以此为限。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202的平面形状可以相同，也可以不相同。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202可以下上对齐，也可以相互错开。
[0078]
在一示例中，第一调光结构的横向最小尺寸为d1(图2)，第二调光结构的横向最小尺寸为d2(图3)，其中，d1大于等于2*d2，例如，d1可以是d2的尺寸的3倍、5倍等。从而有利于第二调光结构主要用于减少光线在第二半导体衬底20b表面上的反射，第一调光结构主要用于对光线进行衍射。进一步可选示例中，选择第一调光结构与第二调光结构交替间隔排布，例如，可以是在调光结构排布方向上，图中的左右方向，第一调光结构的中心和第二调光结构的中间交替排布。进一步优选示例中，二者呈等间距排布，且第二调光结构的中心对应位于两个相邻的第一调光结构中心的中间位置。
[0079]
如图7h所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面对第二半导体衬底20b和第一半导体衬底20a进行蚀刻并形成沟槽；在沟槽内填充反光材料并形成沟槽隔离结构22。
[0080]
其中，沟槽隔离结构22可以采用氧化物(例如氧化铪、氧化铝、氧化钽、氧化硅)、氮化硅(sin)、二氧化硅(sio2)高介电材料或空气等折射率低于半导体结构层20的折射率的
材料制成，从而使得沟槽隔离结构22与半导体结构层20之间形成全反射，以增加光线在半导体结构层20内的光程，从而提升光线的吸收效率。
[0081]
本实施例中，沟槽隔离结构22贯穿第二半导体衬底20b且部分伸入第一半导体衬底20a中，但没有贯穿第一半导体衬底20a。当然，在其他实施例中，沟槽隔离结构22也可以同时贯穿第二半导体衬底20b和第一半导体衬底20a中。
[0082]
如图7i所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面形成第二介质结构层52，在本实施例中，第二介质结构层52包括填充于第二凹槽结构202内的填充部，该填充部构成第二调光结构。当然，在其他示例中，还可以是第二介质结构层52包括填充于第二凹槽结构202内的填充部以及覆盖第二半导体衬底20b表面上的覆盖部。
[0083]
具体地，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面覆盖第二介质材料层52a，从而形成第二介质结构层52。第一介质结构层51(对应第一调光结构)和第二介质结构层52(对应第二调光结构)可采用相同的材料制成，例如均采用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽等一种材料或者多种材料组成。当然，第一介质结构层51和第二介质结构层52也可采用不同的材料制成。
[0084]
如图7j所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面制作光学结构层30。具体地，在第二介质结构层52远离第二半导体衬底20b的表面制作光学结构层30。其中，光学结构层30包括滤色层31和微透镜阵列结构32，滤色层31包括红(r)、绿(g)、蓝(b)三色滤色层，多个滤色层31呈阵列分布，可以是每个滤色层31对应一个像素单元。微透镜阵列结构32具有聚光作用，使光线汇聚至感光元件上，以增加感光元件对光线的接收性能。至于光学结构层30的具体结构和制作方法可以参考现有技术，这里不再赘述。
[0085]
[实施例二]
[0086]
图8是本实用新型实施例二中图像传感器的纵截面结构示意图。如图8所示，本实用新型实施例二提供的图像传感器与实施例一(图1至图6)中的图像传感器基本相同，不同之处在于，在本实施例中，第一调光结构朝向第一半导体衬底20a一侧的表面宽度大于第一调光结构远离第一半导体衬底20a一侧的表面宽度，即第一凹槽结构201朝向第一半导体衬底20a一侧的宽度大于第一凹槽结构201远离第一半导体衬底20a一侧的宽度，也就是说第一凹槽结构201的纵截面为上窄下宽的结构。例如第一调光结构和第一凹槽结构201的纵截面均为梯形结构。
[0087]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用不同的材料制成，例如，第一半导体衬底20a采用单晶硅，而第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流。第二半导体衬底20b可以采用p型掺杂的单晶硅，掺杂元素为b，掺杂浓度为4.00e+13/cm2。但在形成第二半导体衬底20b后，还需要对第二半导体衬底20b进行退火处理以激活掺杂的元素。在另一些方案中，第二半导体衬底20b也可以采用是sige单晶，ge占比为5％，从而可以提升图像传感器对红外光线的探测效率。当然，第一半导体衬底20a也可以采用掺杂单晶硅制成。通过将半导体结构层20采用两层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，从而可以为半导体结构层20的设计提供了更大设计空间，例如使得第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a可以采用不同的材料制成，通过将第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流以及提升图像传感器对红外光线的探测效率。
[0088]
本实施例中，第一半导体衬底20a及第二半导体衬底20b之间还具有中间调制层20c，第一调光结构位于第一半导体衬底20a上且其上表面不高于中间调制层20c的上表面。即本实施例中，半导体结构层20采用三层设计，由于第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用不同的材料制成，设置中间调制层20c用于第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a之间的过渡结构，以增加第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a牢固性以及导电性。
[0089]
本实施例提供的制作方法与实施例一(图7a至图7j)中的制作方法基本相同，不同之处在于，在本实施例中，参考图7d和7e所示，对第一介质材料层51a进行蚀刻并形成第一介质结构层51，此时第一介质结构层51的纵截面形状为梯形结构。参考7f所示，本实施例在第一半导体衬底20a的第二表面依次形成中间调制层20c和第二半导体衬底20b，即依次沉积两层半导体材料层，例如，两个半导体材料层所采用的材料分别为浓度不同掺杂单晶硅，在一具体示例中，还可以是第一半导体衬底为单晶硅，第一调光结构选择为氧化硅，中间调制层选择为单晶硅，第二半导体衬底的材料选择为锗硅。
[0090]
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
[0091]
[实施例三]
[0092]
图9是本实用新型实施例三中图像传感器的纵截面结构示意图，图10a-10j是本实用新型实施例三中图像传感器的制作方法的结构流程图。本实用新型实施例三提供的图像传感器与实施例一(图1)中的图像传感器基本相同，不同之处在于，如图9所示，在本实施例中，第一半导体衬底20a靠近第二半导体衬底20b的一侧设有第一凹槽结构201，第一凹槽结构201内填充有第一介质结构层51并形成第一调光结构，即第一凹槽结构201设于第一半导体衬底20a靠近第二半导体衬底20b的一侧。
[0093]
本实施例中，第一凹槽结构201朝向第二半导体衬底20b一侧的宽度等于第一凹槽结构201远离第二半导体衬底20b一侧的宽度，例如第一凹槽结构201的纵截面为矩形结构。
[0094]
当然，在其他实施例中，第一凹槽结构201朝向第二半导体衬底20b一侧的宽度大于第一凹槽结构201远离第二半导体衬底20b一侧的宽度，例如第一凹槽结构201的纵截面为倒梯形结构。由于对第一半导体衬底20a进行蚀刻形成第一凹槽结构201，第一凹槽结构201形成上宽下窄的结构。
[0095]
如图10a-10j所示，本实施例还提供一种图像传感器的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的图像传感器，该制作方法包括：
[0096]
如图10a-10c所示，提供第一半导体衬底20a，然后在第一半导体衬底20a的第一表面制作电路连接层10。其中，半导体衬底20a具有相对的第一表面和第二表面，其中第二表面通常是第一半导体衬底20a通过翻转后，进行化学机械抛光使得第一半导体衬底20a变薄，并形成第一半导体衬底20a的第二表面。第一半导体衬底20a可以采用单晶硅或掺杂单晶硅制成。本实施例中，首先在第一半导体衬底20a的第一表面上一层绝缘薄膜并形成绝缘层40，然后在绝缘层40远离第一半导体衬底20a的一侧制成电路连接层10，电路连接层10是由多层导电层和多层绝缘层制成，电路连接层10和半导体结构层20在每个感光像素区21内会形成传输晶体管(tx)、复位晶体管(rst)以及源极跟随晶体管(sf)等多种晶体管，至于电路连接层10的具体结构和制作方法可以参考现有技术，这里不再赘述。
[0097]
如图10d所示，在第一半导体衬底20a背离第一表面的第二表面对第一半导体衬底
20a进行蚀刻并形成第一凹槽结构201，使得第一半导体衬底20a靠近第二表面的一侧形成第一调光结构。
[0098]
具体地，将制作完电路连接层10的第一半导体衬底20a进行翻转，使得第一半导体衬底20a的第二表面处于上侧，此时，可以对第一半导体衬底20a的第二表面进行打磨使得第一半导体衬底20a变薄，当然也可以不进行打磨。然后在第一半导体衬底20a的第二表面对第一半导体衬底20a进行蚀刻并形成第一凹槽结构201，使得第一半导体衬底20a靠近第二表面的一侧形成第一调光结构。其中，光线穿过调光结构具有衍射作用，从而将小角度光线转换成大角度光线入射半导体结构层20内，使光线在半导体结构层20中光程增加，因此可以提升光线的吸收效率。可以通过设置第一凹槽201尺寸，使得调光结构对光线衍射效果更好，从而增加红外光在半导体结构层20中光程，例如改变第一凹槽201的宽度、相邻第一凹槽201之间的间距等，至于调光结构的具体介绍可以参考现有技术，这里不再赘述。当然，还可以设计第一凹槽201尺寸，使得调光结构对绿光或蓝光等光线的衍射效果更好。
[0099]
如图10e所示，在第一半导体衬底20a背离第一表面的第二表面覆盖第一介质材料层51a，去除第一半导体衬底20a第二表面上的第一介质材料层51a并露出第一半导体衬底20a的第二表面，保留第一凹槽结构201内的第一介质材料层51a并形成图案化的第一介质结构层51。
[0100]
具体地，在第一半导体衬底20a的第二表面覆盖第一介质材料层51a，并对第一介质材料层51a进行蚀刻或其他工艺并形成图案化的第一介质结构层51。在对第一介质材料层51a进行蚀刻时，在第一介质材料层51a被蚀刻掉的区域露出第一半导体衬底20a的第二表面，即将第一介质材料层51a刻穿，而第一凹槽201内保留部分的第一介质材料层51a形成第一介质结构层51。其中，第一介质材料层51a可以采用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽等一种材料或者多种材料组成。当然，也可以通过研磨工艺对第一介质材料层51a进行研磨，使第一半导体衬底20a的第二表面露出。
[0101]
如图10f所示，在第一半导体衬底20a的第二表面形成第二半导体衬底20b并覆盖住第一介质结构层51，第一半导体衬底20a与第二半导体衬底20b共同组成半导体结构层20。
[0102]
具体地，先在第一半导体衬底20a的第二表面采用单晶硅沉积工艺沉积半导体材料层，例如可以是采用低温液相外延技术或者热丝cvd法形成半导体材料层；然后再采用有化学机械研磨工艺(cmp)对半导体材料层进行研磨，使得半导体材料层更加平整。
[0103]
本实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用相同的材料制成，例如均采用单晶硅。当然，在其他实施例中，第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a采用不同的材料制成，例如，第一半导体衬底20a采用单晶硅，而第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流。第二半导体衬底20b可以采用p型掺杂的单晶硅，掺杂元素为b，掺杂浓度为4.00e+13/cm2。但在形成第二半导体衬底20b后，还需要对第二半导体衬底20b进行退火处理以激活掺杂的元素。在另一些方案中，第二半导体衬底20b也可以采用是sige单晶，ge占比为5％，从而可以提升图像传感器对红外光线的探测效率。当然，第一半导体衬底20a也可以采用掺杂单晶硅制成。通过将半导体结构层20采用两层半导体衬底(第一半导体衬底20a和第二半导体衬底20b)制成，从而可以为半导体结构层20的设计提供了更大设计空间，例如使得第二半导体衬底20b与第一半导体衬底20a可以采用不
同的材料制成，通过将第二半导体衬底20b采用掺杂单晶硅制成，从而可以降低图像传感器的暗电流以及提升图像传感器对红外光线的探测效率。
[0104]
本实施例中，第一介质结构层51朝向第二半导体衬底20b一侧的表面宽度等于第一介质结构层51远离第二半导体衬底20b一侧的表面宽度，即第一凹槽结构201朝向第二半导体衬底20b一侧的宽度等于第一凹槽结构201远离第二半导体衬底20b一侧的宽度，例如第一凹槽结构201的纵截面为矩形。
[0105]
当然，在其他实施例中，第一介质结构层51朝向第二半导体衬底20b一侧的表面宽度大于第一介质结构层51远离第二半导体衬底20b一侧的表面宽度，即第一凹槽结构201朝向第二半导体衬底20b一侧的宽度大于第一凹槽结构201远离第二半导体衬底20b一侧的宽度，也就是说第一凹槽结构201的纵截面为上宽下窄的结构。例如第一介质结构层51和第一凹槽结构201的纵截面均为倒梯形结构。
[0106]
另外，在其他实施例中，还可以是在第一半导体衬底20a中形成第一凹槽结构201之后，直接形成第二半导体衬底材料层，这一材料层填充所述第一凹槽结构201并延伸至第一半导体衬底20a的表面，形成具有一定厚度的第二半导体衬底20b并同时得到所述第一调光结构(第一介质结构层)。
[0107]
如图10g所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面对第二半导体衬底20b进行蚀刻并形成第二凹槽结构202，使得第二半导体衬底20b远离第一介质材料层51a的一侧形成第二调光结构。
[0108]
第二凹槽结构202的宽度与第一凹槽结构201的宽度不相同，即第一调光结构与第二调光结构的尺寸不相同，从而使得第一调光结构和第二调光结构可以对不同波长的光线具有更好的衍射效果。第二调光结构设于第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的一侧，从而使得第二调光结构不仅可以增加光线的射入角度，而且还可以降低光线在第二半导体衬底表面上的反射效果，从而增加光线进入半导体结构层内的光量，以进一步对光线的探测效率以及增加光线的吸收率。
[0109]
本实施例中，第一凹槽结构201的宽度大于第二凹槽结构202的宽度，即第一调光结构的尺寸大于第二调光结构的尺寸，从而使得第一调光结构对短波长光线的衍射效果较为明显，例如蓝光和绿光。而第二调光结构对长波长光线的衍射效果较为明显，例如红光。而且第二凹槽结构202的宽度较小，使得第二半导体衬底的表面具有更好的抗反射效果。在其他实施例中，第一凹槽结构201的宽度在对应不同颜色的感光像素区21内不相同，例如对应红色感光像素区21内的第一凹槽结构201对红光具有较好的衍射效果，对应绿色感光像素区21内的第一凹槽结构201对绿光具有较好的衍射效果，对应蓝色感光像素区21内的第一凹槽结构201对蓝光具有较好的衍射效果，即第一凹槽结构201对应红色感光像素区21内的宽度＞第一凹槽结构201对应绿色感光像素区21内的宽度＞第一凹槽结构201对应蓝色感光像素区21内的宽度。
[0110]
进一步地，第二凹槽结构202朝向光学结构层30一侧的宽度大于或等于第二凹槽结构202远离光学结构层30一侧的宽度，例如第二凹槽结构202的纵截面为矩形结构或倒梯形结构。在一示例中，采用第二半导体衬底20b进行蚀刻的方式形成第二凹槽结构202，第二凹槽结构202形成上宽下窄的结构。
[0111]
进一步地，第一调光结构和第二调光结构在对应感光像素区21的平面形状为多个
圆形结构(图2)、圆形结构与圆环形结构的组合(图3)、“田”字形结构(图4)、“井”字形结构(图5)、“米”字形结构(图6)或网状结构(未图示)，其中为多个圆形结构时，多个圆形结构可以呈阵列排布，也可以呈“十”字形排布，相邻的两个圆形结构相互结构。当然，第一凹槽结构201和第二凹槽结构202在对应感光像素区21的平面形状也可以为多个方形结构，其平面形状可以根据实际需要来设定，并不以此为限。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202的平面形状可以相同，也可以不相同。第一凹槽结构201和第二凹槽结构202可以下上对齐，也可以相互错开。
[0112]
如图10h所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面对第二半导体衬底20b和第一半导体衬底20a进行蚀刻并形成沟槽；在沟槽内填充反光材料并形成沟槽隔离结构22。其中，沟槽隔离结构22可以采用氧化物(ox)、氮化硅(sin)、二氧化硅(sio2)高介电材料或空气等折射率低于半导体结构层20的折射率的材料制成，从而使得沟槽隔离结构22与半导体结构层20之间形成全反射，以增加光线在半导体结构层20内的光程，从而提升光线的吸收效率。
[0113]
本实施例中，沟槽隔离结构22贯穿第二半导体衬底20b且部分伸入第一半导体衬底20a中，但没有贯穿第一半导体衬底20a。当然，在其他实施例中，沟槽隔离结构22也可以同时贯穿第二半导体衬底20b和第一半导体衬底20a中。
[0114]
如图10i所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面形成第二介质结构层52，第二介质结构层52包括填充于第二凹槽结构202内的填充部以及覆盖第二半导体衬底20b表面上的覆盖部。具体地，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面覆盖第二介质材料层52a，从而形成第二介质结构层52。第一介质结构层51和第二介质结构层52可采用相同的材料制成，例如均采用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽等一种材料或者多种材料组成。当然，第一介质结构层51和第二介质结构层52也可采用不同的材料制成。
[0115]
如图10j所示，在第二半导体衬底20b远离第一半导体衬底20a的表面制作光学结构层30。具体地，在第二介质结构层52远离第二半导体衬底20b的表面制作光学结构层30。其中，光学结构层30包括滤色层31和微透镜阵列结构32，滤色层31包括红(r)、绿(g)、蓝(b)三色滤色层，多个滤色层31呈阵列分布，可以是每个滤色层31对应一个像素单元。微透镜阵列结构32具有聚光作用，使光线汇聚至感光元件上，以增加感光元件对光线的接收性能。至于光学结构层30的具体结构和制作方法可以参考现有技术，这里不再赘述。
[0116]
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
[0117]
在本文中，所涉及的上、下、左、右、前、后等方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本技术请求保护的范围。还应当理解，本文中使用的术语“第一”和“第二”等，仅用于名称上的区分，并不用于限制数量和顺序。
[0118]
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限定，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰，为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍
属于本实用新型技术方案的保护范围之内。