一种半导体加工用表面清洁装置的制作方法

专利查询2022-7-12  129



1.本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体是指一种半导体加工用表面清洁装置。


背景技术:

2.半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
3.随着现代社会信息技术的发展,半导体的使用量也越来越大,在半导体生产过程中需使用到表面清洁装置,现有的表面清洁装置结构较为复杂,在使用时容易划伤半导体材料,而且清理不彻底,清洁后的半导体表面仍然不洁净,影响半导体的使用。


技术实现要素:

4.本实用新型要解决的技术问题是克服以上技术缺陷,提供一种结构简单实用,稳定性强,清洁效果好,适用性强的一种半导体加工用表面清洁装置。
5.为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案为:一种半导体加工用表面清洁装置,包括支撑台,所述支撑台下方连接设有若干支撑腿,所述支撑腿下端连接设有支撑块,所述支撑台下方中心连接设有电机架一,所述电机架一内连接设有电机一,所述电机一输出端连接设有转轴一,所述转轴一上端伸入所述支撑台连接设有压紧装置,所述压紧装置上方连接设有清理刷一,所述支撑台上设有匹配所述清理刷一的凹槽,所述支撑台上方位于所述凹槽两侧对称连接设有电动伸缩杆,两个所述电动伸缩杆上端连接设有同一支撑架,所述支撑架内中心处连接设有电机架二,所述电机架二内连接设有电机二,所述电机二输出端连接设有转轴二,所述转轴二下端伸出所述支撑架通过压紧装置连接设有清理刷二,所述支撑架内位于所述电机架二两侧对称连接设有吸尘器,所述吸尘器下方连接设有吸尘管,所述吸尘管下端伸出所述支撑架连接设有吸尘嘴。
6.本实用新型与现有技术相比的优点在于:支撑块可增加支撑腿与地面的接触面积,在装置占地面积较小的情况下使装置更加稳定,通过电机一和电机二分别带动清理刷一和清理刷二转动进行清洁,操作简单,省时省力,压紧装置可保证清理刷一和清理刷二与半导体紧密接触,保证良好的清理效果,电动伸缩杆可调节清理刷二的高度,适用于对不同高度半导体的清洁,适用范围广,吸尘器可对掉落的灰尘及时进行清理,防止污染其他半导体,同时放置灰尘飞溅,难以清理。
7.进一步的,所述支撑块竖截面为梯形,所述支撑块下方连接设有防滑垫,防滑垫可防止装置移动,增加装置的稳定性。
8.进一步的,所述转轴一和所述转轴二通过轴承分别与所述支撑台和所述支撑架连接,轴承既可将转轴一和转轴二固定,增加装置的稳定性,又不影响其转动。
9.进一步的,所述清理刷一和所述清理刷二为圆盘状,清理均匀,保证装置良好的清
理效果。
10.进一步的,所述清理刷一和所述清理刷二上的刷毛为软质刷毛,防止划伤半导体。
11.进一步的,所述压紧装置包括与所述转轴一和所述转轴二连接的u形限位槽,所述u形限位槽朝向所述清理刷一和所述清理刷二设置,所述u形限位槽内连接设有若干弹簧,所述弹簧另一端与所述清理刷一和所述清理刷二连接,所述清理刷一和所述清理刷二两侧均连接设有滑条,所述u形限位槽两侧设有匹配所述滑条的滑槽,滑条一配合滑槽一可防止清理刷一和清理刷二晃动,保证清理刷一和清理刷二的稳定性,防止其倾斜,进而保证良好的清洁效果。
附图说明
12.图1是本实用新型的结构示意图。
13.如图所示:1、支撑台;2、支撑腿;3、支撑块;4、电机架一;5、电机一;6、转轴一; 7、清理刷一;8、凹槽;9、电动伸缩杆;10、支撑架;11、电机架二;12、电机二;13、转轴二;14、清理刷二;15、吸尘器;16、吸尘管;17、吸尘嘴;18、防滑垫;19、u形限位槽;20、弹簧;21、滑条;22、滑槽。
具体实施方式
14.下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。
15.结合附图1所示,一种半导体加工用表面清洁装置,包括支撑台1,所述支撑台1下方连接设有若干支撑腿2,所述支撑腿2下端连接设有支撑块3,所述支撑台1下方中心连接设有电机架一4,所述电机架一4内连接设有电机一5,所述电机一5输出端连接设有转轴一6,所述转轴一6上端伸入所述支撑台1连接设有压紧装置,所述压紧装置上方连接设有清理刷一7,所述支撑台1上设有匹配所述清理刷一7的凹槽8,所述支撑台1上方位于所述凹槽8 两侧对称连接设有电动伸缩杆9,两个所述电动伸缩杆9上端连接设有同一支撑架10,所述支撑架10内中心处连接设有电机架二11,所述电机架二11内连接设有电机二12,所述电机二12输出端连接设有转轴二13,所述转轴二13下端伸出所述支撑架10通过压紧装置连接设有清理刷二14,所述支撑架10内位于所述电机架二11两侧对称连接设有吸尘器15,所述吸尘器15下方连接设有吸尘管16,所述吸尘管16下端伸出所述支撑架10连接设有吸尘嘴 17。
16.所述支撑块3竖截面为梯形,所述支撑块3下方连接设有防滑垫18。所述转轴一6和所述转轴二13通过轴承分别与所述支撑台1和所述支撑架10连接。所述清理刷一7和所述清理刷二14为圆盘状。所述清理刷一7和所述清理刷二14上的刷毛为软质刷毛。所述压紧装置包括与所述转轴一6和所述转轴二13连接的u形限位槽19,所述u形限位槽19朝向所述清理刷一7和所述清理刷二14设置,所述u形限位槽19内连接设有若干弹簧20,所述弹簧20另一端与所述清理刷一7和所述清理刷二14连接,所述清理刷一7和所述清理刷二14 两侧均连接设有滑条21,所述u形限位槽19两侧设有匹配所述滑条21的滑槽22。
17.本实用新型在具体实施时:将需要清洁的半导体放置在支撑台1上,并使其下表面与清理刷一7相接触,同步调节两个电动伸缩杆9,电动伸缩杆9带动支撑架10下降,进而通过 u形限位槽19带动清理刷二14下降,直至清理刷二14与半导体上表面接触,打开电机一5 和电机二12开关,电机一5和电机二12带动转轴一6和转轴二13转动,转轴一6和转轴二 13
通过u形限位槽19带动清理刷一7和清理刷二14转动,对半导体表面进行清理,同时移动半导体,对其他部位进行清理,清理过程中,若半导体表面不平整,则会使得清理刷一7 和清理刷二14向u形限位槽19内移动,同时弹簧20被压缩,滑条21在滑槽22内移动,同时打开吸尘器15开关,吸尘嘴17将清理下来的灰尘及时吸入吸尘器15,定期打开吸尘器 15进行清理。
18.以上对本实用新型及其实施方式进行了描述,这种描述没有限制性,附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一,实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下,不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本实用新型的保护范围。


技术特征:
1.一种半导体加工用表面清洁装置,包括支撑台(1),其特征在于:所述支撑台(1)下方连接设有若干支撑腿(2),所述支撑腿(2)下端连接设有支撑块(3),所述支撑台(1)下方中心连接设有电机架一(4),所述电机架一(4)内连接设有电机一(5),所述电机一(5)输出端连接设有转轴一(6),所述转轴一(6)上端伸入所述支撑台(1)连接设有压紧装置,所述压紧装置上方连接设有清理刷一(7),所述支撑台(1)上设有匹配所述清理刷一(7)的凹槽(8),所述支撑台(1)上方位于所述凹槽(8)两侧对称连接设有电动伸缩杆(9),两个所述电动伸缩杆(9)上端连接设有同一支撑架(10),所述支撑架(10)内中心处连接设有电机架二(11),所述电机架二(11)内连接设有电机二(12),所述电机二(12)输出端连接设有转轴二(13),所述转轴二(13)下端伸出所述支撑架(10)通过压紧装置连接设有清理刷二(14),所述支撑架(10)内位于所述电机架二(11)两侧对称连接设有吸尘器(15),所述吸尘器(15)下方连接设有吸尘管(16),所述吸尘管(16)下端伸出所述支撑架(10)连接设有吸尘嘴(17)。2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用表面清洁装置,其特征在于:所述支撑块(3)竖截面为梯形,所述支撑块(3)下方连接设有防滑垫(18)。3.根据权利要求1所述的一种半导体加工用表面清洁装置,其特征在于:所述转轴一(6)和所述转轴二(13)通过轴承分别与所述支撑台(1)和所述支撑架(10)连接。4.根据权利要求1所述的一种半导体加工用表面清洁装置,其特征在于:所述清理刷一(7)和所述清理刷二(14)为圆盘状。5.根据权利要求1所述的一种半导体加工用表面清洁装置,其特征在于:所述清理刷一(7)和所述清理刷二(14)上的刷毛为软质刷毛。6.根据权利要求1所述的一种半导体加工用表面清洁装置,其特征在于:所述压紧装置包括与所述转轴一(6)和所述转轴二(13)连接的u形限位槽(19),所述u形限位槽(19)朝向所述清理刷一(7)和所述清理刷二(14)设置,所述u形限位槽(19)内连接设有若干弹簧(20),所述弹簧(20)另一端与所述清理刷一(7)和所述清理刷二(14)连接,所述清理刷一(7)和所述清理刷二(14)两侧均连接设有滑条(21),所述u形限位槽(19)两侧设有匹配所述滑条(21)的滑槽(22)。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体加工用表面清洁装置,包括支撑台,支撑台下方连接设有若干支撑腿,支撑台下方中心设有电机一,电机一输出端连接设有转轴一,转轴一上端伸入支撑台通过压紧装置连接设有清理刷一,支撑台上设有匹配清理刷一的凹槽,支撑台上方位于凹槽两侧对称连接设有电动伸缩杆,两个电动伸缩杆上端连接设有同一支撑架,支撑架内中心设有电机二,电机二输出端连接设有转轴二,转轴二下端伸出支撑架通过压紧装置连接设有清理刷二,支撑架内位于电机架二两侧对称连接设有吸尘器。本实用新型与现有技术相比的优点在于:结构简单实用,稳定性强,清洁效果好,适用性强。适用性强。适用性强。


技术研发人员:俞成国
受保护的技术使用者:威海爱来福半导体科技有限公司
技术研发日:2021.09.06
技术公布日:2022/3/8

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