一种耐穿刺抗干扰保护膜的制作方法

1.本实用新型涉及保护膜的技术领域，具体涉及一种耐穿刺抗干扰保护膜。


背景技术：

2.保护膜按照用途可以分为数码产品保护膜，汽车保护膜，家用保护膜，食品保鲜保护膜等。随着电子产品在中国的普及，保护膜在电子产品上的使用也越来越广泛，为保证电子产品内部元件(芯片、电子元器件等)的正常工作及使用性能，芯片或电子元器件等内部元件通常会贴附保护膜进行保护，以为芯片或电子元器件等内部元件提供保护层。
3.目前，电子产品内部元件用的保护膜只能提供普通的保护，抗电磁干扰效果差，容易受到电磁干扰，导致芯片或电子元器件等的正常工作，且不具备抗刺穿及防静电功能，容易受到外部因素影响导致芯片或电子元器件出现损坏，导致出现穿刺损坏或静电接触损坏的情况出现，大大降低了保护膜的使用寿命；现有的保护膜只能对被粘贴物品的上表面进行保护，无法根据需求进行保护膜的快速变形构成包裹形态，对被粘贴物品进行包裹性保护，需要重新裁切成两个保护膜，用于被粘贴物品的上表面及侧面的保护，加工及粘贴步骤繁琐；现有的保护膜由于通过粘贴膜粘附在被粘贴物品的表面，导热层与被粘贴物品的表面间接接触，导热效果较差，且导热层非单向导热，容易导致外部热量传递会被粘贴物品上，影响被粘贴物品的散热效果；现有的保护膜只通过单一的纤维层进行隔热保护，隔热效果较差，且缓冲保护性能较低，被粘贴物品容易受到外力冲击导致损坏，满足不了现有电子元件的保护需求。


技术实现要素：

4.本项实用新型是针对现在的技术不足，提供一种耐穿刺抗干扰保护膜。
5.本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是：
6.一种耐穿刺抗干扰保护膜包括保护膜本体，所述保护膜本体包括抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层，所述耐穿刺抗干扰保护膜以抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层依次层叠的方式排布，所述保护膜本体设有多条折痕，多条所述折痕设置在所述保护膜本体的两条对角线的角部上，所述保护膜本体还设有多个导热块，所述粘胶层设有多条波浪形凸块，多条所述波浪形凸块的底部均设有多个粘胶凸点。
7.作进一步改进，所述抗穿刺层包括第一抗穿刺层及第二抗穿刺层，所述第一抗穿刺层及第二抗穿刺层的厚度均为0.1-1mm，所述第二抗穿刺层设有网状结构。
8.作进一步改进，所述去静电层的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层内设有网状结构一，所述网状结构一由多个空槽构成，多个所述空槽内均掺入导电金属粉。
9.作进一步改进，所述抗电磁干扰层的厚度为0.03-0.08mm，所述抗电磁干扰层的表面多个梯形凹槽，所述梯形凹槽的底部设有圆弧形凹槽。
10.作进一步改进，所述隔热层由超细玻璃棉层及陶瓷纤维层构成，所述超细玻璃棉
层的厚度为0.03-0.06mm，所述陶瓷纤维层的的厚度为0.02-0.05mm。
11.作进一步改进，所述缓冲层的厚度为0.1-1mm，所述缓冲层内设有蜂窝状加强结构，所述蜂窝状加强结构有多个六角孔构成。
12.作进一步改进，所述保护膜层为pet保护膜层，所述保护膜层的厚度为0.1-1mm。
13.作进一步改进，所述多个导热块均包括上导热块、多个单向导热连接块及下导热块构成，多个单向导热连接块设置在所述上导热块及下导热块之间，所述抗穿刺层设有多个凹槽，所述上导热块分别设置在所述凹槽内，所述粘胶层设有多个凹槽一，所述下导热块分别设置在所述凹槽一内，所述下导热块的底面与所述粘胶凸点的粘贴面平行。
14.作进一步改进，多个所述单向导热连接块设置在所述保护膜本体内，并穿过抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层。
15.本实用新型的有益效果：本实用新型通过设置抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层实现抗穿刺、去静电、抗电磁干扰、隔热、导热剂缓冲保护的多功能保护，对被粘贴保护的芯片或电子元件进行全面的保护，提高保护性能；通过设置多条所述折痕使得保护膜可根据需求折叠构成盒状结构，从而将被粘贴保护的芯片或电子元件进行全面包裹保护，防止被粘贴保护产品的四侧面受到外力因素造成损坏的情况出现，提高保护膜的保护性能，且无需根据被张贴保护的芯片或电子元件的侧面尺寸进行重新裁切包裹，减少步骤，方便操作，提高粘附效率；通过采用第一抗穿刺层及第二抗穿刺层构成的抗穿刺层实现双重抗穿刺性能，防止电击穿或外力对被粘附的芯片或电子元件造成损坏的情况出现，结合网状结构用于提供抗冲击性性能，提高保护膜的保护性能；通过设置带网状结构一的去静电层用于提供去静电性能的同时，保证内部导电金属粉不会出现偏移，保证去静电性能的均匀性及保护性；通过设置抗电磁干扰层用于提供抗电磁干扰性能，同时通过设置梯形凹槽及圆弧形凹槽构成多重反射结构，提高反射电磁场的反射率，大大减少电磁场的干扰，能够有效防止芯片或电子元件之间产生电磁干扰；通过设置由超细玻璃棉层及陶瓷纤维层构成的双重隔热结构，大大提高隔热效果，提高隔热性能；通过设置下导热块并与粘胶凸点的粘贴面平行，提高接触面积，便于热量的传导，所述单向导热连接块用于保证热量散热的单向性，从而防止外部热量传递到被粘贴产品，提高导热性能。
16.下面结合附图与具体实施方式，对本实用新型进一步说明。
附图说明
17.图1为本实施例的耐穿刺抗干扰保护膜整体结构示意图；
18.图2为本实施例的耐穿刺抗干扰保护膜分解示意图；
19.图3为本实施例的粘胶层底部结构示意图；
20.图4为本实施例的抗电磁干扰层剖视示意图；
21.图5为本实施例的粘胶层剖视示意图。
具体实施方式
22.以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本发明的保护范围。
23.实施例，参见附图1～图5，一种耐穿刺抗干扰保护膜1包括保护膜本体2，所述保护膜本体2包括抗穿刺层3、去静电层4、抗电磁干扰层5、隔热层6、缓冲层7、保护膜层8及粘胶
层9，所述耐穿刺抗干扰保护膜8以抗穿刺层3、去静电层4、抗电磁干扰层5、隔热层6、缓冲层7、保护膜层8及粘胶层9依次层叠的方式排布，所述保护膜本体2设有多条折痕10，多条所述折痕10设置在所述保护膜本体2的两条对角线的角部上，多条所述折痕均设有多个断口，多条所述折痕10用于根据需求折叠构成盒状结构，从而将被粘贴保护的芯片或电子元件进行全面包裹保护，防止被粘贴保护产品的四侧面受到外力因素造成损坏的情况出现，提高保护膜1的保护性能，且无需根据被张贴保护的芯片或电子元件的侧面尺寸进行重新裁切包裹，减少步骤，方便操作，提高粘附效率，所述保护膜本体2还设有多个导热块12，所述粘胶层9设有多条波浪形凸块90，多条所述波浪形凸块90的底部均设有多个粘胶凸点91，多条所述波浪形凸块90用于起缓冲作用。
24.所述抗穿刺层3包括第一抗穿刺层30及第二抗穿刺层31，所述第一抗穿刺层30及第二抗穿刺层31的厚度均为0.1-1mm，所述第二抗穿刺层31设有网状结构32，所述第一抗穿刺层30及第二抗穿刺层31实现双重抗穿刺性能，防止电击穿或外力对被粘附的芯片或电子元件造成损坏的情况出现，所述网状结构32用于提供抗冲击性性能，提高保护膜1的保护性能。
25.所述去静电层4的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层4内设有网状结构一40，所述网状结构一40由多个空槽构成，多个所述空槽内均掺入导电金属粉，所述去静电层4用于去除静电，减少外界静电对芯片或电子元件的影响，所述网状结构一40用于保证导电金属粉的设置位置，防止导电金属粉出现偏移，影响去静电性能的均匀性，从而保证去静电性能的保护性。
26.所述抗电磁干扰层5的厚度为0.03-0.08mm，所述抗电磁干扰层5的表面多个梯形凹槽50，所述梯形凹槽50的底部设有圆弧形凹槽51，所述抗电磁干扰层5用于提供抗电磁干扰性能，通过设置梯形凹槽50及圆弧形凹槽51实现多重反射结构，提高反射电磁场的反射率，大大减少电磁场的干扰，从而能够有效防止芯片或电子元件之间产生电磁干扰。
27.所述隔热层6由超细玻璃棉层60及陶瓷纤维层61构成，所述超细玻璃棉层60的厚度为0.03-0.06mm，所述陶瓷纤维层61的的厚度为0.02-0.05mm，所述陶瓷纤维层61采用陶瓷纤维材料，通过陶瓷纤维层可对热量进行阻隔，从而避免温度过高后，膜体发生溶解变形，并结合超细玻璃棉层60构成双重隔热结构，大大提高隔热效果，提高隔热性能。
28.所述缓冲层7的厚度为0.1-1mm，所述缓冲层7内设有蜂窝状加强结构70，所述蜂窝状加强结构70有多个六角孔构成，所述缓冲层7用于提供缓冲性能，所述蜂窝状加强结构70用于提供缓冲及支撑性能。
29.所述保护膜层8为pet保护膜层，所述保护膜层8的厚度为0.1-1mm。
30.所述多个导热块12均包括上导热块120、多个单向导热连接块121及下导热块122构成，多个单向导热连接块121设置在所述上导热块120及下导热块122之间，所述抗穿刺层3设有多个凹槽33，所述上导热块120分别设置在所述凹槽33内，所述粘胶层9设有多个凹槽一92，所述下导热块122分别设置在所述凹槽一92内，所述下导热块122的底面与所述粘胶凸点91的粘贴面平行，多个所述单向导热连接块121设置在所述保护膜本体1内，并穿过抗穿刺层3、去静电层4、抗电磁干扰层5、隔热层6、缓冲层7、保护膜层8及粘胶层9，所述导热块12用于起导热作用，通过设置下导热块122并与粘胶凸点91的粘贴面平行，提高接触面积，从而便于热量的传导，所述单向导热连接块121用于保证热量散热的单向性，从而防止外部
热量传递到被粘贴产品。
31.本实用新型通过设置抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层实现抗穿刺、去静电、抗电磁干扰、隔热、导热剂缓冲保护的多功能保护，对被粘贴保护的芯片或电子元件进行全面的保护，提高保护性能；通过设置多条所述折痕使得保护膜可根据需求折叠构成盒状结构，从而将被粘贴保护的芯片或电子元件进行全面包裹保护，防止被粘贴保护产品的四侧面受到外力因素造成损坏的情况出现，提高保护膜的保护性能，且无需根据被张贴保护的芯片或电子元件的侧面尺寸进行重新裁切包裹，减少步骤，方便操作，提高粘附效率；通过采用第一抗穿刺层及第二抗穿刺层构成的抗穿刺层实现双重抗穿刺性能，防止电击穿或外力对被粘附的芯片或电子元件造成损坏的情况出现，结合网状结构用于提供抗冲击性性能，提高保护膜的保护性能；通过设置带网状结构一的去静电层用于提供去静电性能的同时，保证内部导电金属粉不会出现偏移，保证去静电性能的均匀性及保护性；通过设置抗电磁干扰层用于提供抗电磁干扰性能，同时通过设置梯形凹槽及圆弧形凹槽构成多重反射结构，提高反射电磁场的反射率，大大减少电磁场的干扰，能够有效防止芯片或电子元件之间产生电磁干扰；通过设置由超细玻璃棉层及陶瓷纤维层构成的双重隔热结构，大大提高隔热效果，提高隔热性能；通过设置下导热块并与粘胶凸点的粘贴面平行，提高接触面积，便于热量的传导，所述单向导热连接块用于保证热量散热的单向性，从而防止外部热量传递到被粘贴产品，提高导热性能。
32.本实用新型并不限于上述实施方式，采用与本实用新型上述实施例相同或近似结构或装置，而得到的其他用于耐穿刺抗干扰保护膜，均在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：
1.一种耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述耐穿刺抗干扰保护膜包括保护膜本体，所述保护膜本体包括抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层，所述耐穿刺抗干扰保护膜以抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层依次层叠的方式排布，所述保护膜本体设有多条折痕，多条所述折痕设置在所述保护膜本体的两条对角线的角部上，所述保护膜本体还设有多个导热块，所述粘胶层设有多条波浪形凸块，多条所述波浪形凸块的底部均设有多个粘胶凸点。2.根据权利要求1所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述抗穿刺层包括第一抗穿刺层及第二抗穿刺层，所述第一抗穿刺层及第二抗穿刺层的厚度均为0.1-1mm，所述第二抗穿刺层设有网状结构。3.根据权利要求2所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述去静电层的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层内设有网状结构一，所述网状结构一由多个空槽构成，多个所述空槽内均掺入导电金属粉。4.根据权利要求3所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述抗电磁干扰层的厚度为0.03-0.08mm，所述抗电磁干扰层的表面多个梯形凹槽，所述梯形凹槽的底部设有圆弧形凹槽。5.根据权利要求4所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述隔热层由超细玻璃棉层及陶瓷纤维层构成，所述超细玻璃棉层的厚度为0.03-0.06mm，所述陶瓷纤维层的厚度为0.02-0.05mm。6.根据权利要求5所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述缓冲层的厚度为0.1-1mm，所述缓冲层内设有蜂窝状加强结构，所述蜂窝状加强结构有多个六角孔构成。7.根据权利要求6所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述保护膜层为pet保护膜层，所述保护膜层的厚度为0.1-1mm。8.根据权利要求7所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：所述多个导热块均包括上导热块、多个单向导热连接块及下导热块构成，多个单向导热连接块设置在所述上导热块及下导热块之间，所述抗穿刺层设有多个凹槽，所述上导热块分别设置在所述凹槽内，所述粘胶层设有多个凹槽一，所述下导热块分别设置在所述凹槽一内，所述下导热块的底面与所述粘胶凸点的粘贴面平行。9.根据权利要求8所述的耐穿刺抗干扰保护膜，其特征在于：多个所述单向导热连接块设置在所述保护膜本体内，并穿过抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层。

技术总结
本实用新型公开了一种耐穿刺抗干扰保护膜，其包括保护膜本体，所述保护膜本体包括抗穿刺层、去静电层、抗电磁干扰层、隔热层、缓冲层、保护膜层及粘胶层，所述保护膜本体设有多条折痕，多条所述折痕设置在所述保护膜本体的两条对角线的角部上，所述保护膜本体还设有多个导热块。本实用新型实现抗穿刺、去静电、抗电磁干扰、隔热、导热剂缓冲保护的多功能保护，提高保护性能；通过设置多条所述折痕使得保护膜可根据需求折叠构成盒状结构，从而实现全面包裹保护，防止被粘贴保护产品的四侧面受到外力因素造成损坏的情况出现，提高保护性能，且无需根据被张贴保护的芯片或电子元件的侧面尺寸进行重新裁切包裹，减少步骤，方便操作，提高粘附效率。粘附效率。粘附效率。


技术研发人员：高雄
受保护的技术使用者：东莞市哲华电子有限公司
技术研发日：2021.09.07
技术公布日：2022/3/8