1.本发明涉及一种清洗剂领域,特别涉及一种半导体清洗剂。
背景技术:
2.现有的半导体清洗剂清洗的不够彻底,且清洗后清洗剂不容易挥发,半导体干燥需要很长时间,同时半导体上会出现水的痕迹。
技术实现要素:
3.本发明解决的技术问题是提供一种能够清洗半导体更彻底,且清洗后的半导体很容易干且不留水痕的半导体清洗剂。
4.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种半导体清洗剂,包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水,所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;
5.所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸;
6.所述c清洗剂包括纯碱。
7.进一步的是:所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为20-30份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为2-3份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为2-3份;所述乙醇的质量份数为2-4份。
8.进一步的是:所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为15-17份,所述脂肪酸的质量份数为3-5份。
9.本发明的有益效果是:本发明能够有效去除半导体上的油污和灰尘,使得去污效果好,同时本申请在清洗半导体后能够快速挥发,加快半导体的干燥速度,同时能够保证不留水痕。
具体实施方式
10.下面结合具体实施方式对本发明进一步说明。
11.本申请的实施例提供了一种半导体清洗剂,该半导体清洗剂,包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水;
12.所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇,所述a清洗剂能够有效去掉半导体上的油污和灰尘、助焊剂等。
13.所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸,所述b清洗剂能够加快半导体表面水分的挥发,减少半导体干燥的时间。
14.所述c清洗剂包括纯碱,所述纯碱的去污能力强。
15.在上述基础上,所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为20-30份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为2-3份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为2-3份;所述乙醇的质量份数为2-4份。
16.在上述基础上,所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为15-17份,所述脂肪酸的质量份数为3-5份。
17.实施例一:
18.一种半导体清洗剂,该半导体清洗剂,包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水,所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;
19.所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸;
20.所述c清洗剂包括纯碱。
21.在上述基础上,所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为20份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为3份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为2.5份;所述乙醇的质量份数为3份。
22.在上述基础上,所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为15份,所述脂肪酸的质量份数为5份。
23.实施例二:
24.一种半导体清洗剂,该半导体清洗剂,包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水,所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;
25.所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸;
26.所述c清洗剂包括纯碱。
27.在上述基础上,所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为30份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为2份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为2份;所述乙醇的质量份数为4份。
28.在上述基础上,所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为17份,所述脂肪酸的质量份数为3份。
29.实施例三:
30.一种半导体清洗剂,该半导体清洗剂,包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水,所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;
31.所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸;
32.所述c清洗剂包括纯碱。
33.在上述基础上,所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为25份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为2.5份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为3份;所述乙醇的质量份数为2份。
34.在上述基础上,所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为16份,所述脂肪酸的质量份数为4份。
35.以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征:
1.一种半导体清洗剂,其特征在于:包括质量份数为3:2:1:4的a清洗剂、b清洗剂、c清洗剂和水,所述a清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;所述b清洗剂包括甲醇和脂肪酸;所述c清洗剂包括纯碱;2.如权利要求1所述的一种半导体清洗剂,其特征在于:所述a清洗剂中所述丁二酸二甲酯的质量份数为20-30份,所述二乙二醇单甲醚的质量份数为2-3份;所述二乙二醇单丁醚点的质量份数为2-3份;所述乙醇的质量份数为2-4份。3.如权利要求1所述的一种半导体清洗剂,其特征在于:所述b清洗剂中所述甲醇的质量份数为15-17份,所述脂肪酸的质量份数为3-5份。
技术总结
本发明公开了一种半导体清洗剂,涉及一种清洗剂领域,包括质量份数为3:2:1:4的A清洗剂、B清洗剂、C清洗剂和水,所述A清洗剂包括丁二酸二甲酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和乙醇;所述B清洗剂包括甲醇和脂肪酸;所述C清洗剂包括纯碱。本发明能够有效去除半导体上的油污和灰尘,使得去污效果好,同时本申请在清洗半导体后能够快速挥发,加快半导体的干燥速度,同时能够保证不留水痕。同时能够保证不留水痕。
技术研发人员:吴爱平
受保护的技术使用者:苏州德韬科技有限公司
技术研发日:2021.12.09
技术公布日:2022/3/8