第一基板、显示面板、液晶显示器及显示设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种第一基板、显示面板、液晶显示器及显示设备。


背景技术：

2.液晶显示器(liquid crystal display，lcd)一般包括显示面板和背光模组。液晶显示器需要借由背光模组提供的光源来正常显示发光。通常显示面板由两片玻璃衬底贴合而成，且在两片玻璃衬底之间灌入液晶，分别在两片玻璃衬底的相对内侧设置像素电极层、公共电极层，利用电压场强来控制液晶分子的旋转方向，将背光模组的光折射出来产生画面。
3.现有显示面板中，垂直串扰是一种常见的不良现象，容易造成显示屏亮度异常。


技术实现要素：

4.本技术提供一种第一基板、包括第一基板的显示面板、液晶显示器及显示设备。第一基板通过设置与数据线位于同一金属层并靠近数据线的共享电极，减小了数据线和像素电极之间的耦合电容，从而改善了显示面板的垂直串扰现象。
5.第一方面，本技术提供一种第一基板，包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素均包括主区和次区，每一列所述子像素对应设置一条数据线，每一行所述子像素对应设置一条扫描线，所述扫描线位于所述主区与次区之间。
6.所述第一基板还包括同层设置的主像素电极和次像素电极，所述主像素电极位于所述主区，所述次像素电极位于所述次区，所述主像素电极和所述次像素电极均位于所述数据线的上层，且位于相邻的两条所述数据线之间。
7.所述第一基板还包括共享电极，所述共享电极与所述数据线同层设置，所述共享电极包括第一段和第三段，所述第一段位于所述主像素电极的靠近所述数据线的一侧的下方，所述第三段位于所述次像素电极的靠近所述数据线的一侧的下方。
8.其中，所述共享电极还包括第二段和第四段，所述第二段位于所述主像素电极的靠近另一条所述数据线的一侧的下方，所述第四段位于所述次像素电极的靠近另一条所述数据线的一侧的下方。
9.其中，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极的下层，所述公共电极包括第一枝节和第二枝节，所述第一枝节位于所述主像素电极的中部的下方，所述第二枝节位于所述次像素电极的中部的下方。
10.其中，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极的下层，所述公共电极包括第一枝节和第三枝节，所述第一枝节位于所述第一段的下方，所述第三枝节位于所述第三段的下方。
11.其中，所述第一枝节的走线宽度大于所述第一段的走线宽度。
12.其中，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极
的下层，所述公共电极包括第一枝节、第二枝节、第三枝节以及第四枝节，所述第一枝节和所述第二枝节分别位于所述第一段和所述第二段的下方，所述第三枝节和所述第四枝节分别位于所述第三段和所述第四段的下方。
13.其中，所述第一基板还包括主薄膜晶体管、次薄膜晶体管和共享薄膜晶体管。
14.所述主薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述主薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述主薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极电连接。
15.所述次薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述次薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述次薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接。
16.所述共享薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述共享薄膜晶体管的源极和所述共享电极电连接，所述共享薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接。
17.第二方面，本技术还提供一种显示面板，包括上述任一项的第一基板、第二基板及液晶层，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述液晶层位于所述第二基板与所述第一基板之间。
18.其中，所述第一基板包括色阻层，所述色阻层位于所述第一基板的共享电极的上层，且位于所述第一基板的主像素电极和次像素电极的下层。
19.第三方面，本技术还提供一种显示装置，包括上述任一项的显示面板和背光模组，所述显示面板位于所述背光模组的出光侧。
20.在本技术中，由于共享电极的第一段、第二段、第三段以及第四段靠近相邻的数据线设置，因此共享电极的多段结构能够和相邻的数据线共同形成耦合电容。由于数据线和共享电极同层设置、为同层金属，与数据线和共享电极为不同层金属的情况相比，本实施例中数据线和共享电极之间产生的耦合电容较大，数据线和共享电极之间产生的耦合电容可以在一定程度上与像素电极和数据线之间产生的耦合电容相互抵消，从而减小像素电极和数据线之间产生的耦合电容。
21.由于显示面板的垂直串扰的主要原因是像素电极与数据线的耦合电容过大，而导致像素点的电位受到数据信号的影响从而产生亮度变化，因此本实施例的第一基板通过减小像素电极和数据线之间产生的耦合电容，能够有效改善显示面板的垂直串扰现象，提高显示面板的显示效果。此外，本实施例中的走线设置方案还可以保证显示面板具有较高的像素开口率。
附图说明
22.图1是本技术提供的第一基板的结构示意图；
23.图2是图1所示第一基板的子像素在一个实施例中的结构示意图；
24.图3是图2所示子像素沿a-a处剖开的截面结构示意图；
25.图4是图2所示子像素沿b-b处剖开的截面结构示意图；
26.图5是图2所示子像素的电路原理图；
27.图6是图1所示第一基板的子像素在另一实施例中的结构示意图；
28.图7是图6所示子像素沿c-c处剖开的截面结构示意图；
29.图8是图6所示子像素沿d-d处剖开的截面结构示意图；
30.图9是本技术提供的显示面板的结构示意图；
31.图10是本技术提供的显示装置的结构示意图。
32.附图标记说明
33.1，子像素；2，数据线；3，扫描线；4，像素电极；4a，主像素电极；4b，次像素电极；5，共享电极；6，公共电极；7，主薄膜晶体管；8，次薄膜晶体管；9，共享薄膜晶体管；11，主区；12，次区；21，下玻璃衬底；22，第一绝缘层；23，第二绝缘层；51，第一部分；51a，第一段；51b，第二段；52，第二部分；52a，第三段；52b，第四段；53，连接部分；61，第一枝节；62，第二枝节；63，第一枝节；64，第二枝节；65，第三枝节；66，第四枝节；100，第一基板；110，第一基板；120，第二基板；130，液晶层；200，显示面板；210，背光模组；300，显示装置。
具体实施方式
34.下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行描述。其中，在本技术实施例的描述中，“多个”是指两个或多于两个。另外，文本中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。
35.以下，术语“第一”、“第二”等用词仅用于描述目的，而不能理解为暗示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
36.本技术实施例中所提到的方位用语，例如，“上”、“下”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本技术实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术实施例的限制。
37.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“设置”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。
38.请参阅图1，图1是本技术提供的第一基板100的结构示意图。
39.本实施例中，第一基板100可以应用于显示面板中。第一基板100包括阵列排布的多个子像素1，每个子像素1均包括主区11和次区12。子像素1可以为八畴设计，主区11和次区12各自做四畴设计，从而提升显示面板的可视角度。每一列子像素1对应设置一条数据线2，每一行子像素1对应设置一条扫描线3，扫描线3位于主区11和次区12之间。其中，扫描线3也可以称为栅极线。
40.请结合参阅图2至图4，图2是图1所示第一基板100的子像素1在一个实施例中的结构示意图，图3是图2所示子像素1沿a-a处剖开的截面结构示意图，图4是图2所示子像素1沿b-b处剖开的截面结构示意图。其中，图3和图4中均只示意出子像素1的部分层结构。
41.本实施例中，第一基板100还包括像素电极4、共享电极5以及公共电极6。其中，像素电极4包括同层设置的主像素电极4a和次像素电极4b，主像素电极4a位于主区11，次像素电极4b位于次区12，主像素电极4a和次像素电极4b均位于数据线2的上层，且位于相邻的两条数据线2之间。主像素电极4a和次像素电极4b可以由透明金属氧化物制成，例如氧化铟锡(indiumtin oxide,ito)。
42.可以理解的是，第一基板100通常由多层结构堆叠而成，先形成的层为下层，后形
成的层为上层，通常上层位于下层的远离基板的衬底的一侧。示例性的，第一基板100可以包括从下往上的下玻璃衬底21、第一金属层、第一绝缘层22、第二金属层、第二绝缘层23和第三金属层。其中，公共电极6形成于第一金属层，共享电极5和数据线2形成于第二金属层，像素电极4形成于第三金属层。本技术中的“主像素电极4a和次像素电极4b均位于数据线2的上层”并不意味着主像素电极4a和次像素电极4b只能与数据线2为相邻的层，也可以是两者中间存在其他间隔层的情况。本技术中其余涉及“上层”、“下层”的描述也应这样理解。
43.其中，共享电极5与数据线2同层设置，共享电极5包括第一部分51、第二部分52以及连接部分53。其中，图2中为了突出显示共享电极5的位置，在共享电极5所在区域增加了填充图案用于示意。
44.第一部分51位于主区11且包括间隔设置的第一段51a和第二段51b，第一段51a位于主像素电极4a的靠近数据线2的一侧的下方，第二段51b位于主像素电极4a的靠近另一条数据线2的一侧的下方。第二部分52位于次区12且包括间隔设置的第三段52a和第四段52b，第三段52a位于次像素电极4b的靠近数据线2的一侧的下方，第四段52b位于次像素电极4b的靠近另一条数据线2的一侧的下方。连接部分53连接第一部分51与第二部分52。在其他实施例中，共享电极5也可以不设置第二段51b和/或第四段52b。
45.其中，公共电极6位于数据线2和共享电极5的下层。公共电极6包括第一枝节61和第二枝节62；第一枝节61可以位于主区11，第一枝节61位于主像素电极4a的中部的下方；第二枝节62可以位于次区12，第二枝节62位于次像素电极4b的中部的下方。第一枝节61和/或第二枝节62可以平行于数据线2。其中，公共电极6也可以具有其他枝节，此处不再赘述。
46.其中，主像素电极4a的靠近数据线2的一侧、和主像素电极4a的靠近另一条数据线2的一侧即为主像素电极4a的相对设置的两侧，主像素电极4a的中部是指主像素电极4a的相对于上述两侧的中心区域。次像素电极4b的靠近数据线2的一侧、和次像素电极4b的靠近另一条数据线2的一侧即为次像素电极4b的相对设置的两侧，次像素电极4b的中部是指次像素电极4b的相对于上述两侧的中心区域。
47.在本实施例中，由于共享电极5的第一段51a、第二段51b、第三段52a以及第四段52b靠近相邻的数据线2设置，因此共享电极5的多段结构能够和相邻的数据线2共同形成耦合电容。由于数据线2和共享电极5同层设置、为同层金属，与数据线2和共享电极5为不同层金属的情况相比，本实施例中数据线2和共享电极5之间产生的耦合电容较大，数据线2和共享电极5之间产生的耦合电容可以在一定程度上与像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容相互抵消，从而减小像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容。
48.由于显示面板的垂直串扰的主要原因是像素电极与数据线的耦合电容(cpd)过大，而导致像素点的电位受到数据信号的影响从而产生亮度变化，因此本实施例的第一基板100通过减小像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容，能够有效改善显示面板的垂直串扰现象，提高显示面板的显示效果。此外，本实施例中的走线设置方案还可以保证显示面板具有较高的像素开口率。
49.应当理解的是，图2中，为了更好地示意主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的位置关系，对部分线段的位置进行了微调，本图不构成对主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的具体位置的限定。图3和图4主要用于示意主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的相对位置关系，本
申请对第一基板100具体的层级结构不作限定。
50.请结合参阅图2和图5，图5是图2所示子像素1的电路原理图。
51.本实施例中，子像素1可以为三晶体管设计。示例性的，子像素1还包括主薄膜晶体管7、次薄膜晶体管8和共享薄膜晶体管9。其中，主薄膜晶体管7的源极与数据线2电连接，主薄膜晶体管7的栅极与扫描线3电连接，主薄膜晶体管7的漏极与主像素电极4a电连接。次薄膜晶体管8的源极与数据线2电连接，次薄膜晶体管8的栅极与扫描线3电连接，次薄膜晶体管8的漏极与次像素电极4b电连接。共享薄膜晶体管9的栅极与扫描线3电连接，共享薄膜晶体管9的源极和共享电极5电连接，共享薄膜晶体管9的漏极与次像素电极4b电连接。
52.在本实施例中，共享电极5可以通过与其连接的共享薄膜晶体管9往次像素电极4b中输入公共电压，以调节次区12的充电率，使得主区11和次区12具有不同的充电率，以此提升显示面板的色彩丰富度。
53.请结合参阅图6至图8，图6是图1所示第一基板100的子像素1在另一实施例中的结构示意图，图7是图6所示子像素1沿c-c处剖开的截面结构示意图，图8是图6所示子像素1沿d-d处剖开的截面结构示意图。其中，图7和图8中均只示意出子像素1的部分层结构。
54.本实施例中，第一基板100还包括像素电极4、共享电极5以及公共电极6。其中，像素电极4包括同层设置的主像素电极4a和次像素电极4b，主像素电极4a位于主区11，次像素电极4b位于次区12，主像素电极4a和次像素电极4b均位于数据线2的上层，且位于相邻的两条数据线2之间。主像素电极4a和次像素电极4b可以由透明金属氧化物制成，例如氧化铟锡。
55.可以理解的是，第一基板100通常由多层结构堆叠而成，先形成的层为下层，后形成的层为上层，通常上层位于下层的远离基板的衬底的一侧。示例性的，第一基板100可以包括从下往上的下玻璃衬底21、第一金属层、第一绝缘层22、第二金属层、第二绝缘层23和第三金属层。其中，公共电极6形成于第一金属层，共享电极5和数据线2形成于第二金属层，像素电极4形成于第三金属层。
56.其中，共享电极5与数据线2同层设置，共享电极5包括第一部分51、第二部分52以及连接部分53。其中，图6中为了突出显示共享电极5的位置，在共享电极5所在区域增加了填充图案用于示意。
57.第一部分51位于主区11且包括间隔设置的第一段51a和第二段51b，第一段51a位于主像素电极4a的靠近数据线2的一侧的下方，第二段51b位于主像素电极4a的靠近另一条数据线2的一侧的下方。第二部分52位于次区12且包括间隔设置的第三段52a和第四段52b，第三段52a位于次像素电极4b的靠近数据线2的一侧的下方，第四段52b位于次像素电极4b的靠近另一条数据线2的一侧的下方。连接部分53连接第一部分51与第二部分52。在其他实施例中，共享电极5也可以不设置第二段51b和/或第四段52b。
58.本实施例的子像素1与图2所示的子像素1的不同之处在于：公共电极6位于数据线2和共享电极5的下层，公共电极6包括第一枝节63、第二枝节64、第三枝节65以及第四枝节66；第一枝节63和第二枝节64可以位于主区11，第一枝节63和第二枝节64分别位于第一段51a和第二段51b的下方；第三枝节65和第四枝节66可以位于次区12，第三枝节65和第四枝节66分别位于第三段52a和第四段52b的下方。第一枝节63和/或第二枝节64可以平行于数据线2；第三枝节65和/或第四枝节66可以平行于数据线2。在其他实施例中，公共电极6可以
不设置第二枝节64和/或第四枝节66。其中，公共电极6也可以具有其他枝节，此处不再赘述。
59.可以理解的是，除了上述不同之处以外，本实施例的子像素1与图2所示的子像素1的构成和电路原理等基本相同，此处将省略部分重复的描述。
60.其中，主像素电极4a的靠近数据线2的一侧、和主像素电极4a的靠近另一条数据线2的一侧即为主像素电极4a的相对设置的两侧。次像素电极4b的靠近数据线2的一侧、和次像素电极4b的靠近另一条数据线2的一侧即为次像素电极4b的相对设置的两侧。
61.在本实施例中，由于共享电极5的第一段51a、第二段51b、第三段52a以及第四段52b靠近相邻的数据线2设置，因此共享电极5的多段结构能够和相邻的数据线2共同形成耦合电容。
62.由于数据线2和共享电极5同层设置、为同层金属，与数据线2和共享电极5为不同层金属的情况相比，本实施例中数据线2和共享电极5之间产生的耦合电容较大，数据线2和共享电极5之间产生的耦合电容可以在一定程度上与像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容相互抵消，从而减小像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容，从而能够有效改善显示面板的垂直串扰现象，提高显示面板的显示效果。
63.此外，由于公共电极6的第一枝节63、第二枝节64、第三枝节65以及第四枝节66分别位于共享电极5的第一段51a、第二段51b、第三段52a以及第四段52b的下方，因此公共电极的第一枝节63、第二枝节64、第三枝节65以及第四枝节66也靠近数据线2设置，公共电极6的多段结构能够和数据线2共同形成耦合电容。
64.本实施例中数据线2和公共电极6之间产生的耦合电容也可以在一定程度上与像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容相互抵消，从而减小像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容，从而能够有效改善显示面板的垂直串扰现象。在本实施例中，数据线2和共享电极5之间产生的耦合电容与数据线2和公共电极6之间产生的耦合电容共同抵消像素电极4和数据线2之间产生的耦合电容，改善垂直串扰的效果更佳。
65.本实施例中，第一枝节63的走线宽度可以大于第一段51a的走线宽度。此外，第二枝节64的走线宽度大于第二段51b的走线宽度，第三枝节65的走线宽度大于第三段52a的走线宽度，第四枝节66的走线宽度大于第四段52b的走线宽度。
66.在本实施例中，由于公共电极6的多个枝节(63/64/65/66)分别位于共享电极5的多段走线(51a/51b/52a/52b)的下方，通过增加公共电极6的多个枝节(63/64/65/66)的走线宽度，使得公共电极6的多个枝节的走线宽度大于共享电极5的多段走线(51a/51b/52a/52b)的走线宽度，从而降低共享电极5的多段走线(51a/51b/52a/52b)的断线风险。
67.应当理解的是，图6中，为了更好地示意主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的位置关系，对部分线段的位置进行了微调，本图不构成对主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的具体位置的限定。图7和图8主要用于示意主像素电极4a、次像素电极4b、数据线2、共享电极5和公共电极6的相对位置关系，本技术对第一基板100具体的层级结构不作限定。
68.请参阅图9，图9是本技术提供的显示面板200的结构示意图。
69.本技术还提供一种显示面板200，显示面板200可以包括第一基板110、第二基板120及液晶层130，第二基板120与第一基板110相对设置，液晶层130位于第二基板120与第
一基板110之间。第一基板110可以包括上文提及的第一基板100的结构。
70.其中，显示面板200可以采用垂直配向(vertical alignment或vertically aligned，va)显示模式。
71.示例性的，第二基板120可以包括公共电极层，公共电极层用于与第一基板110的主像素电极及次像素电极形成电压差，以控制液晶层130中的液晶的转向。其中，第二基板120还可以包括上玻璃衬底和黑色矩阵(black matrix，bm)层。
72.示例性的，第一基板110还可以包括色阻层，色阻层位于共享电极的上层，且位于主像素电极和次像素电极的下层。示例性的，色阻层可以包括红色色阻块、绿色色阻块及蓝色色阻块等。在其他实施例中，色阻层也可以位于第二基板120。
73.请参阅图10，图10是本技术提供的显示装置300的结构示意图。
74.本技术还提供一种显示装置300，显示装置300包括上文提及的显示面板200和背光模组210，显示面板200位于背光模组210的出光侧。
75.本技术还提供一种显示设备，该显示设备包括上文提及的显示装置300。其中，显示设备可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、相机等电子产品。
76.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.一种第一基板，包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素均包括主区和次区，每一列所述子像素对应设置一条数据线，每一行所述子像素对应设置一条扫描线，所述扫描线位于所述主区与次区之间，所述第一基板还包括同层设置的主像素电极和次像素电极，所述主像素电极位于所述主区，所述次像素电极位于所述次区，所述主像素电极和所述次像素电极均位于所述数据线的上层，且位于相邻的两条所述数据线之间，其特征在于，所述第一基板还包括共享电极，所述共享电极与所述数据线同层设置，所述共享电极包括第一段和第三段，所述第一段位于所述主像素电极的靠近所述数据线的一侧的下方，所述第三段位于所述次像素电极的靠近所述数据线的一侧的下方。2.根据权利要求1所述的第一基板，其特征在于，所述共享电极还包括第二段和第四段，所述第二段位于所述主像素电极的靠近另一条所述数据线的一侧的下方，所述第四段位于所述次像素电极的靠近另一条所述数据线的一侧的下方。3.根据权利要求1或2所述的第一基板，其特征在于，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极的下层，所述公共电极包括第一枝节和第二枝节，所述第一枝节位于所述主像素电极的中部的下方，所述第二枝节位于所述次像素电极的中部的下方。4.根据权利要求1或2所述的第一基板，其特征在于，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极的下层，所述公共电极包括第一枝节和第三枝节，所述第一枝节位于所述第一段的下方，所述第三枝节位于所述第三段的下方。5.根据权利要求4所述的第一基板，其特征在于，所述第一枝节的走线宽度大于所述第一段的走线宽度。6.根据权利要求2所述的第一基板，其特征在于，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述数据线和共享电极的下层，所述公共电极包括第一枝节、第二枝节、第三枝节以及第四枝节，所述第一枝节和所述第二枝节分别位于所述第一段和所述第二段的下方，所述第三枝节和所述第四枝节分别位于所述第三段和所述第四段的下方。7.根据权利要求1或2所述的第一基板，其特征在于，所述第一基板还包括主薄膜晶体管、次薄膜晶体管和共享薄膜晶体管；所述主薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述主薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述主薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极电连接；所述次薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述次薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述次薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接；所述共享薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述共享薄膜晶体管的源极和所述共享电极电连接，所述共享薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接。8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至7所述的第一基板、第二基板及液晶层，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述液晶层位于所述第二基板与所述第一基板之间。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括色阻层，所述色阻层位于所述第一基板的共享电极的上层，且位于所述第一基板的主像素电极和次像素电极的下层。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8或9所述的显示面板和背光模组，所述
显示面板位于所述背光模组的出光侧。

技术总结
本申请提供一种第一基板、包括第一基板的显示面板、液晶显示器及显示设备。第一基板通过设置与数据线位于同一金属层并靠近数据线的共享电极，减小了数据线和像素电极之间的耦合电容，从而改善了显示面板的垂直串扰现象。从而改善了显示面板的垂直串扰现象。从而改善了显示面板的垂直串扰现象。


技术研发人员：廖凯 李荣荣
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8