改善焊盘缺陷的方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善焊盘缺陷的方法。


背景技术：

2.在现代半导体工艺中，随着芯片集成度的增加和尺寸的减小，芯片引脚间距越来越细密化，微电子封装的精度要求越来越高，键合质量及可靠性控制与提升的难度加大，直接导致器件键合失效的原因除了来自于键合工艺本身以外，芯片焊盘的缺陷也是引起键合问题的主要因素之一；pad crystal defect(焊盘晶体缺陷)是发生在焊盘上一种常见的会引起键合失效或造成键合可靠性问题的工艺缺陷。


技术实现要素：

3.针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种改善焊盘缺陷的方法。
4.本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，其包括以下步骤：
5.步骤一，钝化层形成在焊盘上，钝化层形成后先刻蚀氧化物层；
6.步骤二，将氧化物层刻蚀完，刻蚀终点停留在氮化物上，后使用无图形刻蚀残余材料。
7.优选地，所述步骤二先是在焊盘区域进行涂胶显影，之后利用四氟化碳和三氟甲烷刻蚀钝化层，将氮化硅层全部刻蚀完。
8.优选地，所述步骤二在刻蚀后增加一个湿法工艺进行清洗，将含氟的聚合物的侧壁进行清洗。
9.优选地，所述步骤一在刻蚀前增加一个湿法工艺。
10.优选地，所述湿法工艺采用清洗液。
11.优选地，所述步骤一的刻蚀采用主刻蚀和过刻蚀。
12.优选地，所述钝化层包括氧化物层、氮化硅层、介电层，氮化硅层位于氧化物层和介电层之间。
13.优选地，所述钝化层的厚度为
14.本发明的积极进步效果在于：本发明减少侧壁含氟的聚合物(polymer)，从而抑制产生焊盘晶体缺陷。
附图说明
15.图1为本发明改善焊盘缺陷的方法的流程图。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.如图1所示，本发明改善焊盘缺陷的方法包括以下步骤：
18.步骤一，钝化层形成在焊盘上，钝化层形成后先刻蚀氧化物层；
19.步骤二，将氧化物层刻蚀完，刻蚀终点停留在氮化物(nitride)上，后使用无图形刻蚀(blank et，即整体刻蚀无需光刻胶形成图形后刻蚀)残余材料。
20.步骤二先是在焊盘区域进行涂胶显影，之后利用四氟化碳(cf4)和三氟甲烷(chf3)刻蚀钝化层，将氮化硅层全部刻蚀完，刻蚀终点为氮化物。
21.因为步骤二刻蚀使用四氟化碳(cf4)和三氟甲烷(chf3)，会形成较高含氟的聚合物(polymer)的侧壁，所以增加一个湿法工艺(第一次)进行清洗，将含氟的聚合物(polymer)的侧壁进行清洗，从而抑制产生焊盘晶体缺陷。
22.钝化层刻蚀过程中以及湿法工艺清洗之前，焊盘持续被腐蚀，步骤一在刻蚀前增加一个湿法工艺(第二次)，可以将减少侧壁含氟的polymer厚度，避免了大量氟离子扩散至焊盘表面，侵蚀焊盘，形成焊盘晶体，之后利用cf4和chf3对晶圆表面进行blank et，因焊盘打开区域已厚膜已经被刻蚀，焊盘的打开区域会优先被刻蚀至焊盘，步骤一的刻蚀采用合适的me(主刻蚀)和oe(过刻蚀)，之后湿法工艺(第二次)进行清洗，打开焊盘区域。
23.钝化层包括氧化物层、氮化硅层、介电层，氮化硅层位于氧化物层和介电层之间，方便使用。
24.湿法工艺采用清洗液，防止焊盘发生腐蚀。
25.钝化层204的厚度可以为这个厚度范围的钝化层204既为了保证起到保护芯片单元中器件的作用，又防止钝化层204的厚度太大。
26.上述具体实施方式为本发明的优选实施例，并不能对本发明进行限定，其他的任何未背离本发明的技术方案而所做的改变或其它等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，钝化层形成在焊盘上，钝化层形成后先刻蚀氧化物层；步骤二，将氧化物层刻蚀完，刻蚀终点停留在氮化物上，后使用无图形刻蚀残余材料。2.如权利要求1所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述步骤二先是在焊盘区域进行涂胶显影，之后利用四氟化碳和三氟甲烷刻蚀钝化层，将氮化硅层全部刻蚀完。3.如权利要求2所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述步骤二在刻蚀后增加一个湿法工艺进行清洗，将含氟的聚合物的侧壁进行清洗。4.如权利要求2所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述步骤一在刻蚀前增加一个湿法工艺。5.如权利要求3或4所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述湿法工艺采用清洗液。6.如权利要求1所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述步骤一的刻蚀采用主刻蚀和过刻蚀。7.如权利要求1所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化物层、氮化硅层、介电层，氮化硅层位于氧化物层和介电层之间。8.如权利要求1所述的改善焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为

技术总结
本发明公开了一种改善焊盘缺陷的方法，其包括以下步骤：步骤一，钝化层形成在焊盘上，钝化层形成后先刻蚀氧化物层；步骤二，将氧化物层刻蚀完，刻蚀终点停留在氮化物上，后使用无图形刻蚀残余材料。本发明减少侧壁含氟的聚合物，从而抑制产生焊盘晶体缺陷。从而抑制产生焊盘晶体缺陷。从而抑制产生焊盘晶体缺陷。


技术研发人员：米魁 袁明 程刘锁 钱江勇 张继亮
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8