圆心对称型3D基板镀膜方法与流程

圆心对称型3d基板镀膜方法
技术领域
1.本发明有关于一种基板镀膜方法，尤其指一种圆心对称型3d基板镀膜方法。


背景技术：

2.在镀膜实务上，针对不同的基板会采用不同的镀膜技术。例如，针对曲率较小的3d基板，可采平面溅镀制程进行镀膜，但基板中央与周围处的膜厚会有不均匀的问题。至于曲率较大的3d基板，则会采蒸镀制程并搭配行星式公/自转的方式进行镀膜，但基板中央与周围膜厚仍旧容易有不均匀的问题。
3.也就是说，在现有的3d基板镀膜技术中，因不易达到曲面上镀膜膜厚均匀，而导致有光学效果不佳或膜质特性差异的问题。另外，若是球面型3d基板，因有多维曲度，使得镀膜均匀性更难控制。
4.综上所述，如何提供一个能提高曲面镀膜膜厚均匀性的3d基板镀膜方法，乃是业界所需思考的重要课题。


技术实现要素：

5.本发明主要提供一种圆心对称型3d基板镀膜方法，可有效地提升车辆续航力。
6.鉴于上述内容，本揭露之一态样系提供一种圆心对称型3d基板镀膜方法，包含：将一3d基板、一遮罩以及一溅镀靶材配置于一中轴线上，其中所述遮罩具有一中央开口且配置于所述3d基板与所述溅镀靶材之间，而所述3d基板具有一圆形截面；以及以所述中轴线为转轴，使所述遮罩与所述3d基板相对转动，并执行一溅镀步骤，以让所述溅镀靶材的物质溅射并通过所述中央开口而沉积到所述3d基板上。
7.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板静止不动，而所述遮罩以所述中轴线为转轴且相对于所述3d基板转动。
8.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述遮罩静止不动，而所述3d基板以所述中轴线为转轴且相对于所述遮罩转动。
9.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板与所述遮罩皆以所述中轴线为转轴而彼此相对转动。
10.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述溅镀靶材为方形或圆形平面。
11.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板面对所述遮罩之表面为一凸面。
12.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板面对所述遮罩之表面为一凹面。
13.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板、所述遮罩以及所述溅镀靶材之中心配置于所述中轴线。
14.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中所述3d基板之表面由不同深度平面、不规则平面或曲面构成。
15.根据本揭露之一个或多个实施方式，其中根据所述3d基板之形状与尺寸而设计所述遮罩之所述中央开口，以利用所述遮罩修正所述3d基板之表面上各位置的膜厚分布。
附图说明
16.为让本发明的上述与其他目的、特征、优点与实施例能更浅显易懂，所附图式之说明如下：
17.图1系绘示本发明一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。
18.图2系绘示本发明另一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。
19.图3a～3d系绘示本发明之不同实施例中3d基板的示意图。
20.图4a～4c系绘示本发明之实施例中3d基板与遮罩的相对位置与作动关系示意图。
21.图5系绘示本发明又一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。
22.图6系绘示本发明又一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。
23.10a～10e：3d基板
24.20：遮罩
25.20a：中央开口
26.30：溅镀靶材
27.40：中轴线
28.100～400：镀膜系统
29.c1、c2：中心
30.根据惯常的作业方式，图中各种特征与组件并未依实际比例绘制，其绘制方式是为了以最佳的方式呈现与本发明相关的具体特征与组件。此外，在不同图式间，以相同或相似的组件符号指称相似的组件及部件。
具体实施方式
31.为便对本发明之目的、形状、构造装置特征及其功效，做更进一步之认识与了解，兹举实施例配合图式，详细说明如下。
32.以下揭露提供不同的实施例或示例，以建置所提供之目标物的不同特征。以下叙述之成分以及排列方式的特定示例是为了简化本公开，目的不在于构成限制；组件的尺寸和形状亦不被揭露之范围或数值所限制，但可以取决于组件之制程条件或所需的特性。例如，利用剖面图描述本发明的技术特征，这些剖面图是理想化的实施例示意图。因而，由于制造工艺和/公差而导致图示之形状不同是可以预见的，不应为此而限定。
33.再者，空间相对性用语，例如「下方」、「在
…
之下」、「低于」、「在
…
之上」以及「高于」等，是为了易于描述图式中所绘示的元素或特征之间的关系；此外，空间相对用语除了图示中所描绘的方向，还包含组件在使用或操作时的不同方向。
34.以下，搭配图式说明本案之实施例中圆心对称型3d基板镀膜方法。
35.首先，请一并参考图1与图2，图1系绘示本发明一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。图2系绘示本发明另一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。
36.如图1所示，镀膜系统100是一溅镀设备，其具有一真空腔体(图未显示)，内部设置
有一3d基板10a、一遮罩20、一溅镀靶材30以及一般溅镀设备所具有的其他组件(图未显示)。
37.在本发明之实施例中，圆心对称型3d基板镀膜方法系将3d基板10a、遮罩20以及溅镀靶材30配置于一中轴线40上。而遮罩20具有一中央开口20a，且遮罩20乃配置于3d基板10a与溅镀靶材30之间。进一步来说，3d基板10a、遮罩20以及溅镀靶材30之中心配置于中轴线40上。
38.如图1所示，在此实施例中，3d基板10a具有一圆形截面，溅镀靶材30为圆形平面。在本发明之其他实施例中，溅镀靶材30为方形平面。另外，请参考图3a～3d所绘示之本发明不同实施例中3d基板的示意图，在本发明之其他实施例中，3d基板之表面由不同深度平面、不规则平面或曲面构成，也就是具有不同的形状。例如，图3a之3d基板10b为碗状，底部有一平面；图3a之3d基板10c之底部具有不同深度的平面；图3a之3d基板10d之底部为一渐缩之类锥状，具有不规则平面；以及图3a之3d基板10e为浅碟状，底部为一曲面。
39.接着，请再参考图1，在本发明之实施例中，圆心对称型3d基板镀膜方法更以中轴线40为转轴，使遮罩20与3d基板10a相对转动，例如3d基板10a静止不动，而遮罩20以中轴线40为转轴且相对于3d基板10a转动。同时，执行一溅镀步骤，以让溅镀靶材30的物质溅射并通过中央开口20a而沉积到3d基板10a上。在图1之实施例中，3d基板10a面对遮罩20之表面为一凸面。另外，请参考图2，在本发明其他实施例中，镀膜系统200内3d基板10a面对遮罩20之表面为一凹面，其余与图1之实施例相同，在此不再赘述。在图2之实施例中，圆心对称型3d基板镀膜方法也是利用中轴线40为转轴，使遮罩20与3d基板10a相对转动，并执行一溅镀步骤，以让溅镀靶材30的物质溅射并通过中央开口20a而沉积到3d基板10a上。图2与图1之实施例的差异在于，镀模是形成在3d基板10a的凹面或凸面上，其余相同。
40.另外，在此要特别说明的是，在本发明一实施例中，3d基板10a静止不动，而遮罩20以中轴线40为转轴且相对于3d基板10a转动。在本发明另一实施例中，遮罩20静止不动，而3d基板10a以中轴线40为转轴且相对于遮罩20转动。在本发明又一实施例中，3d基板10a与遮罩20皆以中轴线40为转轴而彼此相对转动。例如，请参考图4a～4c，图4a～4c系绘示本发明之实施例中3d基板与遮罩的相对位置与作动关系示意图。如图4a所示，3d基板10a面对遮罩20之表面为一凸面，3d基板10a之中心c2系与遮罩20之中央开口20a的中心c1对应，且中心c2与中心c1皆位于中轴线40上。如图4a所示，3d基板10a静止不动，而遮罩20以中轴线40为转轴且相对于3d基板10a转动。另外，请参考图4b，遮罩20静止不动，而3d基板10a以中轴线40为转轴且相对于遮罩20转动。另外，请参考图4c，3d基板10a与遮罩20皆以中轴线40为转轴而彼此相对转动。
41.接下来，请一并参考图5与图6，图5系绘示本发明又一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。图6系绘示本发明又一实施例中圆心对称型3d基板镀膜系统的部份组件示意图。相似于图1与图2之实施例，在图5与图6之实施例中，镀膜系统300与镀膜系统400是一溅镀设备，皆具有一真空腔体(图未显示)，内部皆设置有一3d基板10a、一遮罩20、一溅镀靶材30以及一般溅镀设备所具有的其他组件(图未显示)。与图1与图2之实施例相异处在于，在图5与图6之实施例中乃是遮罩20静止不动，而3d基板10a以中轴线40为转轴且相对于遮罩20转动。其余与图1以及图2之实施例相同，在此不再赘述。
42.综上所述，在本发明之实施例中，圆心对称型3d基板镀膜方法根据3d基板之形状
与尺寸设计遮罩之中央开口，且将3d基板、遮罩以及平面溅镀靶材配置于一中轴线上，更以中轴线40为转轴，使遮罩与3d基板相对转动，以利用遮罩修正3d基板不同高度曲面上的镀率，使3d基板之表面上各位置的膜厚均一分布。相较于一般平面溅镀方法，本发明之实施例的圆心对称型3d基板镀膜方法可镀高深宽比3d球面基板，并改善均匀性。相较于一般3d行星式公自转蒸镀，本发明之实施例的圆心对称型3d基板镀膜方法可利用遮罩修正曲面上各高度膜厚分布，均匀性更佳。
43.另外，图虽未显示，但是本领域之技术人士应当可以理解本发明之实施例中的镀膜系统乃具有一般溅镀设备足以执行前述溅镀制程的其他组件，例如高功率脉冲电浆源系统、气体供应器以及脉冲控制器等等，在此不赘述。
44.以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施方式对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

技术特征：
1.一种圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，包含：将3d基板、遮罩以及溅镀靶材配置于中轴线上，其中所述遮罩具有中央开口且配置于所述3d基板与所述溅镀靶材之间，而所述3d基板具有圆形截面；以及以所述中轴线为转轴，使所述遮罩与所述3d基板相对转动，并执行溅镀步骤，以让所述溅镀靶材的物质溅射并通过所述中央开口而沉积到所述3d基板上。2.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板静止不动，而所述遮罩以所述中轴线为转轴且相对于所述3d基板转动。3.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述遮罩静止不动，而所述3d基板以所述中轴线为转轴且相对于所述遮罩转动。4.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板与所述遮罩皆以所述中轴线为转轴而彼此相对转动。5.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述溅镀靶材为方形或圆形平面。6.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板面对所述遮罩的表面为凸面。7.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板面对所述遮罩的表面为凹面。8.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板、所述遮罩以及所述溅镀靶材的中心配置于所述中轴线。9.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中所述3d基板的表面由不同深度平面、不规则平面或曲面构成。10.如权利要求1所述之圆心对称型3d基板镀膜方法，其特征在于，其中根据所述3d基板的形状与尺寸而设计所述遮罩的所述中央开口，以利用所述遮罩修正所述3d基板的表面上各位置的膜厚分布。

技术总结
本发明提供一种圆心对称型3D基板镀膜方法，包含：将一3D基板、一遮罩以及一溅镀靶材配置于一中轴线上，其中所述遮罩具有一中央开口且配置于所述3D基板与所述溅镀靶材之间，而所述3D基板具有一圆形截面；以及以所述中轴线为转轴，使所述遮罩与所述3D基板相对转动，并执行一溅镀步骤，以让所述溅镀靶材的物质溅射并通过所述中央开口而沉积到所述3D基板上。通过所述中央开口而沉积到所述3D基板上。通过所述中央开口而沉积到所述3D基板上。


技术研发人员：吴景扬 高维笛 简昆峰 周宗震
受保护的技术使用者：业成光电（深圳）有限公司 业成光电（无锡）有限公司 英特盛科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.07
技术公布日：2022/3/8