发声装置的制作方法

1.本技术涉及电子设备技术领域，更具体地，涉及一种发声装置。


背景技术：

2.目前，发声装置在人们的日常生活中随处可见，并且随着科技的不断进步，人们对于发声装置的音质也提出了更高的要求。现有的发声装置例如tws耳机通常需要将喇叭和电池设在同一个壳体内，喇叭的永磁体与线圈配合工作时周围会产生磁场，而磁场会干扰电池的工作稳定性，电池在工作时的稳定性一旦降低，发声装置的工作稳定性会受到影响，发声装置的音质也会大打折扣，不仅会对电池造成影响，而且还会降低用户的体验度。
3.因此，需要一种新的技术方案，以解决上述问题。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种发声装置，所述发声装置具有工作稳定性高，音质好的有点。
5.根据本技术的实施例的发声装置，包括：壳体，所述壳体内限定有安装腔室；发声单体，所述发声单体设于所述安装腔室内；电源，所述电源设于所述安装腔室内并邻近所述发声单体设置；蔽磁部，所述蔽磁部设在所述发声单体和所述电源之间，所述蔽磁部的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯。
6.根据本技术的一些实施例，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述蔽磁部形成为设于所述上盖的至少一侧的蔽磁材料层。
7.根据本技术的一些实施例，所述上盖具有与所述电源正对设置的中心部，所述中心部靠近所述发声单体的一侧设有朝向所述电源方向凹陷的沉槽，所述蔽磁材料层设于所述沉槽内。
8.根据本技术的一些实施例，所述蔽磁材料层的厚度小于等于所述沉槽的深度。
9.根据本技术的一些实施例，所述蔽磁材料层为spcc隔磁材料层或纳米隔磁材料层。
10.根据本技术的一些实施例，所述蔽磁部包括第一蔽磁材料层和第二蔽磁材料层，所述第一蔽磁材料层和所述第二蔽磁材料层设于所述中心部的同一侧或不同侧。
11.根据本技术的一些实施例，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述上盖包括中心部，所述中心部的两侧形成所述漏磁区域，所述蔽磁部设于所述中心部的一侧；连接部，所述连接部设于所述中心部的外周缘，所述连接部与所述壳体连接，所述中心部与所述蔽磁部的总厚度大于所述连接部的厚度。
12.根据本技术的一些实施例，所述上盖为一体成型的spcc材料件。
13.根据本技术的一些实施例，所述连接部的厚度为所述中心部与所述蔽磁部的总厚度的50％-70％。
14.根据本技术的一些实施例，所述中心部与所述蔽磁部为一体成型的spcc材料件，
所述连接部为注塑件。
15.根据本技术的一些实施例，所述中心部的外周设有多个沿其周向间隔开分布的插接部，所述连接部设有与所述插接部的位置相对应的插槽，所述插接部插接于所述插槽。
16.根据本技术的一些实施例，所述隔磁部与所述连接部注塑连接或粘接。
17.根据本技术的一些实施例，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述上盖包括：中心部，所述中心部与所述电源正对设置；连接部，所述连接部设于所述中心部的外周缘，所述连接部与所述壳体连接，所述连接部上设有围绕所述中心部设置的出声孔；金属网布，所述金属网布盖设于所述出声孔外侧。
18.根据本技术的一些实施例，所述出声孔为多个并围绕所述中心部的周向方向间隔分布，所述金属网布形成为环形并覆盖所述出声孔。
19.根据本技术实施例的发声装置，通过在发声单体和电源之间设置蔽磁部，可以控制蔽磁部的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯，从而会减少发声单体的磁路系统产生的磁场对电源工作稳定性的影响，同时也能减少电源对于发声单体的性能的影响，进而可以提升发声装置的发声稳定性，提升发声装置的音质效果。
20.通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
21.被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。
22.图1是根据本技术实施例的发声装置的剖视图；
23.图2是根据本技术实施例的发声装置的发声单体的示意图；
24.图3是根据本技术实施例一的发声装置的上盖的结构示意图；
25.图4是根据本技术实施例一的发声装置的上盖的爆炸图；
26.图5是根据本技术实施例一的发声装置的上盖的剖视图；
27.图6是根据本技术实施例二的发声装置的上盖的结构示意图；
28.图7是根据本技术实施例二的发声装置的上盖的剖视图；
29.图8是根据本技术实施例三的发声装置的上盖的结构示意图；
30.图9是根据本技术实施例三的发声装置的上盖的爆炸图；
31.图10是根据本技术实施例三的发声装置的上盖的剖视图；
32.图11是根据本技术实施例四的发声装置的上盖的爆炸图；
33.图12是根据本技术实施例四的发声装置的上盖的剖视图。
34.附图标记：
35.发声装置100；
36.壳体10；安装腔室11；
37.发声单体20；上盖21；中心部211；沉槽2111；
38.连接部212；出声孔2121；
39.插接部213；插槽214；金属网布215；
40.下盖22；
41.电源30；
42.蔽磁部40；第一蔽磁材料层41；第二蔽磁材料层42。
具体实施方式
43.现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
44.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。
45.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
46.在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
47.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
48.下面结合附图具体描述根据本技术实施例的发声装置100。
49.如图1至图12所示，根据本技术实施例的发声装置100包括：壳体10、发声单体20、电源30和蔽磁部40。
50.具体而言，如图1所示，壳体10内限定有安装腔室11，发声单体20设于安装腔室11内，电源30设于安装腔室11内并邻近发声单体20设置，蔽磁部40设在发声单体20和电源30之间，蔽磁部40的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯。
51.换言之，根据本技术实施例的发声装置100主要由壳体10、发声单体20、电源30以及能够屏蔽磁场的蔽磁部40组成。其中，壳体10为发声装置100的外部结构，例如发声装置100可以为tws(true wireless stereo，真正无线立体声)耳机，此时，壳体10为耳机的外壳。壳体10的内部可以限定有安装腔室11，发声单体20和电源30均设置在安装腔室11内，并且两者邻近设置。同时，在发声单体20和电源30之间还设有蔽磁部40，并且蔽磁部40的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯。
52.需要说明的是，蔽磁部40可以为设于发声单体20和电源30之间的具有屏蔽磁场效果的结构，由于蔽磁部40仅仅只是屏蔽一部分磁场，而不能完全阻隔磁场，因此，在蔽磁部40的两侧均形成有漏磁区域(如图2所示a区域)。漏磁区域的导磁密度可以用于判断发声单体20在工作时所产生的磁场对于电源30所产生的影响的程度，或者电源30所产生的磁场对于发声单体20所产生的影响的程度。
53.蔽磁部40与发声单体20和电源30中能够产生磁场的位置相对应，由此使得蔽磁部40能够最大程度的屏蔽发声单体20和电源30在工作时所产生的磁场，从而可以控制漏磁区域的导磁密度，从而可以降低发声单体20的磁场对电源30的工作稳定性的影响，以达到提升发声装置的音质的效果。控制漏磁区域的导磁密度的方法可以通过调节蔽磁部40的材质或者结构来实现。
54.需要进行说明的是，安装腔室11可以包括一个整体的安装空间，发声单体20和电源30分别安装在安装腔室内并邻近设置，蔽磁部40设在发声单体20和电源30之间。此外，安
装腔室11也可以包括两个独立的腔体，发声单体20和电源30分别收纳至不同的腔体内，蔽磁部40可以设在两个独立腔体之间。进一步地，蔽磁部40的漏磁区域的导磁密度可以为2000高斯、1500高斯和1000高斯等。
55.根据本技术实施例的发声装置100在工作时，发声单体20产生的磁场能够被蔽磁部40有效地阻挡，从而降低发声单体20工作时的磁场对电源30的影响。并且通过将蔽磁部40的漏磁区域的导磁密度设置为小于等于2300高斯，从而可以确保发声单体20产生的磁场对电源30工作稳定性的影响在可控范围内，以达到保证发声装置100的音质的效果。
56.由此，根据本技术实施例的发声装置100，通过在发声单体20和电源30之间设置蔽磁部40，可以控制蔽磁部40的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯，从而减少发声装置100在工作时发声单体20与电源30之间的电磁干扰，提高电源30和发声装置100的稳定性，保证发声装置100的音质。
57.下面对蔽磁部40的具体结构进行详细说明。
58.实施例一
59.如图3至图5所示，根据本技术的一个实施例，发声单体20靠近电源30的一侧设有上盖21，蔽磁部40形成为设于上盖21的至少一侧的蔽磁材料层。
60.也就是说，发声单体20还包括外壳，外壳安装在安装腔室11内。其中，外壳包括相互配合的上盖21和下盖22，上盖21设在发声单体20和电源30之间蔽磁部40设于上盖21的一侧或者两侧以屏蔽发声单体20产生的磁场，蔽磁部40可以为相对于上盖21独立设置的蔽磁结构，在装配时，只需要将蔽磁部40安装于上盖21，再将上盖21与下盖22进行装配即可。
61.由此，通过在上盖21上增加独立设置的蔽磁部40，无需对现有的发声装置100的结构进行改动，只需要在装配时增加结构匹配的蔽磁部40即可达到屏蔽磁场的效果，改动成本小。
62.在本技术的一些具体实施方式中，上盖21具有与电源30正对设置的中心部211，中心部靠近发声单体20的一侧设有朝向电源30方向凹陷的沉槽2111，蔽磁材料层设于沉槽2111内。
63.具体地，如图3和图4所示，上盖21可以为圆形结构，上盖21的中心部分构成中心部211，中心部211设有从上盖21的一侧向另一侧凹陷的沉槽2111，该沉槽2111内设有蔽磁部40。
64.其中需要说明的是，上盖21的中心部211以及设于中心部211的沉槽2111可以为现有的发声装置的上盖所具有的结构，本技术通过在该现有的沉槽2111内设置蔽磁部40，既方便蔽磁部40的安装，又不会影响上盖21的原有装配结构。
65.根据本技术的一些实施例，蔽磁材料层的厚度小于等于沉槽2111的深度。由此，通过控制蔽磁材料层的厚度，在保证蔽磁效果的情况下，可以进一步减小蔽磁部40对于现有的发声装置的装配结构的影响，不会增加产品的厚度。
66.在本技术的一些具体实施方式中，蔽磁部40包括第一蔽磁材料层41和第二蔽磁材料层42，第一蔽磁材料层41和第二蔽磁材料层42设于中心部211的同一侧或不同侧。
67.具体地，如图3所示，上盖21朝向发声单体20的一侧设有第一蔽磁材料层41，第一蔽磁材料层41设于沉槽2111内，上盖21朝向电源30的一侧设有第二蔽磁材料层52，并且第二蔽磁材料层42的位置与第一蔽磁材料层41的位置相对应，从而可以更好的控制蔽磁效
果。
68.根据本技术的一些实施例，蔽磁材料层为spcc隔磁材料层或纳米隔磁材料层。考虑到装配空间以及成本问题，第一蔽磁材料层41可以为spcc隔磁材料层，该材料层的厚度可以根据沉槽2111的厚度来调整，并且厚度较大，因此可以选用成本较低的spcc材料，而第二蔽磁材料层42则需要严格控制厚度，因此优选纳米隔磁材料层。
69.由此，通过根据上盖21两侧不同的结构，选择不同尺寸和材料的蔽磁材料层，可以在保证蔽磁效果的情况下，进一步控制成本。
70.实施例二
71.如图6和图7所示，根据本技术的一些实施例，发声单体20靠近电源30的一侧设有上盖21，上盖21包括中心部211和连接部212。
72.中心部211的两侧形成漏磁区域，蔽磁部40设于中心部的一侧。连接部212设于中心部的外周缘，连接部212与壳体10连接，中心部211与蔽磁部40的总厚度大于连接部212的厚度。
73.换句话说，在本实施例中，发声单体20包括外壳，外壳包括相互的配合的上盖21和下盖22，上盖21靠近电源30设置。蔽磁部40不是一个独立的蔽磁结构，而是与上盖21设置为一体的结构，该蔽磁部40通过直接设置在中心部211上，使得无需另外再装配蔽磁部40，可以在保证蔽磁效果的同时，无需增加发声装置100的装配工序。
74.根据本技术的一些实施例，上盖21为一体成型的spcc材料件。可选地，连接部212的厚度为中心部与蔽磁部40的总厚度的50％-70％。由此，可以在满足结构牢固性能的要求下进一步提升蔽磁部40的蔽磁效果。
75.具体地，在本实施例中，蔽磁部40与上盖21为一个整体结构，其中，上盖21可以由spcc材质四周压薄后再拉伸为所需形状，中间区域维持原始料厚度以增加蔽磁效果，即中间区域形成为由蔽磁部40和中心部211组成的结构，四周区域压薄以增加空间以形成出声孔，并且形成与壳体10装配的连接结构。
76.由此，该结构的上盖21制备方便，在保证蔽磁效果的同时，无需另外增加装配结构，也不会影响发声装置100的厚度。
77.实施例三
78.如图8至图10所示，根据本技术的一些实施例，中心部211与蔽磁部40为一体成型的spcc材料件，连接部212为注塑件。
79.其中需要说明的是，本实施例与实施例二的区别在于，实施例二中上盖21为整体一体成型的结构，而在本实施例中，中心部211仅仅与蔽磁部40一体成型，而中心部211与连接部212由不同材质所构成。
80.在本实施例中，通过将连接部212设计为注塑件，注塑件成型方式简单，并且可以根据产品需要，形成形状比较复杂的结构，从而满足更多产品需求。
81.根据本技术的一些实施例，中心部211的外周设有多个沿其周向间隔开分布的插接部213，连接部212设有与插接部213的位置相对应的插槽214，插接部213插接于插槽214。
82.如图9所示，中心部211的外周面设有多个插接部213，多个插接部213间隔开均匀分布，连接部212上设有对应的插槽214，通过插接部213与插槽214的配合，可以提高中心部211与连接部212的连接稳定性。
83.在本技术的一些具体实施方式中，中心部211与连接部212注塑连接或粘接。该成型方式简单可行，便于推广使用。
84.实施例四
85.如图11和图12所示，根据本技术的一些实施例，发声单体20靠近电源30的一侧设有上盖21，上盖21包括：中心部211、连接部212和金属网布215。
86.中心部211与电源30正对设置，连接部212设于中心部211的外周缘，连接部212与壳体10连接，连接部212上设有围绕中心部211设置的出声孔2121，金属网布215设于出声孔2121外侧。
87.根据本技术的一些实施例，出声孔2121为多个并围绕中心部211的周向方向间隔分布，金属网布215形成为环形并覆盖出声孔2121。
88.具体地，金属网布215可以为由隔磁金属编制成网状或者刻蚀成网状，金属网布215为环形结构，可以环绕中心部211设置。可选地，金属网布215可以通过粘接或激光熔接的方式与连接部212装配在一起。
89.其中需要说明的是，金属网布215也可以应用于上述实施例一、实施例二以及实施例三所形成的上盖21中。
90.由此，通过设置金属网布215，可以进一步提高上盖21的隔磁效果，从而进一步改善发声装置100的音效。
91.需要进行说明的是，本技术中的蔽磁部40的结构设计形式并不仅限于上述具体实施例中的呈现形式。例如，在本技术的一个可选的实施例中，发声单体20具有第一外壳，电源30具有第二外壳，蔽磁部40设在第一外壳和第二外壳之间，且蔽磁部40与壳体10连接，由此也可以起到蔽磁的作用，防止发声单体20中的磁路系统的磁场对电源30的正常工作产生影响，提升发声装置100的工作稳定性。
92.总而言之，根据本技术实施例的发声装置100，通过在发声单体20和电源30之间设置不同结构的蔽磁部40，蔽磁部40的结构可以根据不同产品需要进行合理设计，从而减少发声装置100在工作时发声单体20与电源30之间的电磁干扰，提高电源30和发声装置100的稳定性，保证发声装置100的音质。
93.虽然已经通过例子对本技术的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本技术的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本技术的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本技术的范围由所附权利要求来限定。

技术特征：
1.一种发声装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体内限定有安装腔室；发声单体，所述发声单体设于所述安装腔室内；电源，所述电源设于所述安装腔室内并邻近所述发声单体设置；蔽磁部，所述蔽磁部设在所述发声单体和所述电源之间，所述蔽磁部的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述蔽磁部形成为设于所述上盖的至少一侧的蔽磁材料层。3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述上盖具有与所述电源正对设置的中心部，所述中心部靠近所述发声单体的一侧设有朝向所述电源方向凹陷的沉槽，所述蔽磁材料层设于所述沉槽内。4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述蔽磁材料层的厚度小于等于所述沉槽的深度。5.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述蔽磁材料层为spcc隔磁材料层或纳米隔磁材料层。6.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述蔽磁部包括第一蔽磁材料层和第二蔽磁材料层，所述第一蔽磁材料层和所述第二蔽磁材料层设于所述中心部的同一侧或不同侧。7.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述上盖包括：中心部，所述中心部的两侧形成所述漏磁区域，所述蔽磁部设于所述中心部的一侧；连接部，所述连接部设于所述中心部的外周缘，所述连接部与所述壳体连接，所述中心部与所述蔽磁部的总厚度大于所述连接部的厚度。8.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述上盖为一体成型的spcc材料件。9.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述连接部的厚度为所述中心部与所述蔽磁部的总厚度的50％-70％。10.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述中心部与所述蔽磁部为一体成型的spcc材料件，所述连接部为注塑件。11.根据权利要求10所述的发声装置，其特征在于，所述中心部的外周设有多个沿其周向间隔开分布的插接部，所述连接部设有与所述插接部的位置相对应的插槽，所述插接部插接于所述插槽。12.根据权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述中心部与所述连接部注塑连接或粘接。13.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声单体靠近所述电源的一侧设有上盖，所述上盖包括：中心部，所述中心部与所述电源正对设置；连接部，所述连接部设于所述中心部的外周缘，所述连接部与所述壳体连接，所述连接部上设有围绕所述中心部设置的出声孔；金属网布，所述金属网布盖设于所述出声孔外侧。
14.根据权利要求13所述的发声装置，其特征在于，所述出声孔为多个并围绕所述中心部的周向方向间隔分布，所述金属网布形成为环形并覆盖所述出声孔。

技术总结
本申请公开了一种发声装置，包括：壳体，所述壳体内限定有安装腔室；发声单体，所述发声单体设于所述安装腔室内；电源，所述电源设于所述安装腔室内并邻近所述发声单体设置；蔽磁部，所述蔽磁部设在所述发声单体和所述电源之间，所述蔽磁部的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯。根据本申请实施例的发声装置，通过在发声单体和电源之间设置蔽磁部，可以控制蔽磁部的漏磁区域的导磁密度小于等于2300高斯，从而会减少发声单体的磁路系统产生的磁场对电源工作稳定性的影响，同时也能减少电源对于发声单体的性能的影响，进而可以提升发声装置的发声稳定性，提升发声装置的音质效果。提升发声装置的音质效果。提升发声装置的音质效果。


技术研发人员：任超 李杰 郭晓冬
受保护的技术使用者：歌尔股份有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8