本发明涉及光纤通信的,尤其涉及的是一种非接触式光纤连接器及其制作方法。
背景技术:
1、非接触式光纤连接器能够通过控制光纤对接间隙大小(一般在um),提高光纤之间的对接质量,进而减少插拔过程脏污、碎屑对光纤传输的干扰。非接触式光纤连接器的工作原理是通过特殊加工工艺来精确控制对接面插芯光纤的凹陷深度,在这个极小的空气隙内,光信号仍然可以通过全反射原理有效地从一根光纤耦合到另一根光纤中。为了进一步提高连接效率和稳定性,此类连接器通常会采用抗反射镀膜技术来抑制空气与光纤界面处的反射,从而确保更高的连接损耗性能和更稳定的连接状态。非接触的设计还增强了连接器在恶劣环境下的耐用性和可靠性,比如减少灰尘、油污等对连接性能的影响,并且可以容忍一定程度的端面不平整或者轻微位移。
2、在现有技术中,非接触式光纤连接器的加工制作流程是:点胶→穿纤→研磨→光纤凹陷研磨→镀膜→组装→测试,光纤凹陷的深度由光纤凹陷研磨工序控制。光纤凹陷的加工是一个精密的工艺,需要一定的技术和设备,目前光纤凹陷是通过辅助设备进行研磨得到,而这种方式会造成光纤凹陷范围公差大的问题,经测试该公差约为±300nm的误差范围,如图1所示,通过研磨方式制得的光纤凹陷呈v状,底部不平整,光线的粗糙度也比较大,从而影响光信号传输。
3、因此,现有技术还有待改进和发展。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种非接触式光纤连接器及其制作方法,旨在解决现有的光纤连接器采用人工研磨的方式,导致制得的光纤凹陷范围公差大、凹陷形状不理想以及粗糙度较大,从而影响光信号传输的问题。
2、第一方面,本申请提供一种非接触式光纤连接器的制作方法,采用如下的技术方案:
3、一种非接触式光纤连接器的制作方法,所述方法包括:
4、将胶水注入插芯的内孔;
5、将光纤穿入所述插芯的内孔中;
6、对所述插芯的端面进行研磨,并对所述光纤以及研磨后的所述插芯通过等离子刻蚀技术进行加工,以使得所述光纤的端面凹陷于所述插芯的端面;
7、对加工后的所述插芯和所述光纤进行镀膜;
8、将镀膜后的所述插芯、所述光纤与壳体组装,以得到所述非接触式光纤连接器。
9、进一步地,所述对所述插芯和所述光纤通过等离子刻蚀技术进行加工的步骤,包括:
10、通过离子束轰击所述插芯和所述光纤的端面;
11、根据所述光纤凹陷于所述插芯的深度对所述离子束轰击的能量、速度以及时间进行控制。
12、进一步地,所述对所述插芯和所述光纤通过等离子刻蚀技术进行加工的步骤,还包括:
13、通过等离子刻蚀技术还可以控制所述光纤凹陷于所述插芯的形状;
14、根据所述光纤凹陷于所述插芯的形状对所述离子束轰击的能量、时间、速度和方向进行控制。进一步地,所述离子束由,空心阴极离子源通过气体放电、电子碰撞或者激光方式将原子或分子离子化产生。
15、进一步地,所述光纤凹陷于所述插芯的深度范围是-100nm~+100nm。
16、进一步地,所述光纤凹陷于所述插芯的形状呈u形。
17、进一步地,所述光纤凹陷于所述插芯的粗糙度的范围是5~20nm。
18、进一步地,所述将镀膜后的所述插芯、所述光纤与壳体组装之前,还包括以下步骤:
19、对所述插芯和所述光纤的端面进行检测,判断所述光纤凹陷于所述插芯的形状及深度是否符合预期。
20、进一步地,所述对所述插芯和所述光纤的端面进行检测的步骤,包括:
21、利用放大设备对所述插芯和所述光纤的端面进行检查,判断所述光纤凹陷于所述插芯的形状是否符合预设形状;
22、利用测量仪器对所述光纤凹陷于所述插芯的深度进行测量,判断是否符合预设深度值。
23、第二方面,本申请还提供一种非接触式光纤连接器,采用如下的技术方案:
24、一种非接触式光纤连接器,通过如上所述的非接触式光纤连接器的制作方法制备获得。
25、本发明的有益效果:
26、本发明提供一种非接触式光纤连接器及其制作方法,所述方法包括:将胶水注入插芯的内孔;将光纤穿入所述插芯的内孔中;对所述插芯的端面进行研磨,并对所述光纤以及研磨后的所述插芯通过等离子刻蚀技术进行加工,以使得所述光纤的端面凹陷于所述插芯的端面;对加工后的所述插芯和所述光纤进行镀膜;将镀膜后的所述插芯、所述光纤与壳体组装,以得到所述非接触式光纤连接器。本申请通过等离子刻蚀技术对插芯端面进行刻蚀,代替传统的研磨加工方式,不仅操作简单,且加工精度更高,在符合iec端面标准的基础上,形成的光纤凹陷一致性更好,改善了光纤耦接及传输稳定性,光纤粗糙度也进一步降低,更使得光信号的传输损耗减小,传输效果更好。
1.一种非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述对所述插芯和所述光纤通过等离子刻蚀技术进行加工的步骤,包括:
3.根据权利要求2所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述对所述插芯和所述光纤通过等离子刻蚀技术进行加工的步骤,还包括:
4.根据权利要求3所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述离子束由,空心阴极离子源通过气体放电、电子碰撞或者激光方式将原子或分子离子化产生。
5.根据权利要求3所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述光纤凹陷于所述插芯的深度范围是-100nm~+100nm。
6.根据权利要求3所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述光纤凹陷于所述插芯的形状呈u形。
7.根据权利要求3所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述光纤凹陷于所述插芯的粗糙度的范围是5~20nm。
8.根据权利要求1所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述将镀膜后的所述插芯、所述光纤与壳体组装之前,还包括以下步骤:
9.根据权利要求8所述的非接触式光纤连接器的制作方法,其特征在于,所述对所述插芯和所述光纤的端面进行检测的步骤,包括:
10.一种非接触式光纤连接器,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的非接触式光纤连接器的制作方法制备获得。