发光二极管及发光二极管制备方法与流程

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管制备方法。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体器件，具有节能、高亮度、耐久性高、寿命长和重量轻等优势，已经在照明和显示等领域得到广泛应用。

2、相关技术提供了一种发光二极管，发光二极管结构包括外延结构和反射层，反射层优劣会直接影响led的亮度。

3、使用传统工艺制备反射层，反射层稳定性差，对于光线的反射率低，导致led的亮度低。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法，能够使得发光二极管银镜结构中的反射层稳定性提高，增加反射层对于光线的反射率，提高了led的发光亮度。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延结构和反射层；

3、所述反射层覆盖所述外延结构；所述反射层包括依次层叠的第一膜层组、第二膜层组和第三膜层组，所述第一膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层，所述第一材料子层折射率低于所述第二材料子层折射率，所述第二膜层组包括依次层叠的第一黏附层、高反射层、保护层和第二黏附层，所述第三膜层组包括依次交替层叠的所述第一材料子层和所述第二材料子层。

4、可选地，所述第一膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为10～25，所述第三膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为2～10。

5、可选地，所述第一材料子层为氧化硅子层，所述第二材料子层为氧化钛子层。

6、可选地，所述第一膜层组中所述第一材料子层厚度大于所述第二材料子层的厚度；所述第三膜层组中所述第一材料子层厚度小于所述第二材料子层的厚度。

7、可选地，所述第一膜层组中所述第一材料子层厚度为1000～4000埃，所述第二材料子层厚度为50～800埃；所述第三膜层组中所述第一材料子层厚度为50～800埃，所述第二材料子层厚度为1000～4000埃。

8、可选地，所述第一黏附层为ti层，所述高反射层为ag层，所述保护层为ni层，所述第二黏附层为tiw层。

9、另一方面，一种发光二极管制备方法，所述方法包括：

10、制作外延结构；

11、在所述外延结构上制作反射层，所述反射层包括依次层叠的第一膜层组、第二膜层组和第三膜层组，所述第一膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层，所述第一材料子层折射率低于所述第二材料子层折射率，所述第二膜层组包括依次层叠的第一黏附层、高反射层、保护层和第二黏附层，所述第三膜层组包括依次交替层叠的所述第一材料子层和所述第二材料子层。

12、可选地，所述第一膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为10～25，所述第三膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为2～10。

13、可选地，所述第一膜层组中所述第一材料子层厚度大于所述第二材料子层的厚度；所述第三膜层组中所述第一材料子层厚度小于所述第二材料子层的厚度。

14、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

15、在本公开实施例中，发光二极管中的反射层使用三个膜层组堆叠结构，其中，第一膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层，第一材料子层折射率低于第二材料子层折射率，使用上述第一材料子层和第二材料子层构成的第一膜层组能够对特定波段光线的反射率较高；第二膜层组包括依次层叠的第一黏附层、高反射层、保护层和第二黏附层，其中，通过上述金属叠层一方面能够对全波段光线的反射率较高，从而将未被第一膜层组反射的光进行二次反射，另一方面能够保证与第一膜层组和第三膜层之间的粘附效果；第三膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层，使用上述第一材料子层和第二材料子层构成的第三膜层组能够有效保护第二膜层组，并且能够对第一膜层组和第二膜层组起补充反射作用。上述三个膜层组使得反射层稳定性提高，增加反射层对于光线的反射率，提高了led的发光亮度。

技术特征：

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构(1000)和反射层(107)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层组(200)中第一材料子层(201)和第二材料子层(202)的层叠周期数为10～25，所述第三膜层组(400)中第一材料子层(201)和第二材料子层(202)的层叠周期数为2～10。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一材料子层(201)为氧化硅子层，所述第二材料子层(202)为氧化钛子层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层组(200)中所述第一材料子层(201)厚度大于所述第二材料子层(202)的厚度；所述第三膜层组(400)中所述第一材料子层(201)厚度小于所述第二材料子层(202)的厚度。

5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层组(200)中所述第一材料子层(201)厚度为1000～4000埃，所述第二材料子层(202)厚度为50～800埃；所述第三膜层组(400)中所述第一材料子层(201)厚度为50～800埃，所述第二材料子层(202)厚度为1000～4000埃。

6.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一黏附层(301)为ti层，所述高反射层(302)为ag层，所述保护层(303)为ni层，所述第二黏附层(304)为tiw层。

7.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一黏附层(301)厚度为5～1000埃，所述高反射层(302)厚度为500～2000埃，所述保护层(303)厚度为200～1000埃，所述第二黏附层(304)厚度为5～1000埃。

8.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述第一膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为10～25，所述第三膜层组中第一材料子层和第二材料子层的层叠周期数为2～10。

10.根据权利要求8或9所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述第一膜层组中所述第一材料子层厚度大于所述第二材料子层的厚度；所述第三膜层组中所述第一材料子层厚度小于所述第二材料子层的厚度。

技术总结
本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。该发光二极管包括：外延结构和反射层；反射层包括依次层叠的第一膜层组、第二膜层组和第三膜层组，第一膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层，第一材料子层折射率低于第二材料子层折射率，第二膜层组包括依次层叠的第一黏附层、高反射层、保护层和第二黏附层，第三膜层组包括依次交替层叠的第一材料子层和第二材料子层。

技术研发人员：吴俊磊,秦双娇,尹潇潇,刘建森,应丹青,刘传桂,夏章艮,高艳龙
受保护的技术使用者：京东方华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5