用于形成电路层的方法、生成裸片位置检查文件的方法及面板级半导体封装方法与流程

本申请涉及一种用于制造电子模块的面板级半导体封装方法。本申请还涉及一种用于形成所述电子模块的电路层的方法。本申请还涉及在所述面板级半导体封装方法中的一种生成裸片位置检查(die location check,dlc)文件的方法，用于检测半导体裸片在重构面板中的真实位置。

背景技术：

1、当前的面板级半导体封装方法面临着严峻挑战，即在重构面板中半导体裸片会偏移其设计位置。所述偏移可能在多个工艺中发生，例如在将半导体裸片键合到面板上时，以及形成将半导体裸片封装在面板上的模塑层。这种偏移将使后续工艺变得困难，例如在重构面板上形成电路层。

技术实现思路

1、因此，本申请公开了一种用于形成电路层的方法、生成裸片位置检查文件的方法及面板级半导体封装方法，用于解决由于半导体裸片在重构面板中偏移给后续工艺带来的问题。

2、作为本申请的第一方面，公开了一种用于在电子模块的多个半导体器件上形成电路层的方法。所述方法包括：生成裸片位置检查(dlc)文件，包括在重构面板中的半导体器件的真实位置；提取设计电路文件，具有所述半导体器件的设计位置；通过所述dlc文件，将所述设计电路文件转换为适配电路文件，其中，所述转换包括将所述设计位置和所述真实位置对齐；以及根据所述适配电路文件，在所述真实位置上形成电路层。

3、作为本申请的第二方面，公开了一种生成裸片位置检查(dlc)文件的方法，用于确定用于电子模块的重构面板中的多个半导体器件的真实位置。所述方法包括：进行键合后检查，用于在形成所述重构面板之前检查键合在标记载体上的半导体器件；形成一模塑层，用于封装安装在所述标记载体上的半导体器件，从而形成所述重构面板；以及确定所述重构面板中的半导体器件的真实位置。

4、作为本申请的第三方面，公开了一种用于制造多个电子模块的面板级半导体封装方法。所述方法包括：提供一标记载体；将多个半导体器件对准并键合到所述标记载体上；形成一模塑层，用于形成重构面板；将所述重构面板从所述标记载体上分离，然后将所述重构面板转移至一承载板；进行本申请的第一方面所述的方法，用于在所述重构面板中的半导体器件上形成电路层；在所述电路层上形成外部连接层；以及将所述重构面板和外部连接层分割成单独的电子模块。

技术特征：

1.一种用于在电子模块的多个半导体器件上形成电路层的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述设计电路文件转换为所述适配电路文件包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述设计电路坐标系和所述dlc坐标系对齐包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述电子模块包括多芯片模块mcm，并且所述dlc原点被配置为所述mcm的一选定半导体裸片的裸片中心。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述电子模块包括多芯片模块mcm，并且所述dlc原点被配置为所述mcm的几何中心。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述dlc参考点被配置为所述dlc坐标系的x轴或y轴与所选定的半导体裸片的裸片轮廓的交点。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述适配电路文件包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体器件包括半导体裸片，并且通过以下方式进行所述键合后检查：

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体器件包括半导体裸片，并且通过以下方式进行所述键合后检查：

11.一种生成裸片位置检查dlc文件的方法，用于确定用于电子模块的重构面板中的多个半导体器件的真实位置，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一裸片参考点和所述第二裸片参考点如下确定：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电子模块是具有至少两个半导体裸片的多芯片模块mcm，并且确定所述半导体裸片的真实位置包括仅确定所述电子模块的一选定半导体裸片的真实位置。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电子模块是具有至少两个半导体裸片的多芯片模块mcm，并且确定所述半导体裸片的真实位置包括确定所述电子模块的所有半导体裸片的真实位置。

16.一种用于制造多个电子模块的面板级半导体封装方法，包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述半导体器件包括半导体裸片和无源封装件。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述无源封装件如下形成：

19.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述半导体裸片对准并键合到所述标记载体上包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，

技术总结
本申请公开了一种用于形成电路层的方法、生成裸片位置检查文件的方法及面板级半导体封装方法，包括生成裸片位置检查(DLC)文件，包括在重构面板中的半导体器件的真实位置；提取设计电路文件，具有所述半导体器件的设计位置；通过所述DLC文件，将所述设计电路文件转换为适配电路文件，其中，所述转换包括将所述设计位置和所述真实位置对齐；以及根据所述适配电路文件，在所述真实位置上形成电路层。本申请公开的生成裸片位置检查(DLC)文件的方法，用于确定重构面板中的多个半导体器件的真实位置。

技术研发人员：周辉星,穆尼拉希南·森蒂尔·库马尔
受保护的技术使用者：PEP创新私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5