晶片的加工方法和倒角部去除装置与流程

本发明涉及在有效区域和围绕该有效区域的外周的端部具有倒角部的晶片的加工方法以及倒角部去除装置。

背景技术：

1、关于正面上形成有ic、lsi等多个器件被交叉的多条分割预定线划分的器件区域的晶片，在将该晶片的背面磨削而加工成期望的厚度之后，利用切削装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片用于移动电话、个人计算机等电子设备。

2、在晶片的外周形成有倒角部，当对晶片的背面进行磨削而薄化时，该倒角部如刀刃那样变得锐利，存在操作者受伤或者从晶片的外周产生龟裂而损伤器件的问题。

3、因此，本申请人提出了如下的技术：在对晶片的背面进行磨削之前，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于倒角部的内侧而进行照射，在晶片的内部呈环状形成改质层，由此在实施磨削加工时去除倒角部(参照专利文献1)。

4、专利文献1：日本特开2020-088187号公报

5、根据专利文献1所记载的技术，通过磨削加工时施加的外力而去除倒角部，但从晶片脱落的倒角部的碎片会滞留在将包含磨削加工时产生的磨削屑的磨削水排出的排水盘内，必须多次对该排水盘内进行清扫，存在不胜其烦的问题。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法和倒角部去除装置，能够在实施基于磨削装置的磨削加工之前有效地从晶片的外周去除倒角部。

2、根据本发明的一个方面，提供晶片的加工方法，该晶片具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该有效区域与该倒角部的边界部的内部而进行照射，沿着该倒角部而形成改质层；倒角部去除工序，对该晶片的该有效区域进行保持，对该晶片的外周赋予外力而去除该倒角部；以及加工工序，对去除了该倒角部的该晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。

3、优选在该倒角部去除工序中，对晶片的外周赋予的外力是高压空气、高压水、高压空气和高压水的混合流体以及拾取器中的任意方式。优选该晶片是将第一晶片与第二晶片贴合而得的贴合晶片，对该第一晶片实施该改质层形成工序、该倒角部去除工序以及该加工工序。

4、根据本发明的另一方面，提供倒角部去除装置，其从具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部并且沿着该倒角部而形成有改质层的晶片去除该倒角部，其中，该倒角部去除装置具有：保持单元，其具有对该晶片的该有效区域进行保持的保持面；以及倒角部去除单元，其对被该保持单元保持的从该保持面向外侧探出的外周赋予外力而从该有效区域去除倒角部。

5、优选该倒角部去除单元是利用高压空气、高压水、高压空气和高压水的混合流体以及拾取器中的任意方式对外周赋予外力的单元。

6、根据本发明的晶片的加工方法，在对晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度之前，能够有效地从晶片的外周去除倒角部，倒角部不会滞留在实施该加工工序的磨削装置的排水盘中，解决了必须多次对该排水盘进行清扫而不胜其烦的问题。

7、根据本发明的倒角部去除装置，能够在对晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度之前有效地从晶片的外周去除倒角部，倒角部的碎片不会滞留在实施上述晶片的加工方法中的加工工序的磨削装置的排水盘中，解决了必须多次对该排水盘进行清扫而不胜其烦的问题。

技术特征：

1.一种晶片的加工方法，该晶片具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

4.一种倒角部去除装置，其从具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部并且沿着该倒角部而形成有改质层的晶片去除该倒角部，其中，

5.根据权利要求4所述的倒角部去除装置，其中，

技术总结
本发明提供晶片的加工方法和倒角部去除装置，能够在实施基于磨削装置的磨削加工之前有效地从晶片的外周去除倒角部。该晶片的加工方法对具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该有效区域与该倒角部的边界部的内部而进行照射，沿着该倒角部而形成改质层；倒角部去除工序，对该晶片的有效区域进行保持，对晶片的外周赋予外力而去除倒角部；以及加工工序，对去除了该倒角部的晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。

技术研发人员：平田和也,伊贺勇人,田中敬人,水谷彬
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5