半导体装置及制造半导体装置的方法与流程

背景技术：

1、目前的半导体封装体和形成半导体封装体的方法不适当，例如，导致过多成本、可靠性降低或封装大小过大。通过比较常规和传统方法与如在本申请的其余部分中参考图式阐述的本公开，此类方法的另外的限制和缺点将对所属领域的技术人员来说显而易见。

技术实现思路

1、本公开的各个方面涉及一种具有光可限定和/或低损耗角正切电介质层和晶种层的电子装置，从所述晶种层形成多个导电结构(例如，导电图案、导电立柱等)。本公开的各个方面进一步涉及一种用于根据制造方法制造这些电子装置的系统，所述制造方法从包括具有多个半导体组件的多个子面板的面板形成电子装置。所述制造方法可以包含在多个子面板安装到载体面板时对多个子面板以及其相应的半导体组件执行各种操作，以及在子面板已经从载体面板移除之后对子面板执行额外操作。因此，制造方法的各方面可以在面板层级处执行，并且制造方法的其它方面可以在随后的子面板层级处执行。

技术特征：

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电介质层包括光可限定干膜。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电介质层包括非光可限定的电介质材料的干膜。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电介质层具有0.015或更小的损耗角正切。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电介质层在所述电介质层顶侧与所述电介质层底侧之间的厚度大于20μm。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括环绕和接触所述半导体组件的组件横向侧的组件包封物。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括环绕和接触所述半导体组件的组件顶侧和组件横向侧的组件包封物。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述晶种层接触所述半导体组件的所述互连结构。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述衬底在所述导电图案与所述外部互连第一结构之间没有晶种层。

12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于：

14.一种方法，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，包括：

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，包括：

18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：

19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：

20.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，包括：

技术总结
半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置包括衬底和耦合到所述衬底的半导体组件。所述衬底可以包含电介质层、晶种层、导电图案和耦合到所述导电图案的外部互连第一结构。所述电介质层可以包含光可限定电介质材料。所述导电图案和所述外部互连第一结构可以包含使用所述衬底的同一晶种层形成的一个或多个电镀导电层。

技术研发人员：伊昂·欧多乐
受保护的技术使用者：安靠科技葡萄牙公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5