电子装置及其制造方法与流程

本公开是关于一种电子装置及其制造方法，特别是关于一种包括电路结构的电子装置及其制造方法。

背景技术：

1、电子装置包括电子组件以及电路结构。电路结构包括导电层以及绝缘层。于电子装置的制造过程中，电路结构会因为其中的导电层以及绝缘层之间的热膨胀系数差异而破裂、损坏或脱层，进而降低电子装置的可靠性。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施例，提供一种电子装置，其包括：包括芯片以及设置在芯片的活性面的保护层的电子组件；围绕电子组件的封装层；以及接触封装层的第一表面并电性连接电子组件的电路结构，其中保护层具有远离活性面的第二表面，第一表面与第二表面具有介于1～10μm的第一段差。

2、根据本公开的一些实施例，提供一种电子装置的制造方法，包括：提供围绕电子组件的封装层；提供第一导电层及第一导电组件于电子组件及封装层上；对第一导电组件执行第一表面处理制程；提供第一绝缘层于经第一表面处理制程的第一导电组件上；执行平坦化制程；以及执行第二表面处理制程，其中电子组件包括芯片与覆盖芯片的活性面的保护层，保护层具有第二表面，封装层具有第一表面，且第二表面与第一表面相距第一段差，且第一段差介于1～10μm。

3、根据本公开的一些实施例，提供一种电子装置的制造方法，包括：提供围绕至少两个电子组件的封装层；提供第一导电层及第一导电组件于其中一个电子组件以及封装层上；对第一导电组件执行第一表面处理制程；提供第一绝缘层于第一导电层、第一导电组件及另一个电子组件上；在该至少两个电子组件之间形成贯穿封装层的第三开口；形成第二导电层及第二导电组件于另一个电子组件上及第三开口中以电性连接该至少两个电子组件；提供第二绝缘层于第二导电层及第二导电组件上；执行平坦化制程；以及执行第二表面处理制程，其中电子组件包括芯片与覆盖芯片的活性面的保护层，保护层具有第二表面，封装层具有第一表面，且第二表面与第一表面相距第一段差，且第一段差介于1～10μm。

技术特征：

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电路结构包括第一导电层、设置于该第一导电层上的第一导电组件以及设置于该第一导电层以及该第一导电组件上的第一绝缘层，该第一绝缘层围绕该第一导电层以及该第一导电组件，该第一绝缘层的绝缘层表面跟该第一导电组件的导电组件表面具有第二段差。

3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第二段差介于1～15μm。

4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该电子装置进一步包括重叠该第一导电组件的连接组件。

5.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一导电组件的该导电组件表面包括表面凸出部及表面凹陷部，该表面凸出部的波峰与该表面凹陷部的波谷具有第一高度差，该第一高度差介于0.1～5μm。

6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，至少部分该第一绝缘层填入该导电组件表面的该表面凹陷部中。

7.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一导电层跟该封装层之间有容置空间，至少部分该第一绝缘层填入该容置空间。

8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该容置空间的深度介于1～10μm。

9.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

10.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

技术总结
一种电子装置包括：包括芯片以及设置在芯片的活性面的保护层的电子组件；围绕电子组件的封装层；以及接触封装层的第一表面并电性连接电子组件的电路结构，其中保护层具有远离活性面的第二表面，所述第一表面与所述第二表面具有介于1～10μm的第一段差。

技术研发人员：高克毅,郑惟元,王茹立
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5