DC-DC升压电路和驱动电路板的制作方法

本公开涉及显示，具体而言，涉及一种dc-dc升压电路和驱动电路板。

背景技术：

1、在高亮度的液晶显示器、微型发光二极管显示器等显示装置中，经常会用到具有较大功率的dc-dc(直流转直流)升压电路。受限于尺寸、成本等，这些dc-dc升压电路往往采用较小封装的功率mosfet(金属-氧化物半导体场效应晶体管)，且往往无法增加散热器。这使得mosfet面临温度过高的问题。

2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种dc-dc升压电路和驱动电路板，降低功率mosfet的温度。

2、根据本公开的一个方面，提供一种dc-dc升压电路，包括功率mosfet和与所述功率mosfet的控制端电连接的控制模块；

3、所述控制模块被配置为，提供能够控制所述功率mosfet的导通和关断的控制信号；其中，所述控制信号中的高电平信号的电压值为所述功率mosfet的栅源电压的最大额定值的0.5～0.8倍。

4、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块还被配置为，在向所述功率mosfet的控制端提供灌电流时，所述灌电流的最大值不小于0.5a。

5、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元、倒相单元和驱动单元；

6、所述驱动芯片被配置为提供初始控制信号；

7、所述稳压单元被配置为提供驱动电压，所述驱动电压不小于所述控制信号中的高电平信号的电压；

8、所述倒相单元包括第二电阻和第二开关，所述第二电阻的第一端与所述稳压单元的输出端电连接，所述第二电阻的第二端、所述第二开关的第一端与第一节点电连接，所述第二开关的第二端用于加载接地电压；所述第二开关的控制端与所述驱动芯片的输出端电连接；所述第二开关用于响应所述初始控制信号中的高电平信号而导通，且响应所述初始控制信号中的低电平信号而关断；

9、所述驱动单元的第一端与所述稳压单元的输出端电连接，所述驱动单元的第二端用于加载所述接地电压；所述驱动单元的控制端与所述第一节点电连接，所述驱动单元的输出端与所述功率mosfet的控制端电连接；所述驱动单元被配置为，在所述第一节点的电压为低电平时使得所述驱动单元的第一端与所述功率mosfet的控制端之间导通，且在所述第一节点的电压为高电平时使得所述驱动单元的第二端与所述功率mosfet的控制端之间导通。

10、根据本公开的一种实施方式，所述驱动单元包括第三开关和第四开关；

11、所述第三开关的第一端与所述稳压单元的输出端电连接，所述第四开关的第一端用于加载所述接地电压；所述第三开关的控制端和所述第四开关的控制端与所述第一节点电连接，所述第三开关的第二端和所述第四开关的第二端与所述功率mosfet的控制端电连接；

12、所述第三开关被配置为，在所述第一节点上的电压为低电平时导通且在所述第一节点上的电压为高电平时关断；所述第四开关被配置为，在所述第一节点上的电压为高电平时导通且在所述第一节点上的电压为低电平时关断。

13、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块还包括emc抑制电阻，所述emc抑制电阻的一端与所述第一节点电连接，另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

14、根据本公开的一种实施方式，所述第二开关为三极管或者mosfet。

15、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元和驱动单元；

16、所述稳压单元被配置为提供驱动电压，所述驱动电压不小于所述控制信号中的高电平信号的电压；

17、所述驱动芯片被配置为，能够根据所述稳压单元提供的所述驱动电压输出初始控制信号；

18、所述驱动单元的第一端与所述稳压单元的输出端电连接，所述驱动单元的第二端用于加载接地电压；所述驱动单元的控制端被配置为接收所述初始控制信号，所述驱动单元的输出端与所述功率mosfet的控制端电连接；所述驱动单元被配置为，响应所述初始控制信号中的高电平信号而使得驱动单元的第一端与所述功率mosfet之间电导通，且响应所述初始控制信号中的低电平信号而使得驱动单元的第二端与所述功率mosfet之间电导通。

19、根据本公开的一种实施方式，所述驱动单元包括第三开关和第四开关；

20、所述第三开关的第一端与所述稳压单元的输出端电连接，所述第四开关的第一端用于加载所述接地电压；所述第三开关的控制端和所述第四开关的控制端被配置为接收所述初始控制信号，所述第三开关的第二端和所述第四开关的第二端与所述功率mosfet的控制端电连接；

21、所述第三开关被配置为，响应所述初始控制信号中的高电平信号而导通，且响应所述初始控制信号中的低电平信号而截止；

22、所述第四开关被配置为，响应所述初始控制信号中的低电平信号而导通，且响应所述初始控制信号中的高电平信号而截止。

23、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块还包括emc抑制电阻，所述emc抑制电阻的一端用于加载所述初始控制信号，另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

24、根据本公开的一种实施方式，所述第三开关和所述第四开关，为三极管或者mosfet。

25、根据本公开的一种实施方式，所述控制模块包括驱动芯片和稳压单元；

26、所述稳压单元被配置为提供驱动电压，所述驱动电压不小于所述控制信号中的高电平信号的电压；

27、所述驱动芯片被配置为，根据所述驱动电压输出所述控制信号。

28、根据本公开的一种实施方式，所述dc-dc升压电路还包括栅极电阻和二极管；

29、所述栅极电阻的第一端与所述控制模块的输出端电连接，栅极电阻的第二端与所述功率mosfet的控制端电连接；所述二极管的阳极与所述栅极电阻的第二端电连接，所述二极管的阴极与所述栅极电阻的第一端电连接。

30、根据本公开的一种实施方式，所述稳压单元包括第一开关、稳压二极管、第一电阻和滤波子电路；

31、所述第一开关的第一端用于加载输入电压，所述第一开关的第二端与所述稳压单元的输出端电连接；所述第一开关的控制端和所述第一开关的第一端之间连接有第一电阻，所述第一开关的控制端与稳压二极管的阴极电连接，所述稳压二极管的阳极用于加载接地电压；所述滤波子电路与所述稳压单元的输出端电连接。

32、根据本公开的一种实施方式，所述dc-dc升压电路还包括输入端滤波单元、电感、二极管和输出端滤波单元；

33、所述电感的第一端用于加载所述输入电压，且与输入端滤波单元电连接；所述电感的第二端与所述功率mosfet的第一端连接，所述功率mosfet的第二端用于加载所述接地电压；

34、所述二极管的阳极与所述功率mosfet的第一端电连接；所述二极管的阴极与所述dc-dc升压电路的输出端电连接，且与所述输出端滤波单元连接。

35、根据本公开的第二个方面，提供一种驱动电路板，包括上述的dc-dc升压电路。

36、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种dc-dc升压电路，包括功率mosfet和与所述功率mosfet的控制端电连接的控制模块；

2.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块还被配置为，在向所述功率mosfet的控制端提供灌电流时，所述灌电流的最大值不小于0.5a。

3.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元、倒相单元和驱动单元；

4.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路，其中，所述驱动单元包括第三开关和第四开关；

5.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块还包括emc抑制电阻，所述emc抑制电阻的一端与所述第一节点电连接，另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

6.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路，其中，所述第二开关为三极管或者mosfet。

7.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元和驱动单元；

8.根据权利要求7所述的dc-dc升压电路，其中，所述驱动单元包括第三开关和第四开关；

9.根据权利要求7所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块还包括emc抑制电阻，所述emc抑制电阻的一端用于加载所述初始控制信号，另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

10.根据权利要求4或者8所述的dc-dc升压电路，其中，所述第三开关和所述第四开关，为三极管或者mosfet。

11.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路，其中，所述控制模块包括驱动芯片和稳压单元；

12.根据权利要求1～11任意一项所述的dc-dc升压电路，其中，所述dc-dc升压电路还包括栅极电阻和二极管；

13.根据权利要求3～11任意一项所述的dc-dc升压电路，其中，所述稳压单元包括第一开关、稳压二极管、第一电阻和滤波子电路；

14.根据权利要求13任意一项所述的dc-dc升压电路，其中，

15.一种驱动电路板，包括权利要求1～14任意一项所述的dc-dc升压电路。

技术总结
本公开提供一种DC‑DC升压电路和驱动电路板，属于显示技术领域。该DC‑DC升压电路，包括功率MOSFET和与所述功率MOSFET的控制端电连接的控制模块；所述控制模块被配置为，提供能够控制所述功率MOSFET的导通和关断的控制信号；其中，所述控制信号中的高电平信号的电压值为所述功率MOSFET的栅源电压的最大额定值的0.5～0.8倍。该DC‑DC升压电路能够降低功率MOSFET的温度。

技术研发人员：王建亭,万争艳
受保护的技术使用者：北京京东方显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5