一种增加光线聚合的阳极结构及其制备方法与流程
本发明属于微显示，更具体地说，涉及一种增加光线聚合的阳极结构及其制备方法。
背景技术：
1、随着oled技术的不断成熟，oled显示基于自发光原理，在显示效果、响应速度、轻薄性等方面都具备明显的优势，应用于智能手机、电视、笔电、智能穿戴设备等方面。与传统的amoled显示技术相比，micro-oled在vr和ar领域得到广泛的应用，目前主流的vr和ar产品均采用的micro-oled显示屏。
2、特别是对于彩色显示，依靠传统的fmm技术很难实现高分辨率屏体制作。目前实现高分辨率并且彩色化显示主要通过白光oled搭配彩色滤光片的形式实现，该方法中oled发光透过彩色滤光片后会损失50％以上的光，产品难以实现较高的亮度显示。面板行业(如手机)ppi(像素密度)在500左右既可以满足需求，且这个ppi下ffm的制作上是可行的，是可以量产的。不过对于硅基oled而言，ppi要求最低2000以上，这种情况下fmm(精密金属掩模版)制作高分辨率屏体非常困难，无法对应生产。
技术实现思路
1、本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，可以有效减少出光损失，实现较高亮度显示的增加光线聚合的阳极结构及其制备方法。
2、为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种增加光线聚合的阳极结构，包括cmos基板，在cmos基板上设有像素阳极层，在所述像素阳极层上设有ito膜层，其特征在于：彩色滤光片对应的所述ito膜层为半圆形透镜结构。
3、为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
4、红光对应的所述ito膜层厚度大于绿光对应的ito膜层厚度，绿光对应的所述ito膜层厚度大于蓝光对应的ito膜层厚度。
5、一种增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6、步骤1)在cmos基板上成膜像素阳极层(anode)和第一ito膜层；
7、步骤2)在第一ito膜层表面设第一hm层；
8、步骤3)在第一hm层上方进行多次涂胶曝光刻蚀，在第一滤光片对应位置上形成半圆形透镜形貌的第一掩模图案；
9、步骤4)在经步骤3)后的结构上成膜第二ito膜层；
10、步骤5)在第二ito膜层表面设第二hm层；
11、步骤6)在第二hm层上方进行多次涂胶曝光刻蚀，在第二滤光片对应位置上形成半圆形透镜形貌的第二掩模图案；
12、步骤7)在经步骤6)后的结构上成膜第三ito膜层；
13、步骤8)在第三ito膜层表面设第三hm层；
14、步骤9)在第三hm层上方进行多次涂胶曝光刻蚀，在第三滤光片对应位置上形成半圆形透镜形貌的第三掩模图案；
15、步骤10)在经步骤9)后的结构上进行刻蚀，形成该增加光线聚合的阳极结构。
16、所述第一ito膜层为蓝光ito膜层，所述第二ito膜层为绿光ito膜层，所述第三ito膜层为红光ito膜层。
17、步骤3)、步骤6)及步骤9)中均采用负性光刻胶进行涂布。
18、步骤3)中第一次涂胶保留第一滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第一hm层上；除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第一ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第一hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
19、步骤6)中第一次涂胶保留第二滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第二hm层上；除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第二ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第二hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
20、步骤9)中第一次涂胶保留第三滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第三hm层上；除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第三ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第三hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
21、本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明增加光线聚合的阳极结构及其制备方法，结构简单，可以有效减少出光损失，实现较高亮度显示，具有较强的实用性和较好的应用前景。
技术特征：
1.一种增加光线聚合的阳极结构，包括cmos基板，在cmos基板上设有像素阳极层，在所述像素阳极层上设有ito膜层，其特征在于：彩色滤光片对应的所述ito膜层为半圆形透镜结构。
2.按照权利要求1所述的增加光线聚合的阳极结构，其特征在于：红光对应的所述ito膜层厚度大于绿光对应的ito膜层厚度，绿光对应的所述ito膜层厚度大于蓝光对应的ito膜层厚度。
3.一种如权利要求1至2任一项所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在cmos基板上成膜像素阳极层(anode)和第一ito膜层；
4.按照权利要求3所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：所述第一ito膜层为蓝光ito膜层，所述第二ito膜层为绿光ito膜层，所述第三ito膜层为红光ito膜层。
5.按照权利要求3所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤3)、步骤6)及步骤9)中均采用负性光刻胶进行涂布。
6.按照权利要求5所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤3)中第一次涂胶保留第一滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第一hm层上。
7.按照权利要求6所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤3)中除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第一ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第一hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
8.按照权利要求5所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤6)中第一次涂胶保留第二滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第二hm层上。
9.按照权利要求8所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤6)中除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第二ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第二hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
10.按照权利要求5所述的增加光线聚合的阳极结构的制备方法，其特征在于：步骤9)中第一次涂胶保留第三滤光片对应位置的光刻胶，其余部分去除；进行整面刻蚀，光刻胶保留部分形貌转移到第三hm层上；除第一次涂胶外其余每次涂胶，外露的第三ito膜层上涂胶，中部的光刻胶宽度较前一次保留的第三hm层直段宽度逐渐减小，两侧已刻蚀呈弧面的在下次涂胶时两侧涂胶保留。
技术总结
本发明公开了一种增加光线聚合的阳极结构及其制备方法，包括CMOS基板，在CMOS基板上设有像素阳极层，在所述像素阳极层上设有ITO膜层，其特征在于：彩色滤光片对应的所述ITO膜层为半圆形透镜结构。本发明增加光线聚合的阳极结构及其制备方法，结构简单，可以有效减少出光损失，实现较高亮度显示，具有较强的实用性和较好的应用前景。
技术研发人员：聂昌存
受保护的技术使用者：芜湖微显智能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5