用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统与流程

本申请涉及半导体制造，尤其涉及用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统。

背景技术：

1、在半导体器件制造过程中，肖特基二极管以其低导通电压和快速切换特性广泛应用于高频和电源管理领域。为了提升肖特基二极管的电性能，如导通电阻、反向漏电流、击穿电压等，通常需要对二极管的结构和掺杂浓度进行精确控制。然而，现有技术中，掺杂过程往往存在浓度分布不均、工艺参数不稳定等问题，导致二极管的电性能不达预期，甚至影响器件的可靠性。此外，由于不同区域对电性能的需求不同，如何在制造过程中对掺杂浓度进行动态调整，已成为影响器件性能的关键技术难题。

2、现阶段相关技术中，存在沟槽肖特基二极管制造过程中不同区域电性能需求无法精确满足的技术问题。

技术实现思路

1、本申请通过提供用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，采用通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征（包括形状、深度和间距），并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真空间对掺杂工艺进行模拟，得到相关工艺参数和掺杂评价结果，提取出稳定结构和风险偏差结构。针对这些风险偏差结构进行优化，获得最佳掺杂参数。最后，整合稳定结构和优化后的掺杂参数，生成用于控制掺杂过程的控制参数，实现了对肖特基二极管关键电性能的精准调控，提升器件性能和制造过程的稳定性的技术效果。

2、本申请提供用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，包括：

3、获取肖特基二极管的沟槽结构，对所述沟槽结构进行形状、深度、间距特征识别提取，得到沟槽结构特征；获取功效需求，并根据所述功效需求对所述沟槽结构特征进行掺杂浓度分布参数解析，获得掺杂浓度分布需求；通过仿真空间针对掺杂工艺手段进行参数模拟，获取沟槽结构特征的工艺参数及掺杂评价结果，基于所述掺杂评价结果提取稳定沟槽结构、风险偏差结构及其对应工艺参数；以所述掺杂浓度分布需求为目标，基于所述仿真空间对所述风险偏差结构及其工艺参数进行优化搜索，获得寻优掺杂参数；将所述稳定沟槽结构及其对应工艺参数与所述寻优掺杂参数，按照所述沟槽结构特征进行参数整合，生成掺杂控制参数。

4、本申请还提供了用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制系统，包括：沟槽结构获取模块，所述沟槽结构获取模块用于获取肖特基二极管的沟槽结构，对所述沟槽结构进行形状、深度、间距特征识别提取，得到沟槽结构特征；掺杂浓度分布需求获取模块，所述掺杂浓度分布需求获取模块用于获取功效需求，并根据所述功效需求对所述沟槽结构特征进行掺杂浓度分布参数解析，获得掺杂浓度分布需求；参数模拟模块，所述参数模拟模块用于通过仿真空间针对掺杂工艺手段进行参数模拟，获取沟槽结构特征的工艺参数及掺杂评价结果，基于所述掺杂评价结果提取稳定沟槽结构、风险偏差结构及其对应工艺参数；优化搜索模块，所述优化搜索模块用于以所述掺杂浓度分布需求为目标，基于所述仿真空间对所述风险偏差结构及其工艺参数进行优化搜索，获得寻优掺杂参数；掺杂控制参数生成模块，所述掺杂控制参数生成模块用于将所述稳定沟槽结构及其对应工艺参数与所述寻优掺杂参数，按照所述沟槽结构特征进行参数整合，生成掺杂控制参数。

5、拟通过本申请提出的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，首先通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征（包括形状、深度和间距），并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真空间对掺杂工艺进行模拟，得到相关工艺参数和掺杂评价结果，提取出稳定结构和风险偏差结构。针对这些风险偏差结构进行优化，获得最佳掺杂参数。最后，整合稳定结构和优化后的掺杂参数，生成用于控制掺杂过程的控制参数，达到了对肖特基二极管关键电性能的精准调控，提升器件性能和制造过程的稳定性的技术效果。

技术特征：

1.用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，根据所述功效需求对所述沟槽结构特征进行掺杂浓度分布参数解析，获得掺杂浓度分布需求，包括：

3.如权利要求2所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，根据所述沟槽结构特征对所述掺杂需求浓度进行结构特征解析，获得所述掺杂浓度分布需求，包括：

4.如权利要求1所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，通过仿真空间针对掺杂工艺手段进行参数模拟，之前包括：

5.如权利要求4所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，所述获取沟槽结构特征的工艺参数及掺杂评价结果，包括：

6.如权利要求5所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，基于所述掺杂评价结果提取稳定沟槽结构、风险偏差结构及其对应工艺参数，包括：

7.如权利要求1所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，将所述稳定沟槽结构及其对应工艺参数与所述寻优掺杂参数，按照所述沟槽结构特征进行参数整合，生成掺杂控制参数，包括：

8.用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制系统，其特征在于，所述系统用于实施权利要求1-7任一项所述的用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，所述系统包括：

技术总结
本发明公开了用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征，并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真空间对掺杂工艺进行模拟，得到相关工艺参数和掺杂评价结果，提取出稳定结构和风险偏差结构。针对这些风险偏差结构进行优化，获得最佳掺杂参数。最后，整合稳定结构和优化后的掺杂参数，生成用于控制掺杂过程的控制参数。解决了现有技术中沟槽肖特基二极管制造过程中不同区域电性能需求无法精确满足的技术问题，达到了对肖特基二极管关键电性能的精准调控。

技术研发人员：谢刚,徐显修,龚妮娜,刘斌凯
受保护的技术使用者：浙江广芯微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5