镀膜装置的制作方法
本技术涉及光伏和半导体，尤其涉及一种镀膜装置。
背景技术：
1、半导体和光伏材料通常都需要经过工艺处理后才能够应用到产品上，半导体和光伏材料的处理工艺通常包括化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、氧化和扩散等。cvd工艺中常见的有等离子增强型化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)、低压力化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)、(atmospheric pressure chemical vapor deposition，apcvd)等，上述工艺均需要将半导体和光伏材料送入筒体中，在一定温度和压力的条件下进行反应来实现。工艺过程中，筒体的内壁容易累积沉积较厚的膜层，例如聚晶硅，有些材质的膜层与筒体的热膨胀系数相差悬殊，很容易导致筒体损坏。为了避免筒体损坏，需要对筒体的内壁镀膜。
2、但是，相关技术的镀膜装置通常仅设置一个进出气口，交替进行抽气和进气，导致镀膜装置的换气效率低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术实施例提供了一种镀膜装置，解决了镀膜装置的换气效率低的问题。
2、第一方面，本技术一实施例提供了一种镀膜装置，被配置为对筒体的内壁进行镀膜；其中，所述镀膜装置包括：至少一个第一封堵件；至少一个第二封堵件，所述第一封堵件与所述第二封堵件之间间隔设置，并形成上下料区，所述上下料区用于放置所述筒体，所述第一封堵件被配置为密封所述筒体的一端口；所述第二封堵件被配置为密封所述筒体的另一端口，以使所述筒体的内部形成密闭腔室；至少一个靶台，被配置为安装靶材，所述靶台能够放入所述密闭腔室；至少一个激光发射组件，被配置向所述靶材发出激光，使所述靶材生成等离子羽辉，所述等离子羽辉能够沉积于所述筒体的内壁；其中，所述第一封堵件设有抽气孔，所述密闭腔室内的气体能够通过所述抽气孔抽出，以使所述密闭腔室内形成真空状态，所述第二封堵件设有进气孔，外部的气体能够通过所述进气孔进入所述密闭腔室。
3、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述密闭腔室沿第一方向延伸；所述镀膜装置还包括：第一驱动组件，所述第一驱动组件的第一端设置于所述第一封堵件的一侧，所述第一驱动组件的第二端穿过所述第一封堵件或所述第二封堵件，并伸入所述密闭腔室；其中，至少一个所述靶台设置于所述第一驱动组件，并在所述第一驱动组件的驱动下沿所述第一方向移动。
4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；所述镀膜装置还包括：第二驱动组件，被配置为与所述靶台连接，并驱动所述靶台相对于所述筒体绕所述筒体的轴线转动，或者被配置为能够与所述筒体连接，并驱动所述筒体相对于所述靶台绕所述筒体的轴线转动；其中，在所述第二驱动组件被配置为驱动所述靶台相对于所述筒体绕所述筒体的轴线转动的情况下，所述镀膜装置还包括：第三驱动组件，与所述激光发射组件连接，被配置为驱动所述激光发射组件跟随所述靶台绕所述筒体的轴线转动。
5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述镀膜装置还包括：第四驱动组件，与所述靶台连接，被配置为驱动所述靶台自转。
6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述靶台包括：靶台主体，能够放置于所述密闭腔室；至少一个靶托，与所述靶台主体可转动连接，所述靶托被配置为承载所述靶材；其中，所述镀膜装置还包括：第五驱动组件，与所述靶托连接，被配置为驱动所述靶托自转，以使所述靶托带动所述靶材自转。
7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；所述镀膜装置还包括：第二驱动组件，设置于所述第一驱动组件，并与所述靶台连接，被配置为驱动所述靶台相对于所述筒体绕所述筒体的轴线转动；第三驱动组件，与所述激光发射组件连接，被配置为驱动所述激光发射组件跟随所述靶台绕所述筒体的轴线转动；第四驱动组件，设置于所述第二驱动组件，使所述第二驱动组件通过所述第四驱动组件与所述靶台连接，所述第四驱动组件被配置为驱动所述靶台自转；其中，所述靶台包括：靶台主体，能够放置于所述密闭腔室，设置于所述第四驱动组件；至少一个靶托，与所述靶台主体可转动连接，所述靶托被配置为承载所述靶材；其中，所述镀膜装置还包括：第五驱动组件，设置于所述靶台主体，与所述靶托连接，被配置为驱动所述靶托自转，以使所述靶托带动所述靶材自转。
8、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述激光发射组件发出的激光照射所述靶材的朝向所述筒体的内壁的一面，以使所述靶材生成的所述等离子羽辉朝向所述筒体的内壁。
9、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；所述靶台的数量为多个；其中，多个所述靶台沿所述第一方向间隔设置，和/或，多个所述靶台绕所述密闭腔室的轴线的周向间隔设置；其中，所述激光发射组件的数量为多个，多个所述激光发射组件与多个所述靶台一一对应设置。
10、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述筒体的材质为透明材质，所述激光发射组件位于所述筒体外，所述激光发射组件发出的激光穿过所述筒体，并照射于所述靶材；和/或，所述第一封堵件和/或所述第二封堵件设有透明区域，所述透明区域贯透所述第一封堵件的相背对的两个表面和/或所述第二封堵件的相背对的两个表面，所述激光发射组件发出的激光穿过所述透明区域，并照射于所述靶材。
11、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面；在所述激光发射组件发出的激光穿过所述筒体的情况下，所述靶材平行于所述筒体的延伸方向，穿过所述筒体的所述激光与所述筒体的内壁垂直或呈锐角，以使所述激光的照射方向与所述第一表面垂直或呈锐角。
12、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面，至少一个第一开口位于所述密闭腔室的沿所述密闭腔室的延伸方向的至少一端；在所述激光发射组件发出的激光穿过所述透明区域的情况下，所述镀膜装置还包括：至少一个振镜，设置于所述激光发射组件发出的激光照射至所述靶材的路径上，被配置为反射所述激光发射组件发出的激光，以使所述激光以非零入射角照射于所述第一表面；和/或，至少一个聚焦镜，设置于所述激光发射组件发出的激光照射至所述靶材的路径上，被配置为对所述激光发射组件发出的激光进行聚焦。
13、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线，多个所述靶台绕所述密闭腔室的轴线的周向均匀地间隔设置；所述镀膜装置包括多个所述振镜，多个所述振镜绕所述密闭腔室的轴线的周向均匀地间隔设置，多个所述振镜与多个所述靶台一一对应设置；其中，所述镀膜装置还包括：可调振镜，多个所述振镜围绕所述可调振镜设置；第六驱动组件，与所述可调振镜连接，被配置为驱动所述振镜翻转，以使所述激光发射组件发出的激光经过所述可调振镜后能够照射于任一个所述振镜，并在所述振镜的反射下照射至所述振镜对应的所述靶材。
14、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述镀膜装置包括：抽真空设备，被配置为连接所述抽气孔，用于抽取所述密闭腔室内的气体；进气设备，被配置为连接所述进气孔，用于向所述密闭腔室输送气体；承载架，用于承载所述筒体。
15、第二方面，本技术一实施例提供了一种镀膜装置，被配置为对筒体的内壁进行膜层沉积；其中，所述镀膜装置包括：真空腔体，具有真空腔室，所述真空腔室被配置为容纳所述筒体；至少一个第一封堵件；至少一个第二封堵件，所述第一封堵件与所述第二封堵件之间间隔设置，并形成上下料区，所述上下料区用于放置所述筒体，所述第一封堵件被配置为密封所述真空腔体的一端口；所述第二封堵件被配置为密封所述真空腔体的另一端口，以在所述真空腔体内形成密闭真空腔室；至少一个靶台，被配置为安装靶材，所述靶台位于所述密闭真空腔室，在所述筒体位于所述密闭真空腔室的情况下，所述靶台能够伸入所述筒体的内部；至少一个激光发射组件，被配置向所述靶材发出激光，使所述靶材生成等离子羽辉，所述等离子羽辉能够沉积于所述筒体的内壁；其中，所述第一封堵件设有抽气孔，所述密闭真空腔室内的气体能够通过所述抽气孔抽出，以使所述密闭真空腔室内形成真空状态，所述第二封堵件设有进气孔，外部的气体能够通过所述进气孔进入所述密闭真空腔室。
16、本技术实施例提供的镀膜装置的第一封堵件设有抽气孔，第二封堵件设有进气孔，抽真空设备能够通过抽气孔抽取密闭腔室内的气体，以使密闭腔室内形成真空状态，进气设备能够通过进气孔向密闭腔室输送气体。该镀膜装置能够同时进行抽气和进气，提高了镀膜装置的换气效率。
技术特征：
1.一种镀膜装置，其特征在于，被配置为对筒体的内壁进行镀膜；
2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸；
3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括：
5.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶台包括：
6.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述激光发射组件发出的激光照射所述靶材的朝向所述筒体的内壁的一面，以使所述靶材生成的所述等离子羽辉朝向所述筒体的内壁。
8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线；
9.根据权利要求1至8任一项所述的镀膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面；
11.根据权利要求9所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材为片状结构，所述靶材具有朝向所述筒体的内壁的第一表面，至少一个第一开口位于所述密闭腔室的沿所述密闭腔室的延伸方向的至少一端；
12.根据权利要求11所述的镀膜装置，其特征在于，所述密闭腔室沿第一方向延伸，且所述密闭腔室具有沿所述第一方向的轴线，多个所述靶台绕所述密闭腔室的轴线的周向均匀地间隔设置；
13.根据权利要求1至8任一项所述的镀膜装置，其特征在于，还包括：
14.一种镀膜装置，其特征在于，被配置为对筒体的内壁进行膜层沉积；
技术总结
本申请涉及光伏和半导体技术领域，尤其涉及一种镀膜装置，解决了镀膜装置的换气效率低的问题。该镀膜装置包括至少一个第一封堵件、至少一个第二封堵件、至少一个靶台和至少一个激光发射组件。第一封堵件和第二封堵件用于密封筒体的两端口，以使筒体的内部形成密闭腔室。靶台用于安装靶材，靶台能够放入密闭腔室。激光发射组件向靶材发出激光，使靶材生成等离子羽辉，等离子羽辉能够沉积于筒体的内壁。第一封堵件设有抽气孔，以便于密闭腔室内的气体能够通过抽气孔抽出，以使密闭腔室内形成真空状态。第二封堵件设有进气孔，以便于外部的气体能够通过进气孔进入密闭腔室。该镀膜装置能够同时进行抽气和进气，换气效率高。
技术研发人员：严祥银,黄小琳,田政权,张武
受保护的技术使用者：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5