半导体器件、半导体结构及其制造方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件、半导体结构及其制造方法。

背景技术：

1、集成电路的制造涉及在硅晶圆的表面上形成半导体器件。集成电路位于识别为芯片或者芯粒的离散单元内。每个芯片或者管芯包含器件和电路，其构成离散的制造产品。芯片或者芯粒以某种方式布置在晶圆上，以提供用于最终制造的产品的最大数量的功能芯片或者芯粒。每个所制造的产品都可以具有在芯片上压印的、用以识别芯片的识别标记或者条形码。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一沟道结构和第二沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；外延结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上，其中，外延结构位于栅极结构的第一侧；第一源极/漏极接触件结构，位于第一沟道结构上，其中，第一源极/漏极接触件结构位于栅极结构的与第一侧相对的第二侧；以及第二源极/漏极接触件结构，位于第二沟道结构上，其中，第二源极/漏极接触件结构位于栅极结构的第二侧。

2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括位于衬底上的第一晶体管和第二晶体管；其中，第一晶体管包括：第一沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第一沟道结构上；外延结构，位于栅极结构的第一侧的第一沟道结构上；以及第一源极/漏极接触件结构，位于栅极结构的与第一侧相对的第二侧的第一沟道结构上；以及第二晶体管包括：第二沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第二沟道结构上；外延结构，位于栅极结构的第一侧的第二沟道结构上；以及第二源极/漏极接触件结构，位于栅极结构的第二侧的第二沟道结构上，其中，第二源极/漏极接触件结构与第一源极/漏极接触件结构间隔开。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上形成第一沟道结构和第二沟道结构；在第一沟道结构和第二沟道结构上形成栅极结构；在栅极结构的第一侧，在第一沟道结构和第二沟道结构上形成外延结构；以及在栅极结构的与第一侧相对的第二侧，在第一沟道结构上形成第一源极/漏极接触件结构，并且在第二沟道结构上形成第二源极/漏极接触件结构，其中，第一源极/漏极接触件结构和第二源极/漏极接触件结构彼此间隔开。

技术特征：

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一源极/漏极接触件结构与所述第二源极/漏极接触件结构分隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第三沟道结构，位于所述衬底上，其中：

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第三沟道结构和第四沟道结构，位于所述衬底上，其中：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

7.一种半导体器件，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：第三源极/漏极接触件结构，位于所述外延结构上，其中，所述第三源极/漏极接触件结构在所述第一沟道结构和所述第二沟道结构中的一个或者多个的上方延伸。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：附加晶体管，具有相应的沟道结构，其中：

10.一种制造半导体结构的方法，包括：

技术总结
本发明描述了一种具有用于芯片识别的识别器件的半导体器件、半导体结构，还描述了一种制造半导体结构的方法。半导体结构包括：第一沟道结构和第二沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；外延结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；以及第一源极/漏极(S/D)接触件结构，位于第一沟道结构上。外延结构位于栅极结构的第一侧，并且第一S/D接触件结构位于栅极结构的与第一侧相对的第二侧。半导体结构还包括第二S/D接触件结构，位于第二沟道结构上。第二S/D接触件结构位于栅极结构的第二侧。

技术研发人员：辛柏寰,邱盈翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5