发光二极管及发光装置的制作方法
本发明涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。然而，现有的发光二极管因设计不当还存在eos(e lectr ical over-stress，过电压)能力差的问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中发光二极管存在的不足，本发明提供一种发光二极管，包括外延结构、多个第二接触电极和绝缘层。
2、所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个第二接触电极分布在所述第二半导体层上方，且电连接所述第二半导体层；绝缘层至少覆盖部分所述第二接触电极和所述外延结构；所述绝缘层包括露出所述第二接触电极部分表面的第二通孔；所述第二通孔与所述第二接触电极边缘之间具有最小距离，所述最小距离为第一间距；至少存在两个所述第二接触电极与所述第二通孔的第一间距不相等。
3、本发明还提供一种发光装置，采用如上实施例所述的发光二极管。
4、基于上述，与现有技术相比，本发明提供的发光二极管通过第二接触电极和第二通孔的间距限定，能够有效提高发光二极管的eos能力，避免发光二极管在过电压情况下容易发生结构烧伤而造成发光二极管能力失效的风险。
5、本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
技术特征：
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一间距介于2～10微米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一间距定义为所述第二通孔的底部边缘与所述第二接触电极的上表面边缘之间的距离。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一间距包括第一子间距和第二子间距，所述第一子间距大于所述第二子间距；具有第二子间距的所述第二接触电极相对于具有第一子间距的所述第二接触电极更靠近所述发光二极管的边缘。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一间距包括第一子间距和第二子间距，所述第一子间距大于所述第二子间距；所述发光二极管还包括多个第一接触电极，多个所述第一接触电极间隔分布在所述第一半导体层上方且电连接所述第一半导体层；所述第二接触电极分布在多个所述第一接触电极之间以及多个第一接触电极的外围；位于相邻所述第一接触电极之间的至少一个第二接触电极具有第一子间距；位于多个所述第一接触电极外围且距离所述发光二极管边缘最近的至少一个第二接触电极具有第二子间距。
6.根据权利要求4或5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子间距与所述第二子间距的差值介于1～5微米。
7.根据权利要求4或5所述的发光二极管，其特征在于：具有第二子间距的所述第二接触电极的数量小于具有第一子间距的所述第二接触电极的数量。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：各个所述第二接触电极对应的所述第二通孔在同一水平面上的截面积相等，至少有两个所述第二接触电极在同一水平面上的截面积不相等。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：在同一水平面上，截面积较小的所述第二接触电极相对于截面积较大的所述第二接触电极更靠近所述发光二极管边缘。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极具有直径，至少存在两个所述第二接触电极的直径不相等。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极的直径包括第一直径和第二直径，所述第一直径大于所述第二直径，具有第二直径的所述第二接触电极相对于具有第一直径的所述第二接触电极更靠近所述发光二极管的边缘；所述第一直径介于18～30微米，所述第二直径介于15～25微米。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括多个位于所述第二接触电极下方的电流阻挡层；所述第二接触电极在所述外延结构上的正投影位于所述电流阻挡层在所述外延结构上的正投影范围内；将位于所述第二接触电极上方的第二通孔与位于所述第二接触电极下方的电流阻挡层边缘之间的最小距离定义为第二间距；至少存在两个所述第二接触电极对应的第二间距不相等。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第二间距介于5～15微米。
14.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第二间距定义为位于所述第二接触电极上方的所述第二通孔的底部边缘与位于所述第二接触电极下方的所述电流阻挡层的上表面边缘之间的距离。
15.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第二间距包括第三子间距和第四子间距，所述第三子间距大于所述第四子间距；具有第四子间距的所述第二接触电极相对于具有第三子间距的所述第二接触电极更靠近所述发光二极管的边缘。
16.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第二间距包括第三子间距和第四子间距，所述第三子间距大于所述第四子间距；所述发光二极管还包括多个第一接触电极，多个所述第一接触电极间隔分布在所述第一半导体层上方且电连接所述第一半导体层；所述第二接触电极分布在多个所述第一接触电极之间以及多个第一接触电极的外围；位于相邻所述第一接触电极之间的至少一个第二接触电极具有第三子间距；位于多个所述第一接触电极外围且距离所述发光二极管边缘最近的至少一个第二接触电极具有第四子间距。
17.根据权利要求15或16所述的发光二极管，其特征在于：所述第三子间距与所述第四子间距的差值介于1～5微米。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括多个第一接触电极，多个所述第一接触电极错位间隔分布在所述第一半导体层上方且电连接所述第一半导体层；每一所述第一接触电极周围均匀分布多个所述第二接触电极。
19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层还包括露出所述第一接触电极部分表面的第一通孔，将所述第一接触电极与所述第一通孔之间的最小距离定义为第三间距，所述第三间距小于所述第一间距。
20.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
21.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
22.根据权利要求21所述的发光二极管，其特征在于：所述第二通孔的直径包括第三直径和第四直径，所述第三直径大于所述第四直径；具有第四直径的所述第二通孔相对于具有第三直径的所述第二通孔更靠近所述发光二极管的边缘。
23.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-22任一项所述的发光二极管。
技术总结
本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括外延结构、第二接触电极、绝缘层。外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个第二接触电极分布在第二半导体层上方且电连接第二半导体层；绝缘层至少覆盖部分第二接触电极和外延结构；绝缘层包括露出第二接触电极部分表面的第二通孔；第二通孔与第二接触电极边缘之间具有最小距离，最小距离为第一间距；至少存在两个第二接触电极与第二通孔的第一间距不相等。通过该设计能够有效提高发光二极管的EOS能力，避免发光二极管在过电压情况下容易发生结构烧伤而造成发光二极管能力失效的风险。
技术研发人员：卢超,涂雄,徐瑾,洪灵愿,王庆,曾江斌
受保护的技术使用者：湖北三安光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5