包括输入传感器的电子装置的制作方法

所描述的本公开涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种包括输入传感器的电子装置。

背景技术：

1、诸如电视(tv)、蜂窝电话、平板计算机、导航系统、便携式游戏机和游戏控制器的多媒体电子装置可以提供基于触摸的输入方式，以使用户能够直观且方便地输入信息或命令，同时通过显示屏幕显示图像。电子装置可以包括用于生成图像的显示面板和用于感测用户的触摸的输入传感器。

2、显示面板和输入传感器可以包括多个堆叠结构，并且堆叠结构可以包括有机膜和无机膜堆叠的结构。当在堆叠结构中有机膜与无机膜之间的接合力不足时，电子装置的耐久性可能劣化。

技术实现思路

1、一种电子装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上，并且包括晶体管、多个无机膜和多个有机膜；显示元件层，设置在电路层上；封装层，设置在显示元件层上；以及输入传感器，设置在封装层上，并且包括传感器基体层、设置在传感器基体层上的传感器导电层、以及设置在传感器基体层上并且包括氮化硅(sinx)的传感器绝缘层。传感器基体层包括缓冲绝缘层，缓冲绝缘层包括硅(si)和氧(o)，并且缓冲绝缘层内的氧(o)的原子百分比在2at％至67at％的范围内。

2、传感器基体层还可以包括：基体绝缘层，包括氮化硅(sinx)，并且基体绝缘层直接设置在缓冲绝缘层上。

3、基体绝缘层还可以包括氧(o)，并且缓冲绝缘层还包括氮(n)，并且缓冲绝缘层中的氧(o)的原子百分比可以是基体绝缘层中的氧(o)的原子百分比的2倍至100倍。

4、传感器基体层可以具有范围从至的厚度，并且缓冲绝缘层可以具有范围从至的厚度。

5、基体绝缘层和缓冲绝缘层可以通过化学气相沉积(cvd)方案形成，并且用于形成缓冲绝缘层的第一功率是用于形成基体绝缘层的第二功率的35％或更小。

6、缓冲绝缘层可以具有比基体绝缘层的孔隙率高的孔隙率。

7、传感器基体层可以是包括二氧化硅(sio2)的缓冲绝缘层的单层。

8、传感器基体层可以是包括氮化硅(sinx)和氧(o)的缓冲绝缘层的单层。

9、电子装置还可以包括有效区域和限定在有效区域的至少一侧的外围区域。外围区域可以包括：信号线，电连接到晶体管；无机膜图案，与多个无机膜中的一个无机膜形成在同一层，并且无机膜图案具有限定在无机膜图案中的凹槽，其中，信号线可以设置在凹槽中；有机膜图案，与多个有机膜中的一个有机膜形成在同一层，并且有机膜图案可以覆盖信号线的不与凹槽叠置的边缘。传感器导电层可以在凹槽中电连接到信号线，并且传感器基体层可以设置在传感器导电层下面，并且传感器基体层可以与有机膜图案、信号线的顶表面和无机膜图案中的每个叠置。

10、传感器基体层还可以包括基体绝缘层，基体绝缘层包括氮化硅(sinx)，并且缓冲绝缘层可以直接置于有机膜图案与基体绝缘层之间。

11、基体绝缘层还可以包括氧(o)和碳(c)，缓冲绝缘层还可以包括氮(n)和碳(c)，缓冲绝缘层中的氧(o)的原子百分比可以是基体绝缘层中的氧(o)的原子百分比的2倍至100倍，并且缓冲绝缘层中的碳(c)的原子百分比可以是基体绝缘层中的碳(c)的原子百分比的2倍至100倍。

12、缓冲绝缘层可以直接置于有机膜图案与传感器绝缘层之间。

13、传感器绝缘层和缓冲绝缘层还可以包括碳(c)，并且缓冲绝缘层中的碳(c)的原子百分比可以是传感器绝缘层中的碳(c)的原子百分比的2倍至100倍。

14、封装层可以包括：第一无机层，堆叠在显示元件层上；有机层，设置在第一无机层上；第二无机层，设置在有机层上，并且包括氮化硅(sinx)；以及中间层，直接置于有机层与第二无机层之间，并且包括硅(si)、氮(n)、氧(o)和碳(c)。

15、第二无机层还可以包括氧(o)和碳(c)，中间层中的氧(o)的原子百分比可以是第二无机层中的氧(o)的原子百分比的2倍至100倍，并且中间层中的碳(c)的原子百分比可以是第二无机层中的碳(c)的原子百分比的2倍至100倍。

16、传感器基体层可以直接设置在第二无机层上。

17、电子装置包括有效区域和设置在有效区域的至少一侧的外围区域。外围区域包括：基体层；电路层，设置在基体层上，并且电路层包括具有限定于其中的凹槽的无机膜图案、设置在凹槽中的信号线、以及覆盖信号线的边缘并且使无机膜图案的顶表面的一部分暴露的有机膜图案；以及输入传感器，设置在电路层上。输入传感器包括电连接到信号线的传感器导电层、覆盖无机膜图案的暴露顶表面和有机膜图案的传感器基体层、以及设置在传感器基体层上的传感器绝缘层。传感器基体层包括缓冲绝缘层，缓冲绝缘层包括硅(si)和氧(o)，并且缓冲绝缘层中的氧(o)的原子百分比在2at％至67at％的范围内。

18、传感器基体层可以包括sinx，并且还可以包括设置在传感器绝缘层下面的基体绝缘层，并且基体绝缘层可以直接设置在缓冲绝缘层上。

19、传感器基体层可以具有范围从至的厚度，并且缓冲绝缘层可以具有范围从至的厚度。

20、基体绝缘层还可以包括氧(o)和碳(c)，并且缓冲绝缘层还可以包括氮(n)和碳(c)，缓冲绝缘层中的氧(o)的原子百分比可以是基体绝缘层中的氧(o)的原子百分比的2倍至100倍，并且缓冲绝缘层中的碳(c)的原子百分比可以是基体绝缘层中的碳(c)的原子百分比的2倍至100倍。

21、传感器基体层可以是包括缓冲绝缘层的单层，并且缓冲绝缘层可以包括sio2或包括sinx和o。

22、有效区域还可以包括：显示元件层，置于电路层与输入传感器之间，并且显示元件层包括发光元件；以及封装层，设置在所述显示元件层上，并且传感器基体层可以在有效区域中直接设置在封装层上。

23、在有效区域中，电路层可以包括：无机膜，与无机膜图案在同一工艺中形成；有机膜，与有机膜图案在同一工艺中形成；以及晶体管，电连接到信号线。

24、一种电子装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上，并且包括晶体管、多个无机膜和多个有机膜；显示元件层，设置在电路层上；封装层，设置在显示元件层上；以及输入传感器，设置在封装层上，并且包括传感器基体层、设置在传感器基体层上的传感器导电层、以及设置在传感器基体层上并且包括氮化硅(sinx)的传感器绝缘层。传感器基体层包括缓冲绝缘层，缓冲绝缘层包括硅(si)和氧(o)，并且缓冲绝缘层具有比传感器绝缘层的孔隙率高的孔隙率。

25、传感器基体层还可以包括基体绝缘层，基体绝缘层直接设置在缓冲绝缘层之上并且包括sinx，并且缓冲绝缘层的孔隙率可以比传感器基体层的孔隙率大。

26、基体绝缘层和缓冲绝缘层可以通过化学气相沉积(cvd)方案形成，并且用于形成缓冲绝缘层的第一功率可以是用于形成基体绝缘层的第二功率的35％或更小。

27、基体绝缘层还可以包括氧(o)，并且缓冲绝缘层还可以包括氮(n)，并且缓冲绝缘层中的氧(o)的原子百分比可以是基体绝缘层中的氧(o)的原子百分比的2倍至100倍。

28、传感器基体层可以具有范围从至的厚度，并且缓冲绝缘层可以具有范围从至的厚度。

技术特征：

1.一种电子装置，所述电子装置包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述传感器基体层还包括：

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述基体绝缘层还包括氧，并且所述缓冲绝缘层还包括氮，并且

4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述传感器基体层具有范围从至的厚度，并且

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述基体绝缘层和所述缓冲绝缘层均通过化学气相沉积方案形成，并且

6.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述缓冲绝缘层具有比所述基体绝缘层的孔隙率高的孔隙率。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述传感器基体层是包括二氧化硅的所述缓冲绝缘层的单层。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述传感器基体层是包括氮化硅和氧的所述缓冲绝缘层的单层。

9.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述传感器基体层还包括基体绝缘层，所述基体绝缘层包括氮化硅，并且

11.根据权利要求10所述的电子装置，

12.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述缓冲绝缘层直接置于所述有机膜图案与所述传感器绝缘层之间。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述传感器绝缘层和所述缓冲绝缘层还包括碳，并且

14.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述封装层包括：

15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，所述第二无机层还包括氧和碳，

16.根据权利要求14所述的电子装置，其中，所述传感器基体层直接设置在所述第二无机层上。

17.一种电子装置，所述电子装置包括：

18.根据权利要求17所述的电子装置，其中，所述传感器基体层包括氮化硅，并且还包括设置在所述传感器绝缘层下面的基体绝缘层，并且

19.根据权利要求18所述的电子装置，其中，所述传感器基体层具有范围从至的厚度，并且

20.根据权利要求18所述的电子装置，其中，所述基体绝缘层还包括氧和碳，并且所述缓冲绝缘层还包括氮和碳，

21.根据权利要求17所述的电子装置，其中，所述传感器基体层是包括所述缓冲绝缘层的单层，并且

22.根据权利要求17所述的电子装置，其中，所述有效区域还包括：

23.根据权利要求22所述的电子装置，其中，在所述有效区域中，所述电路层包括：

24.一种电子装置，所述电子装置包括：

25.根据权利要求24所述的电子装置，其中，所述传感器基体层还包括基体绝缘层，所述基体绝缘层直接设置在所述缓冲绝缘层之上并且包括氮化硅，并且

26.根据权利要求25所述的电子装置，其中，所述基体绝缘层和所述缓冲绝缘层通过化学气相沉积方案形成，并且

27.根据权利要求25所述的电子装置，其中，所述基体绝缘层还包括氧，并且所述缓冲绝缘层还包括氮，并且

28.根据权利要求25所述的电子装置，其中，所述传感器基体层具有范围从至的厚度，并且

技术总结
提供了一种电子装置。所述电子装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上，并且包括晶体管、多个无机膜和多个有机膜；显示元件层，设置在电路层上；封装层，设置在显示元件层上；以及输入传感器，设置在封装层上，并且包括传感器基体层、设置在传感器基体层上的传感器导电层、以及设置在传感器基体层上并且包括氮化硅(SiN<subgt;x</subgt;)的传感器绝缘层。传感器基体层包括缓冲绝缘层，缓冲绝缘层包括硅(Si)和氧(O)，并且缓冲绝缘层中的氧(O)的原子百分比在2at％至67at％的范围内。

技术研发人员：朴俊洙,金宝花,孔栋铉,金纹成
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5