用于电阻式随机存取存储器的两步读取的装置和方法与流程

背景技术：

1、存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、非移动计算设备和数据服务器。存储器可以是非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。

2、非易失性存储器的一个示例是磁阻式随机存取存储器(mram)，其使用磁化来表示所存储的数据，这与使用电荷来存储数据的某些其它存储器技术相反。一般来讲，mram包括在半导体衬底上形成的大量磁存储器单元，其中每个存储器单元都代表一个数据位。通过改变存储器单元内的磁性元件的磁化方向将数据位写入存储器单元，并且通过测量存储器单元的电阻来读取位(低电阻通常表示“0”位且高电阻通常表示“1”位)。如本文所使用的，磁化方向是磁矩的取向方向。

3、尽管mram是一项前景广阔的技术，但仍存在许多挑战。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一预定读取参考值是从多个候选读取参考值中选择的。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一预定读取参考值是通过以下方式选择的：

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二预定读取参考值是从多个候选读取参考值中选择的。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二预定读取参考值是通过以下方式选择的：

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述电阻式随机存取存储器元件包括磁阻式随机存取存储器元件。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器阵列包括：

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器包括查找表，所述查找表被配置为存储地址和对应的第二预定读取参考值。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器包括内容可寻址存储器。

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述设备包括纠错编码引擎。

14.一种方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述查找表包括内容可寻址存储器。

17.根据权利要求14所述的方法，其中从所述查找表中检索所述第二预定读取参考值所需的时间小于或等于完成读取所述第一码字所需的时间。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述存储器阵列包括多个非易失性存储器单元，每个非易失性存储器单元包括磁阻式随机存取存储器元件。

19.一种系统，所述系统包括：

20.根据权利要求19所述的系统，其中所述非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元包括磁阻式随机存取存储器元件。

技术总结
本发明的名称为“用于电阻式随机存取存储器的两步读取的装置和方法”。提供了一种装置，该装置包括存储器阵列和控制电路。该存储器阵列包括非易失性存储器单元，每个非易失性存储器单元包括电阻式随机存取存储器元件。该控制电路被配置为接收读取命令，该读取命令指定第一组非易失性存储器单元的地址；使用第一预定读取参考值来执行对该第一组非易失性存储器单元的第一次读取以提供第一读取数据；当执行该第一次读取时，从存储器中检索与所指定的地址对应的第二预定读取参考值；以及响应于满足关于该第一读取数据的条件，使用该第二预定读取参考值来执行对该第一组非易失性存储器单元的第二次读取以提供第二读取数据。

技术研发人员：D·波兹达格,D·侯赛梅丁,J·P·萨恩斯,M·林
受保护的技术使用者：闪迪技术公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5