一种含氮稠杂环化合物、有机电致发光元件及电子设备的制作方法

本发明属于有机电致发光，更具体地，涉及一种含氮稠杂环化合物、有机电致发光元件及电子设备。

背景技术：

1、有机半导体材料在合成上具有多样性，制造成本相对较低，且具有优良的光学与电学性能，有机发光二极管(oled)在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。

2、从器件结构来分类，根据发光层的结构，oled器件结构分为多种，如包括单发光层、多掺杂发光层、多重发光层，叠层等结构。在叠层器件中，由于oled器件中电子和空穴传输速率不同，载流子在发光区域中数量不平衡，限制了激子复合率的提高，使得器件效率偏低，驱动电压偏高。在发光单元之间加入电荷产生层能有效改善器件中载流子数目不平衡的问题。但目前可用于叠层器件的电荷产生层的高性能材料种类有所欠缺，在进行器件设计时的选择空间有限。

技术实现思路

1、针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供一种含氮稠杂环化合物，该含氮稠杂环化合物不仅能作为高性能的电荷产生层材料，还能用于电子传输层、空穴阻挡层等单层或叠层器件的一层或多层。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种含氮稠杂环化合物，所述含氮稠杂环化合物具有式(1)所示的结构，

4、

5、其中，l1、l2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c30的亚芳基、取代或未取代的c3-c30的亚杂芳基，

6、r1、r2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1-c10的烷基、取代或未取代的c3-c10的环烷基、取代或未取代的c2-c10的杂环烷基、取代或未取代的c3-c10的环烯基、取代或未取代的c3-c10的杂环烯基、取代或未取代的c1-c10的烷氧基、取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c3-c60的杂芳基，

7、-l1r1、-l2r2相同或不同，条件是-l1r1、-l2r2相同时不同时为氢或氘，-l1r1、-l2r2不相同时不分别为氢、氘，-l1r1、-l2r2不相同时不分别为氘、氢，

8、所述“取代或未取代”中的取代时的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、硅烷基、c1-c10的烷基、c3-c10的环烷基、c1-c10的烷氧基、c6-c30的芳基、c3-c30的杂芳基，

9、所述亚杂芳基、杂环烷基、杂环烯基、杂芳基中杂原子各自独立为n、o、s、si、p中的至少一种。

10、本发明还提供一种制剂，所述制剂包含至少一种上述的含氮稠杂环化合物以及至少一种溶剂。

11、本发明还提供一种有机电致发光元件，包括：

12、第一电极；

13、设置为面对所述第一电极的第二电极；以及

14、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并包括发光层的一个或多个有机材料层，

15、其中所述有机材料层的一个或多个层包含本发明所述的含氮稠杂环化合物。

16、优选地，所述有机材料层包括电子传输层、空穴阻挡层，所述电子传输层、所述空穴阻挡层中至少一层包含本发明所述的含氮稠杂环化合物。

17、优选地，所述有机材料层还包括至少两个发光单元，所述至少两个发光单元之间，包含电荷产生层，所述电荷产生层包含n-型电荷产生层，所述n-型电荷产生层包含上述的含氮稠杂环化合物。

18、本发明还提供一种电子设备，所述电子设备设有上述的有机电致发光元件。

19、总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：

20、1.本发明的含氮稠杂环化合物，可以提高oled器件的电流效率，降低器件的驱动电压和有效延长器件的使用寿命。

21、2.本发明的含氮稠杂环化合物，不仅可以用于叠层oled器件的n-型电荷产生层，还可用于空穴阻挡层和电子传输层。

技术特征：

1.一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，所述含氮稠杂环化合物具有式(1)所示的结构，

2.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，l1、l2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c30的亚芳基、取代或未取代的c3-c30的亚杂芳基，

3.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，l1、l2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c30的亚芳基；

4.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，l1、l2各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚苯基萘基、取代或未取代的亚苯基蒽基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚荧蒽基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚苝基、取代或未取代的亚三联苯基；

5.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，l1、l2各自独立地选自单键、取代或未取代的c6-c30的亚芳基、取代或未取代的c3-c30的亚杂芳基，

6.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，所述含氮稠杂环化合物的结构选自如下编号1至142所示的任一化合物：

8.一种制剂，其特征在于，所述制剂包含至少一种根据权利要求1-7中任一项所述的含氮稠杂环化合物以及至少一种溶剂。

9.一种有机电致发光元件，其特征在于，该有机电致发光元件包括：

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具备根据权利要求9所述的有机电致发光元件。

技术总结
本发明提供一种含氮稠杂环化合物、有机电致发光元件及电子设备，该含氮稠杂环化合物不仅能作为高性能的电荷产生层材料，还能用于电子传输层、空穴阻挡层等单层或叠层器件的一层或多层。所述含氮稠杂环化合物具有式(1)所示的结构，其中，L1、L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6‑C30的亚芳基、取代或未取代的C3‑C30的亚杂芳基，所述“取代或未取代”中的取代时的取代基选自氘、卤素、氰基、硅烷基、C1‑C10的烷基、C3‑C10的环烷基、C1‑C10的烷氧基、C6‑C30的芳基、C3‑C30的杂芳基，所述亚杂芳基、杂环烷基、杂环烯基、杂芳基中杂原子各自独立为N、O、S、Si、P中的至少一种。

技术研发人员：李祥智,崔建新,秦佩,钱烨,李泽鹏,侯海洋,金光哲
受保护的技术使用者：海宁奕诺炜特科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5