半导体存储器装置的制作方法
本揭露是关于半导体存储器装置。
背景技术：
1、集成电路(ic)装置(也称为半导体晶片)可以包含数百万个电晶体和其他电路元件，这些电晶体和其他电路元件制造在单个硅晶体基材(晶圆)上。气隙被广泛研究并用于mosfet间隙间隔物以降低电容值，但在半导体存储器装置中研究较少。在半导体存储器装置中使用牺牲层以在位元线间隔物中形成气隙。然而，由于深度氧化物去除和薄氮化物保护，狭窄和更深的气隙形成难以加工，这可能导致漏电问题。
技术实现思路
1、本揭露提出一种创新的半导体存储器装置，解决先前技术的问题。
2、于本揭露的一些实施例中，一种半导体存储器装置包含基材、形成于该基材上方的存储器单元接点、形成于该基材上方的位元线导电结构以及介电间隔物。介电间隔物设置在该存储器单元接点和该位元线导电结构之间，其中该介电间隔物包括具有矩形横截面的气隙，该矩形横截面具有高度h和宽度w，h/w比等于或大于40。
3、于本揭露的一些实施例中，该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
4、于本揭露的一些实施例中，该基材包括主动区，且该位元线导电结构配置于该主动区上。
5、于本揭露的一些实施例中，该基材包括主动区，且该存储器单元接点配置于该主动区上。
6、于本揭露的一些实施例中，半导体存储器装置还包括设置在该气隙内的热分解层，其中该热分解层占据小于该气隙的体积的3％。
7、于本揭露的一些实施例中，半导体存储器装置还包括设置在该气隙内和该氮化物层的侧壁上的热分解层。
8、于本揭露的一些实施例中，一种半导体存储器装置包含基材、形成于该基材上方的存储器单元接点、形成于该基材上方的位元线导电结构、介电间隔物及热分解层的副产品。介电间隔物设置在该存储器单元接点和该位元线导电结构之间。热分解层的副产品位在该气隙中。
9、于本揭露的一些实施例中，该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
10、于本揭露的一些实施例中，该副产物设置在该氮化物层的侧壁上。
11、于本揭露的一些实施例中，该副产物设置在该气隙的底部。
12、于本揭露的一些实施例中，该副产物设置在该气隙的顶部。
13、于本揭露的一些实施例中，该副产物占据小于该气隙的体积的3％。
14、于本揭露的一些实施例中，该副产物是该热分解层的固体或液体副产物。
15、于本揭露的一些实施例中，一种半导体存储器装置包含基材、形成于该基材上方的存储器单元接点、形成于该基材上方的位元线导电结构、介电间隔物及热分解层的热残留物。介电间隔物设置在该存储器单元接点和该位元线导电结构之间。热分解层的热残留物位在该气隙中。
16、于本揭露的一些实施例中，该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
17、于本揭露的一些实施例中，该热残留物设置在该氮化物层的侧壁上。
18、于本揭露的一些实施例中，该热残留物设置在该气隙的底部。
19、于本揭露的一些实施例中，该热残留物设置在该气隙的顶部。
20、于本揭露的一些实施例中，该热残留物占据小于该气隙的体积的3％。
21、于本揭露的一些实施例中，该热残留物是该热分解层的固体或液体残留物。
22、综合以上，本案所揭露的半导体存储器装置包括介电间隔物，介电间隔物包含利用热分解层的分解而不是蚀刻牺牲层而形成的气隙。因此，可以避免蚀刻工艺损坏两个氮化物层的侧壁或位元线导电结构，从而避免电流泄漏的问题。由于具有更大深宽比的气隙，可以进一步减小与位元线相关的寄生电容。
23、以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本揭露的技术方案提供更进一步的解释。
技术特征：
1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中该基材包括主动区，且该位元线导电结构配置于该主动区上。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中该基材包括主动区，且该存储器单元接点配置于该主动区上。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括设置在该气隙内的热分解层，其中该热分解层占据小于该气隙的体积的3％。
6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，还包括设置在该气隙内和该氮化物层的侧壁上的热分解层。
7.一种半导体存储器装置，其特征在于，包含：
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中该副产物设置在该氮化物层的侧壁上。
10.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中该副产物设置在该气隙的底部。
11.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中该副产物设置在该气隙的顶部。
12.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中该副产物占据小于该气隙的体积的3％。
13.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中该副产物是该热分解层的固体或液体副产物。
14.一种半导体存储器装置，其特征在于，包含：
15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中该介电间隔物包括包围该气隙的氮化物层。
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中该热残留物设置在该氮化物层的侧壁上。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中该热残留物设置在该气隙的底部。
18.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中该热残留物设置在该气隙的顶部。
19.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中该热残留物占据小于该气隙的体积的3％。
20.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中该热残留物是该热分解层的固体或液体残留物。
技术总结
一种半导体存储器装置包含基材、形成于该基材上方的存储器单元接点、形成于该基材上方的位元线导电结构以及介电间隔物。介电间隔物设置在该存储器单元接点和该位元线导电结构之间，其中该介电间隔物包括具有矩形横截面的气隙，该矩形横截面具有高度H和宽度W，H/W比等于或大于40。气隙通过热分解层分解形成，因而具有更大深宽比的气隙，能进一步减小与位元线相关的寄生电容。
技术研发人员：许国忠,李恩瑞
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5