电子装置的制作方法

本揭露涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括像素电极的电子装置。

背景技术：

1、现有的电子装置中的像素电极通过贯穿绝缘层的通孔与晶体管的电极电性连接。然而，若像素电极的厚度太小，则设置于绝缘层的通孔中的像素电极容易因地形因素而断裂，使电子装置的良率下降。相对地，若像素电极的厚度太大，则会使电子装置的穿透率下降。

技术实现思路

1、本揭露的一些实施例是针对一种电子装置，其具有的穿透率以及良率可提升。

2、根据本揭露的一些实施例提供的电子装置，其包括基板以及多个控制单元。多个控制单元设置于基板上，其中多个控制单元的每一个包括晶体管、绝缘层、第一导电层以及第二导电层。晶体管包括第一电极。绝缘层设置于晶体管上，且具有通孔暴露第一电极。第一导电层设置于晶体管上，其中第一导电层的一部份与绝缘层重叠，且第一导电层的另一部分通过通孔电连接第一电极。第二导电层与第一导电层至少部分重叠，且直接接触第一导电层。

3、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二导电层包括透明导电材料。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层的材料与所述第二导电层的材料不同。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二导电层的一部分设置于所述绝缘层的所述通孔中。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在邻近所述通孔处，所述第二导电层的顶表面高于所述第一导电层的顶表面，且所述第一导电层的所述顶表面高于所述绝缘层的顶表面。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，更包括多个开口区，且在所述俯视图中，所述多个开口区的一个位于所述两条相邻第一走线与所述两条相邻第二走线所围成的所述区域内。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，在所述俯视图中，所述多个开口区的所述每一个暴露所述第二导电层的一部份。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层位于所述多个开口区的所述每一个之外。

技术总结
本揭露提供一种电子装置，其包括基板以及多个控制单元。多个控制单元设置于基板上，其中多个控制单元的每一者包括晶体管、绝缘层、第一导电层以及第二导电层。晶体管包括第一电极。绝缘层设置于晶体管上，且具有通孔暴露第一电极。第一导电层设置于晶体管上，其中第一导电层的一部份与绝缘层重叠，且第一导电层的另一部分通过通孔电连接第一电极。第二导电层与第一导电层至少部分重叠，且直接接触第一导电层。本揭露提供的电子装置具有的穿透率以及良率可提升。

技术研发人员：宋立伟,陈承佐,黄郁迪,邱贵珍,郑品琳
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5