发光芯片及其制造方法、显示装置与流程

本公开实施例涉及但不限于显示，尤其涉及一种发光芯片及其制造方法、显示装置。

背景技术：

1、mip(micro led in package)芯片是采用新的led封装技术——mip技术得到的芯片。mip技术将一组或者多组rgb micro led芯片剥离衬底之后，通过巨量转移的方式转移到一块新的基底上，随后蒸镀电极，再通过固晶工艺打到目标基底上。相较于mini led芯片，mip芯片由于采用的是micro led芯片，芯片尺寸更小，因此芯片成本更低。而且mip芯片将r、g、b芯片合成为一颗芯片，因此可实现单像素一次固晶，有效减少固晶次数，而且三合一芯片的尺寸相较于单个mini led尺寸更大，固晶良率更高。因此，mip芯片在mini led显示的产品，尤其是小间距的产品上具有很高的应用潜力，受到了广泛的重视。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本公开的保护范围。

2、本公开实施例提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括：

3、透明基底，所述透明基底具有相互平行的第一表面和第二表面、以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的侧面；

4、第一发光单元，位于所述透明基底所述第二表面远离所述第一表面的一侧；

5、其中，过所述透明基底中心且沿所述第一表面平行的直线与所述侧面相交的两个位置中，至少一个位置的所述侧面与所述第一表面之间的夹角为锐角。

6、在本公开的示例性实施例中，所述第一发光单元的出光面轮廓可以为矩形；

7、所述过所述透明基底中心且沿所述第一表面平行的直线与所述矩形的一条边平行。

8、在本公开的示例性实施例中，所述透明基底的第一表面和第二表面的轮廓可以都为矩形，所述侧面包括相对设置的第一侧面和第二侧面，以及相对设置的第三侧面和第四侧面；

9、所述第一发光单元的一条边与所述第一侧面平行；

10、其中，所述第一侧面和所述第二侧面与所述第一表面的夹角都为锐角，和/或，所述第三侧面和所述第四侧面与所述第一表面的夹角都为锐角。

11、在本公开的示例性实施例中，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角为θ，θ可以满足：

12、θ＞arctan(1/(tan(arcsin(1/n)-x/h))；

13、其中，n为所述透明基底的折射率；

14、x为所述发光单元的中心与所述透明基底第二表面边缘之间的距离；

15、h为所述透明基底的厚度。

16、在本公开的示例性实施例中，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角可以在在30°至80°范围内。

17、在本公开的示例性实施例中，所述透明基底的厚度可以不超过100μm。

18、在本公开的示例性实施例中，所述第一发光单元出光面中心在所述第一表面的正投影与所述第一表面的中心在第一方向的距离可以大于或等于所述发光芯片在所述第一方向长度的25％；

19、所述第三侧面和所述第四侧面与所述第一表面的夹角都为锐角；

20、所述第一方向为所述第一侧面的延伸方向。

21、在本公开的示例性实施例中，所述发光芯片可以包括位于所述透明基底所述第二表面远离所述第一表面的一侧的多个发光单元，所述多个发光单元包括所述第一发光单元；

22、所述多个发光单元中的每一个在所述第一表面的正投影与所述第一表面的中心都无交叠。

23、在本公开的示例性实施例中，所述发光芯片还可以包括保护层，所述保护层位于所述第一发光单元远离所述透明基底的一侧；

24、所述保护层在所述第一表面的正投影与各所述发光单元在所述第一表面的正投影相交叠；

25、所述保护层在所述第一表面的正投影覆盖所述第一表面的中心。

26、在本公开的示例性实施例中，所述多个发光单元可以包括所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元的发光颜色互不相同；

27、其中，所述第二发光单元和所述第三发光单元在所述第一表面的正投影位于所述第一表面中心的两侧，并且所述第二发光单元和所述第三发光单元分别位于所述第一发光单元自身的一条对称轴的两侧。

28、在本公开的示例性实施例中，所述发光芯片还可以包括位于所述第一表面和所述第二表面之间的断裂部，所述断裂部与和所述第一表面之间的夹角为锐角的侧面连接设置。

29、在本公开的示例性实施例中，所述多个发光单元中的至少一个与所述透明基底可以满足：

30、x/l在0.25至0.5范围内；

31、其中，x为所述发光单元的中心与所述透明基底第二表面边缘之间的距离；

32、l为所述透明基底的所述第二表面沿x所在方向上的长度。

33、在本公开的示例性实施例中，所述多个发光单元中的至少一个与所述透明基底可以满足：

34、1＜x1/x2≤9；

35、其中，x1为所述发光单元的中心与所述透明基底第二表面的第一侧边缘之间的距离；

36、x2为所述发光单元的中心与所述透明基底第二表面的第二侧边缘之间的距离，所述第二表面的第二侧与第一侧相对设置。

37、本公开实施例还提供了一种如上本公开实施例提供的发光芯片的制造方法，所述制造方法包括：

38、在所述透明基底的所述第二表面上形成至少一个发光单元，所述至少一个发光单元包括所述第一发光单元；

39、对带有所述发光单元的所述透明基底进行分割，使得在所述透明基底的所述第一表面与所述第二表面之间形成所述透明基底的所述侧面，得到所述发光芯片。

40、在本公开的示例性实施例中，所述在所述透明基底的所述第二表面上形成至少一个发光单元可以包括：

41、在衬底上形成发光单元；

42、采用巨量转移工艺将所述衬底上的至少一个所述发光单元转移到所述透明基底的所述第二表面上。

43、在本公开的示例性实施例中，所述对带有所述发光单元的所述透明基底进行分割，使得在所述透明基底的所述第一表面与所述第二表面之间形成所述透明基底的所述侧面可以包括：

44、对所述透明基底进行第一次分割，使带有所述发光单元的所述透明基底被分割为多个独立的发光芯片；沿着与所述独立的发光芯片的透明基底的第一表面成一定角度的方向，自所述透明基底的第一表面朝向第二表面对所述独立的发光芯片的透明基底进行第二次分割，形成所述透明基底的所述侧面；或者，

45、对带有所述发光单元的所述透明基底的第一表面进行刻蚀，在所述透明基底上形成沟槽，在所述沟槽中对所述透明基底进行第一次分割，使所述透明基底断裂，从而形成所述透明基底的所述侧面。

46、本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基板和位于所述基板上的如上本公开实施例提供的发光芯片，并且所述发光芯片的所述透明基底位于所述显示装置的出光侧。

47、本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得更加清楚，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

技术特征：

1.一种发光芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光单元的出光面轮廓为矩形；

3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述透明基底的第一表面和第二表面的轮廓都为矩形，所述侧面包括相对设置的第一侧面和第二侧面，以及相对设置的第三侧面和第四侧面；

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角为θ，θ满足：

5.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角在30°至80°范围内。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述透明基底的厚度不超过100μm。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光单元出光面中心在所述第一表面的正投影与所述第一表面的中心在第一方向的距离大于或等于所述发光芯片在所述第一方向长度的25％；

8.根据权利要求7所述的发光芯片，其特征在于，包括位于所述透明基底所述第二表面远离所述第一表面的一侧的多个发光单元，所述多个发光单元包括所述第一发光单元；

9.根据权利要求8所述的发光芯片，其特征在于，还包括保护层，所述保护层位于所述第一发光单元远离所述透明基底的一侧；

10.根据权利要求8所述的发光芯片，其特征在于，所述多个发光单元包括所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元的发光颜色互不相同；

11.根据权利要求1至5中任一项所述的发光芯片，其特征在于，还包括位于所述第一表面和所述第二表面之间的断裂部，所述断裂部与和所述第一表面之间的夹角为锐角的侧面连接设置。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述多个发光单元中的至少一个与所述透明基底满足：

13.根据权利要求12所述的发光芯片，其特征在于，所述多个发光单元中的至少一个与所述透明基底满足：

14.一种根据权利要求1至13中任一项所述的发光芯片的制造方法，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述在所述透明基底的所述第二表面上形成至少一个发光单元包括：

16.根据权利要求14或15所述的制造方法，其特征在于，所述对带有所述发光单元的所述透明基底进行分割，使得在所述透明基底的所述第一表面与所述第二表面之间形成所述透明基底的所述侧面包括：

17.一种显示装置，其特征在于，包括：基板和位于所述基板上的根据权利要求1至13中任一项所述的发光芯片，并且所述发光芯片的所述透明基底位于所述显示装置的出光侧。

技术总结
一种发光芯片及其制造方法、显示装置，所述发光芯片包括：透明基底，所述透明基底具有相互平行的第一表面和第二表面、以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的侧面；第一发光单元，位于所述透明基底所述第二表面远离所述第一表面的一侧；其中，过所述透明基底中心且沿所述第一表面平行的直线与所述侧面相交的两个位置中，至少一个位置的所述侧面与所述第一表面之间的夹角为锐角。本公开实施例的发光芯片的光形对称性较高，画质较高。

技术研发人员：樊琦,孙元浩,赵加伟,卢元达,熊志军,陈泽丹,马俊杰
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5