本技术属于制造半导体的设备,更具体地说,是涉及一种载具舟底座组件及立式炉。
背景技术:
1、当前光伏行业的扩散,氧化、退火、掺杂、pecvd(低压化学气相沉积法),lpcvd(等离子增强化学气相沉积法)等工艺生产有立式炉和卧式炉两种类型,这两种类型的结构都需要将硅片装在特定的载具中传输入反应腔体内进行工艺,通过通入的特定的反应气体,从而实现对硅片进行特定的镀膜,扩散,氧化和薄膜沉积等工艺。在现有的两层炉管设计中,利用底座和顶壁分别将双层炉管的两端密封起来形成直通的腔体,将待处理的硅片放在直通腔体内,利用双层炉管上的加热层对直通腔体进行加热。
2、现有载具舟通常悬挂在内炉与外炉之间的反应腔内,此时载具舟的位置是固定设置的,无法调节位置及角度。此种放置方式,会导致通入反应气体或者升温温度差异时,气场和热场局部不均匀,导致高温情况下分解与硅片反应时,出现均匀性差,影响整体的工艺良率,导致同批次做出来的电池片良莠不齐。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种载具舟底座组件及立式炉,以解决现有载具舟采用悬挂的方式固定设置在立式炉的容纳腔内,导致载具舟上的硅片受热不均匀的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
3、本实用新型提供一种载具舟底座组件,包括:
4、旋转底座,所述旋转底座具有多个供载具舟穿设的承载位;
5、多对承载件,每一对承载件位于一个承载位的两侧,并可折叠地设置在旋转底座上;
6、所述每一对承载件处于折叠状态,用于避让所述承载位以使所述载具舟穿设所述承载位,所述每一对承载件处于展开状态,用于承载所述载具舟。
7、进一步,所述每一对承载件中的每个承载件包括承载固定部和承载活动部,所述承载固定部固定设置在所述旋转底座上,所述承载活动部可转动地设置在所述承载固定部上,所述每一对承载件处于折叠状态,所述每个承载件中的所述承载活动部远离所述承载位设置,所述每一对承载件处于展开状态,所述每个承载件中的所述承载活动部朝向所述承载位设置并抵接于所述载具舟。
8、进一步,每个承载件中的所述承载固定部上设有旋转轴,所述承载活动部包括相对的两个第一承载杆和与所述两个第一承载杆相连接的第二承载杆,所述两个承载杆远离所述第二承载杆的一端套设在所述旋转轴的两端。
9、进一步,任意相邻两对承载件中,属于其中一对承载件的一个承载固定部与属于另一对承载件的一个承载固定部相连接。
10、进一步,所述旋转底座上还设有用于护住所述载具舟的护栏。
11、进一步,所述护栏采用网状型。
12、进一步,所述承载位为设置在所述旋转底座上的缺口。
13、进一步,所述旋转底座设有中心孔,多个承载位围绕所述中心孔设置。
14、进一步,所述承载位的个数为六个。
15、本实用新型还提供一种立式炉,包括如前文所述的载具舟底座组件,以及用于驱动所述旋转底座旋转的驱动装置。
16、本实用新型提供的载具舟底座组件及立式炉的有益效果在于:与现有技术相比,本实用新型采用具有多个承载位的旋转底座,以及与旋转底座的多个承载位相对应的多对承载件,通过控制多对承载件在折叠状态与展开状态之间切换,实现载具舟的取放,同时,旋转底座在转动时能够带动载具舟一同旋转,从而提升载具舟上硅片的受热均匀性。
1.一种载具舟底座组件,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述每一对承载件中的每个承载件包括承载固定部和承载活动部,所述承载固定部固定设置在所述旋转底座上,所述承载活动部可转动地设置在所述承载固定部上,所述每一对承载件处于折叠状态,所述每个承载件中的所述承载活动部远离所述承载位设置,所述每一对承载件处于展开状态,所述每个承载件中的所述承载活动部朝向所述承载位设置并抵接于所述载具舟。
3.如权利要求2所述的载具舟底座组件,其特征在于,每个承载件中的所述承载固定部上设有旋转轴,所述承载活动部包括相对的两个第一承载杆和与所述两个第一承载杆相连接的第二承载杆,所述两个承载杆远离所述第二承载杆的一端套设在所述旋转轴的两端。
4.如权利要求2所述的载具舟底座组件,其特征在于,任意相邻两对承载件中,属于其中一对承载件的一个承载固定部与属于另一对承载件的一个承载固定部相连接。
5.如权利要求1所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述旋转底座上还设有用于护住所述载具舟的护栏。
6.如权利要求5所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述护栏采用网状型。
7.如权利要求1所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述承载位为设置在所述旋转底座上的缺口。
8.如权利要求1所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述旋转底座设有中心孔,多个承载位围绕所述中心孔设置。
9.如权利要求1所述的载具舟底座组件,其特征在于,所述承载位的个数为六个。
10.一种立式炉,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的载具舟底座组件,以及用于驱动所述旋转底座旋转的驱动装置。
