发光芯片、显示装置和制造方法与流程

本公开涉及但不限于显示，尤其涉及一种发光芯片、显示装置和制造方法。

背景技术：

1、因微发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)的生产方法原因，实现全彩化显示，通常只使用单色led，目前常使用蓝光led加量子点(quantum dot，qd)的方案来实现。因使用单光led的原因，这造成了全彩化显示效果不理想，而且生产过程也较为复杂。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开至少一实施例提供了一种发光芯片，包括反射结构和三个沿第一方向层叠设置的发光层，三个所述发光层设置为出射不同颜色的光线；

3、所述反射结构包括至少两个反射层，相邻的两个所述发光层之间都设置有至少一个所述反射层，所述反射结构设置为引导三个所述发光层的光线向同一方向射出。

4、在一些示例性实施例中，三个所述发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层和第三发光层；

5、所述反射结构包括三个反射层，三个所述反射层包括夹在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一反射层，夹在所述第二发光层和所述第三发光层之间的第二反射层，以及位于所述第三发光层背向所述第二发光层的一侧的第三反射层；

6、所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层在背向所述第三反射层的一侧都设有用以射出光线的出光面，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的出光面设置为在第二方向上错开布置，所述第二方向与所述第一方向交叉。

7、在一些示例性实施例中，所述第一发光层背向所述第二发光层的端面构成所述第一发光层的出光面；

8、所述第二发光层包括在所述第二方向一端突出所述第一发光层的第一突出部，所述第一突出部背向所述第三发光层的端面构成所述第二发光层的出光面；

9、所述第三发光层包括在所述第二方向一端突出所述第二发光层的第二突出部，所述第二突出部面向所述第二发光层的端面构成所述第三发光层的出光面。

10、在一些示例性实施例中，还包括电极组件，所述电极组件包括第一电极和三个第二电极；

11、所述第一电极位于所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层在所述第二方向上的同一端，且分别连接所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层；

12、三个所述第二电极设置为与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的出光面一一对应连接。

13、在一些示例性实施例中，三个所述发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层和第三发光层；

14、所述反射结构包括四个反射层，四个所述反射层包括夹在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一反射层，夹在所述第二发光层和所述第三发光层之间的第二反射层，位于所述第三发光层背向所述第二发光层的一侧的第三反射层，位于所述第一发光层背向所述第二发光层的一侧的第四反射层；

15、所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层在第二方向的一端设有出光面，所述第二方向与所述第一方向交叉。

16、在一些示例性实施例中，还包括电极组件，所述电极组件包括第一电极和三个第二电极；

17、所述第一电极位于所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层在所述第二方向上的同一端，且分别连接所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层；

18、三个所述第二电极设置为与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的出光面一一对应连接。

19、在一些示例性实施例中，至少一个所述反射层包括层叠设置的金属反射层和绝缘层，所述金属反射层设置为与所述反射层一侧的发光层贴合，所述金属反射层被配置为所述发光层的电极。

20、在一些示例性实施例中，至少一个所述反射层包括两个所述金属反射层，所述绝缘层夹在两个所述金属反射层之间，所述金属反射层设置为分别与反射层两侧的发光层贴合。

21、在一些示例性实施例中，至少一个所述反射层包括至少两个层叠设置的第一膜层，至少两个所述第一膜层设有不同的折射率。

22、在一些示例性实施例中，所述第一发光层设置为第一半导体层，所述第一半导体层出射的光线设置为红光；

23、所述第二发光层设置为第二半导体层，所述第二半导体层出射的光线设置为绿光；

24、所述第三发光层设置为第三半导体层，所述第三半导体层出射的光线设置为蓝光。

25、本公开至少一实施例提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述的发光芯片。

26、本公开至少一实施例提供了一种制造方法，应用于上述的发光芯片，包括：

27、在衬底上沉积多个反射层和多个外延层；

28、刻蚀形成层叠结构，所述层叠结构包括层叠的三个发光层，所述发光层都设有裸露的出光面；

29、在一些示例性实施例中，还包括：

30、沉积导电薄膜，将发光层于第二方向上的同一端沉积导电薄膜，形成第一电极，所述第二方向垂直于所述第一方向，再在所述发光层的出光面上分别沉积导电薄膜，形成三个第二电极。

31、在一些示例性实施例中，还包括：

32、沉积第一导电薄膜，在发光层于第二方向上的同一端沉积第一导电薄膜，形成第一电极，所述第二方向与所述第一方向交叉；

33、去除衬底并转移到基板上，所述层叠结构转移到基板上时保持第一电极面向基板；

34、沉积第二导电薄膜，在发光层的出光面一侧沉积第二导电薄膜，形成与三个所述发光层一一对应的三个第二电极。

35、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种发光芯片，其特征在于，包括反射结构和三个沿第一方向层叠设置的发光层，三个所述发光层设置为出射不同颜色的光线；

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，三个所述发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层和第三发光层；

3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光层背向所述第二发光层的端面构成所述第一发光层的出光面；

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，还包括电极组件，所述电极组件包括第一电极和三个第二电极；

5.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，三个所述发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层和第三发光层；

6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，还包括电极组件，所述电极组件包括第一电极和三个第二电极；

7.根据权利要求1至6任一所述的发光芯片，其特征在于，至少一个所述反射层包括层叠设置的金属反射层和绝缘层，所述金属反射层设置为与所述反射层一侧的发光层贴合，所述金属反射层被配置为所述发光层的电极。

8.根据权利要求7所述的发光芯片，其特征在于，至少一个所述反射层包括两个所述金属反射层，所述绝缘层夹在两个所述金属反射层之间，所述金属反射层设置为分别与反射层两侧的发光层贴合。

9.根据权利要求1至6任一所述的发光芯片，其特征在于，至少一个所述反射层包括至少两个层叠设置的第一膜层，至少两个所述第一膜层设有不同的折射率。

10.根据权利要求3或5所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光层设置为第一半导体层，所述第一半导体层出射的光线设置为红光；

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一所述的发光芯片。

12.一种制造方法，应用于如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括：

14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括：

技术总结
一种发光芯片、显示装置和制造方法。发光芯片包括反射结构和三个沿第一方向层叠设置的发光层，三个所述发光层设置为出射不同颜色的光线；所述反射结构包括至少两个反射层，相邻的两个所述发光层之间都设置有至少一个所述反射层，所述反射结构设置为引导三个所述发光层的光线向同一方向射出。显示装置包括上述的发光芯片。制造方法包括沉积、刻蚀、沉积导电薄膜。

技术研发人员：高志坤,秦斌,孙双,王锦谦
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5