阵列基板及其制造方法、显示面板与流程

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本技术涉及显示,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。


背景技术:

1、液晶显示面板具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的显示市场中占据了主导地位。

2、通常情况下,液晶显示面板包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于二者之间的液晶层。其中,阵列基板在显示区内可以集成多个薄膜晶体管(英文:thin filmtransisto;简称:tft),以及与多个tft一一对应电连接的像素电极。

3、然而,目前的阵列基板的像素密度(英文:pixels per inch,简称:ppi)通常较低,导致保证这种阵列基板的液晶显示面板的显示效果较差。


技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板。可以解决现有技术的阵列基板的ppi较低的问题,所述技术方案如下:

2、一方面,提供了一种阵列基板,包括:

3、衬底;

4、位于所述衬底一侧的多条数据线;

5、位于所述多条数据线背离所述衬底一侧的多个有源层图案,所述多个有源层图案与所述多条数据线对应,且所述有源层图案包括:第一导体部,以及位于所述第一导体部两侧的两个第二导体部,所述有源层图案中的所述第一导体部与对应的数据线电连接;

6、以及,位于所述多个有源层图案背离所述衬底一侧的多个像素电极,所述有源层图案中的所述两个第二导体部分别与两个不同的所述像素电极电连接。

7、可选的,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案背离所述衬底一侧的多条栅线,所述栅线与所述有源层图案绝缘;

8、所述有源层图案还包括:位于所述第一导体部与所述第二导体部之间的沟道区,所述有源层图案中的两个所述沟道区与两条不同的所述栅线对应,且所述沟道区在所述衬底上的正投影与对应的栅线在所述衬底上的正投影相交叠。

9、可选的,所述有源层图案中的两个所述沟道区所对应的两条栅线相邻分布。

10、可选的,所述多条数据线沿第一方向顺次排布,所述多条栅线沿第二方向顺次排布,所述有源层图案中的所述两个第二导体部在所述第一方向上分布在对应的数据线的两侧,且在所述第二方向上分布在所述有源层图案中的两个所述沟道区所对应的两条栅线的两侧。

11、可选的,所述有源层图案中的所述第一导体部包括位于对应的数据线一侧的第一部分,以及位于对应的数据线另一侧的第二部分;

12、在两列相邻所述有源层图案中,一列所述有源层图案中的多个第一部分与另一列所述有源层图案中的多个第二部分均位于两条相邻的所述数据线之间,且一列所述有源层图案中的多个第一部分与另一列所述有源层图案中的多个第二部分交替排布。

13、可选的,所述有源层图案中的两个所述沟道区分别为:与所述第一部分相邻设置的第一沟道区,以及与所述第二部分相邻设置的第二沟道区;

14、在两行相邻的所述有源层图案中,一行所述有源层图案中的多个第一沟道区与另一行所述有源层图案中的多个第一沟道区交替排布,且一行所述有源层图案中的多个第一沟道区与另一行所述有源层图案中的多个第一沟道区交替排布均与同一条第一栅线交叠;

15、其中,所述第一栅线为所述多条栅线中的一条栅线。

16、可选的,在两行相邻的所述有源层图案中,一行所述有源层图案中的多个第二沟道区均与同一条第二栅线交叠,另一行所述有源层图案中的多个第二沟道区均与同一条第三栅线交叠;

17、其中,所述第二栅线为所述多条栅线位于所述第一栅线一侧的一条栅线,所述第三栅线为所述多条栅线位于所述第一栅线一侧的另一条栅线。

18、可选的,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案背离所述衬底一侧的多个辅助电极,所述多个辅助电极与所述多个有源层图案一一对应,所述有源层图案中的所述第一导体部通过对应的辅助电极与对应的数据线电连接。

19、可选的,所述多个辅助电极与所述多条栅线同层设置且材料相同。

20、可选的,所述阵列基板还包括:第一层间界电层和栅极绝缘层;

21、所述第一层间界电层位于所述多条数据线背离所述衬底的一侧,所述多个有源层图案位于所述第一层间界电层背离所述衬底的一侧;所述栅极绝缘层位于所述多个有源层图案背离所述衬底的一侧,所述多条栅线和所述多个辅助电极均位于所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧;

22、其中,所述阵列基板具有贯穿所述第一层间界电层的第一过孔,以及依次贯穿所述栅极绝缘层和所述第一层间界电层的第二过孔;所述第一导体部通过所述第一过孔与所述数据线搭接,且所述辅助电极通过所述第二过孔分别与所述数据线和所述第一导体部搭接。

23、可选的,所述第二过孔在所述衬底上的正投影中的一部分位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影内,另一部分位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影外。

24、可选的,所述阵列基板还包括:与所述多个像素电极一一对应的多个转接电极,在垂直于所述衬底的方向上,所述多个转接电极位于所述多个有源层图案与所述多个像素电极之间,且所述像素电极通过对应的转接电极与所述第二导体部电连接。

25、可选的,所述阵列基板还包括:栅极绝缘层、第二层间界电层和平坦层;

26、所述栅极绝缘层位于所述多个有源层图案背离所述衬底的一侧,所述多条栅线位于所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧;所述第二层间界电层位于所述多条栅线背离所述衬底的一侧,所述多个转接电极位于所述第二层间界电层背离所述衬底的一侧;所述平坦层位于所述多个转接电极背离所述衬底的一侧,所述多个像素电极位于所述平坦层背离所述衬底的一侧;

27、其中,所述阵列基板具有贯穿所述平坦层的第三过孔,以及依次贯穿所述第二层间界电层和所述栅极绝缘层的第四过孔;所述像素电极通过所述第三过孔与所述转接电极搭接,且所述转接电极通过所述第四过孔与所述第二导体部搭接。

28、可选的,所述转接电极包括:相连接的第一子转接电极和第二子转接电极,所述第一子转接电极在所述衬底上的正投影位于所述栅线在所述衬底上的正投影内,所述第二子转接电极在所述衬底上的正投影位于所述栅线在所述衬底上的正投影外;

29、其中,所述第三过孔在所述衬底上的正投影与所述第一子转接电极在所述衬底上的正投影相交叠,所述第四过孔在所述衬底上的正投影与所述第二子转接电极在所述衬底上的正投影相交叠。

30、可选的,所述转接电极为透明电极。

31、可选的,所述阵列基板还包括:位于所述多个像素电极背离所述衬底一侧的钝化层,以及位于所述钝化层背离所述衬底一侧的支撑层,所述支撑层中的一部分填充在所述第三过孔内,另一部分相对于所述钝化层背离所述衬底的一侧凸出。

32、可选的,所述支撑层包括:与所述多条栅线一一对应的多个支撑条,且所述支撑条在所述衬底上的正投影覆盖对应的栅线在所述衬底上的正投影。

33、可选的,所述支撑条包括:多个支撑条本体,以及位于两个相邻的所述支撑条本体之间的支撑柱,在所述多条栅线的排布方向上,所述支撑柱的宽度大于所述支撑条本体的宽度。

34、可选的,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案靠近所述衬底一侧的多条辅助遮光线,所述多条辅助遮光线与所述多条栅线一一对应,所述辅助遮光线在所述衬底上的正投影覆盖对应的栅线在所述衬底上的正投影,且所述有源层图案中的所述沟道区在所述衬底上的正投影位于所述辅助遮光线在所述衬底上的正投影内。

35、可选的,所述阵列基板还包括:位于所述多个像素电极背离所述衬底一侧的多条公共电极线,所述公共电极线具有遮光性,且所述多条公共电极线与所述多条数据线一一对应,所述公共电极线在所述衬底上的正投影覆盖对应的数据线在所述衬底上的正投影。

36、另一方面,提供了一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:

37、在衬底的一侧形成多条数据线;

38、在所述多条数据线背离所述衬底一侧形成多个有源层图案,所述多个有源层图案与所述多条数据线对应,且所述有源层图案包括:第一导体部,以及位于所述第一导体部两侧的两个第二导体部,所述有源层图案中的所述第一导体部与对应的数据线电连接;

39、在所述多个有源层图案背离所述衬底一侧形成多个像素电极,所述有源层图案中的所述两个导体部分别与两个不同的所述像素电极电连接。

40、又一方面,提供了一种显示面板,包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板为上述的阵列基板。

41、本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:

42、一种阵列基板包括:衬底、多条数据线、多个有源层图案和多个像素电极。由于数据线位于有源层图案靠近衬底的一侧,像素电极位于有源层图案背离衬底的一侧。因此,有源层图案中的第一导体部需要在靠近衬底的一侧通过过孔与数据线电连接,有源层图案中的第二导体部需要在背离衬底的一侧通过过孔与像素电极的一侧连接。为此,阵列基板中用于连接第一导体部和数据线的过孔,以及用于连接像素电极和第二导体部的过孔分别设置在有源层图案相对设置的两侧。如此,即使将子像素区域的尺寸做小,使用于连接第一导体部和数据线的过孔,以及用于连接像素电极和第二导体部的过孔之间的水平距离较小,也可以保证这两个过孔不会连通,进而可以保证数据线与像素电极之间不会短路。这样,可以保证阵列基板中的子像素区域的尺寸不再受这两个过孔之间的水平距离的影响,使得子像素区域的尺寸较小,进而可以有效的提高阵列基板的ppi。此外,这种阵列基板中每两个晶体管可以通过用于连接第一导体部和数据线的过孔接入同一条数据线,有效的减少了阵列基板中用于连接第一导体部和数据线的过孔数量,以保证这些过孔的数量不会再对子像素区域的尺寸进行限制,使得子像素区域的尺寸可以进一步的缩小,进而可以进一步的提高阵列基板的ppi。如此,可以保证集成有这种阵列基板的液晶显示面板的ppi较高。


技术特征:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案背离所述衬底一侧的多条栅线,所述栅线与所述有源层图案绝缘;

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层图案中的两个所述沟道区所对应的两条栅线相邻分布。

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述多条数据线沿第一方向顺次排布,所述多条栅线沿第二方向顺次排布,所述有源层图案中的所述两个第二导体部在所述第一方向上分布在对应的数据线的两侧,且在所述第二方向上分布在所述有源层图案中的两个所述沟道区所对应的两条栅线的两侧。

5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层图案中的所述第一导体部包括位于对应的数据线一侧的第一部分,以及位于对应的数据线另一侧的第二部分;

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层图案中的两个所述沟道区分别为:与所述第一部分相邻设置的第一沟道区,以及与所述第二部分相邻设置的第二沟道区;

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在两行相邻的所述有源层图案中,一行所述有源层图案中的多个第二沟道区均与同一条第二栅线交叠,另一行所述有源层图案中的多个第二沟道区均与同一条第三栅线交叠;

8.根据权利要求2至7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案背离所述衬底一侧的多个辅助电极,所述多个辅助电极与所述多个有源层图案一一对应,所述有源层图案中的所述第一导体部通过对应的辅助电极与对应的数据线电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述多个辅助电极与所述多条栅线同层设置且材料相同。

10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:第一层间界电层和栅极绝缘层;

11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔在所述衬底上的正投影中的一部分位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影内,另一部分位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影外。

12.根据权利要求2-7、9-11任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:与所述多个像素电极一一对应的多个转接电极,在垂直于所述衬底的方向上,所述多个转接电极位于所述多个有源层图案与所述多个像素电极之间,且所述像素电极通过对应的转接电极与所述第二导体部电连接。

13.根据权利要求12所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:栅极绝缘层、第二层间界电层和平坦层;

14.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,所述转接电极包括:相连接的第一子转接电极和第二子转接电极,所述第一子转接电极在所述衬底上的正投影位于所述栅线在所述衬底上的正投影内,所述第二子转接电极在所述衬底上的正投影位于所述栅线在所述衬底上的正投影外;

15.根据权利要求14所述的阵列基板,其特征在于,所述转接电极为透明电极。

16.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述多个像素电极背离所述衬底一侧的钝化层,以及位于所述钝化层背离所述衬底一侧的支撑层,所述支撑层中的一部分填充在所述第三过孔内,另一部分相对于所述钝化层背离所述衬底的一侧凸出。

17.根据权利要求16所述的阵列基板,其特征在于,所述支撑层包括:与所述多条栅线一一对应的多个支撑条,且所述支撑条在所述衬底上的正投影覆盖对应的栅线在所述衬底上的正投影。

18.根据权利要求17所述的阵列基板,其特征在于,所述支撑条包括:多个支撑条本体,以及位于两个相邻的所述支撑条本体之间的支撑柱,在所述多条栅线的排布方向上,所述支撑柱的宽度大于所述支撑条本体的宽度。

19.根据权利要求2-7、9-11、12-18任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述多个有源层图案靠近所述衬底一侧的多条辅助遮光线,所述多条辅助遮光线与所述多条栅线一一对应,所述辅助遮光线在所述衬底上的正投影覆盖对应的栅线在所述衬底上的正投影,且所述有源层图案中的所述沟道区在所述衬底上的正投影位于所述辅助遮光线在所述衬底上的正投影内。

20.根据权利要求1-7、9-11、12-18任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述多个像素电极背离所述衬底一侧的多条公共电极线,所述公共电极线具有遮光性,且所述多条公共电极线与所述多条数据线一一对应,所述公共电极线在所述衬底上的正投影覆盖对应的数据线在所述衬底上的正投影。

21.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

22.一种显示面板,其特征在于,包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板为权利要求1至20任一所述的阵列基板。


技术总结
本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板,属于显示技术领域。阵列基板包括:衬底、多条数据线、多个有源层图案和多个像素电极。由于数据线位于有源层图案靠近衬底的一侧,像素电极位于有源层图案背离衬底的一侧。因此,有源层图案中的第一导体部需要在靠近衬底的一侧通过过孔与数据线电连接,有源层图案中的第二导体部需要在背离衬底的一侧通过过孔与像素电极的一侧连接。如此,可以保证阵列基板中的子像素区域的尺寸不再受这两个过孔之间的水平距离的影响,使得子像素区域的尺寸较小,进而可以有效的提高阵列基板的PPI。

技术研发人员:童彬彬,宁策,王利忠,周天民,张劲潮,黄睿,郭晖
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/5

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