MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置与流程

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法、其确定装置、计算机可读存储介质以及mram芯片的写入电路。

背景技术：

1、自旋转移技术-磁性随机存储器(spin transfer torque magnetoresistiverandom access memory，简称stt-mram)是一种非易失的新型存储器，具有高速读写能力以及可实现无限次擦写的特性。

2、stt-mram主要由磁性薄膜组成，其稳定性会受到磁场以及温度等外界因素的干扰，为了允许mram产品在存在外部磁场的情况下操作，目前已经提出了的磁屏蔽以及关闭芯片等解决方案。但是，磁屏蔽方式的价格昂贵且操作复杂，关闭芯片则会降低芯片性能。

3、因此，目前亟需一种方式，来提高芯片寿命或可擦写次数(endurance)，同时降低写入错误率(word error rate，简称wer)。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法、其确定装置、计算机可读存储介质以及mram芯片的写入电路，以至少解决现有技术中的mram由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题。

2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法，所述方法包括：获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组，所述预定参数用于表征芯片所在的环境参数，所述当前写入脉宽为所述芯片当前的实际脉宽；根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，所述目标写入脉宽为所述芯片的写入电压对应的脉宽；发出所述目标写入脉宽至所述芯片，使得所述芯片控制写入电压的实际脉宽为所述目标写入脉宽。

3、可选地，所述预定参数组中的多个所述预定参数按照获取的时间顺序排列，根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，包括：计算所述预定参数组中每两个相邻的所述预定参数的变化率，得到变化率组，确定所述变化率组中的最大值为第一数值；在所述第一数值大于第一预定值的情况下，确定所述芯片位于动态环境中，在所述第一数值不大于所述第一预定值的情况下，确定所述芯片位于静态环境中；在所述芯片位于所述动态环境的情况下，根据预定变化率以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，所述预定变化率为所述变化率组中的对应的时间最靠近当前时刻的所述变化率；在所述芯片位于所述静态环境的情况下，计算所述预定参数组中多个所述预定参数的平均值，得到第二数值，并根据所述第二数值以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽。

4、可选地，根据所述第二数值以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：确定所述第二数值是否小于第二预定值；在所述第二数值小于所述第二预定值的情况下，确定所述当前写入脉宽为所述目标写入脉宽；在所述第二数值不小于所述第二预定值的情况下，根据所述第二数值，确定第一脉宽变化值，所述第一脉宽变化值与所述第二数值成正比；计算所述当前写入脉宽与所述第一脉宽变化值的和，得到所述目标写入脉宽。

5、可选地，根据预定变化率以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：根据所述预定变化率，确定第二脉宽变化值，所述第二脉宽变化值与所述预定变化率成正比；计算所述当前写入脉宽与所述第二脉宽变化值的和，得到所述目标写入脉宽。

6、可选地，在获取预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组之后，所述方法还包括：保存所述预定参数组。

7、可选地，所述预定参数包括磁场以及温度中之一。

8、根据本申请的另一方面，提供了一种mram芯片的写入电压的脉宽确定装置，所述装置包括获取单元、确定单元以及发出单元，其中，所述获取单元用于获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组，所述预定参数用于表征芯片所在的环境参数，所述当前写入脉宽为所述芯片当前的实际脉宽；所述确定单元用于根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，所述目标写入脉宽为所述芯片的写入电压对应的脉宽；所述发出单元用于发出所述目标写入脉宽至所述芯片，使得所述芯片控制写入电压的实际脉宽为所述目标写入脉宽。

9、根据本申请的再一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行任一种所述的mram芯片的写入电压的脉宽确定方法。

10、根据本申请的又一方面，提供了一种mram芯片的写入电路，所述写入电路包括传感元件、处理器以及mram芯片，其中，所述传感元件用于采集预定参数，所述预定参数用于表征芯片所在的环境参数；所述处理器与所述传感元件连接，所述处理器用于执行任一种所述的mram芯片的写入电压的脉宽确定方法；所述mram芯片与所述处理器连接，所述mram芯片用于接收目标写入脉宽，使得所述芯片控制写入电压的实际脉宽为所述目标写入脉宽。

11、可选地，所述mram芯片包括控制区以及阵列区，其中，所述控制区用于接收所述目标写入脉宽，所述控制区还用于调整所述阵列区的写入电压的实际脉宽为所述目标写入脉宽。

12、可选地，所述传感元件包括磁场传感器、磁敏感元件、温度传感器以及温度敏感元件中之一。

13、可选地，所述传感元件位于所述mram芯片内部，或者所述传感元件与所述mram芯片均独立设置。

14、应用本申请的技术方案，所述的mram芯片的写入电压的脉宽确定方法中，首先，获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组，所述预定参数用于表征芯片所在的环境参数，所述当前写入脉宽为所述芯片当前的实际脉宽；然后，根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，所述目标写入脉宽为所述芯片的写入电压对应的脉宽；最后，发出所述目标写入脉宽至所述芯片，使得所述芯片控制写入电压的实际脉宽为所述目标写入脉宽。相比现有技术中的mram由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题，本申请的所述mram芯片的写入电压的脉宽确定方法，通过实时获取的多个预定参数以及所述当前写入脉宽来确定目标写入脉宽，使得可以根据实时获取的环境参数确定所述当前写入脉宽，保证了芯片的写入电压的脉宽可以根据环境参数实时调整，避免了现有技术中由于环境影响导致的写入的错误率较高的问题，解决了现有技术中mram由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题，保证了所述mram芯片的性能较好。

技术特征：

1.一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定参数组中的多个所述预定参数按照获取的时间顺序排列，根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第二数值以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据预定变化率以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组之后，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定参数包括磁场以及温度中之一。

7.一种mram芯片的写入电压的脉宽确定装置，其特征在于，所述装置包括：

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行权利要求1至6中任意一项所述的mram芯片的写入电压的脉宽确定方法。

9.一种mram芯片的写入电路，其特征在于，所述写入电路包括：

10.根据权利要求9所述的mram芯片的写入电路，其特征在于，所述mram芯片包括：

11.根据权利要求9所述的mram芯片的写入电路，其特征在于，所述传感元件包括磁场传感器、磁敏感元件、温度传感器以及温度敏感元件中之一。

12.根据权利要求9所述的mram芯片的写入电路，其特征在于，所述传感元件位于所述mram芯片内部，或者所述传感元件与所述mram芯片均独立设置。

技术总结
本申请提供了一种MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置。该方法包括：首先，获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个预定参数组成预定参数组，预定参数用于表征芯片所在的环境参数，当前写入脉宽为芯片当前的实际脉宽；然后，根据预定参数组以及当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，目标写入脉宽为芯片的写入电压对应的脉宽；最后，发出目标写入脉宽至芯片，使得芯片控制写入电压的实际脉宽为目标写入脉宽。通过多个预定参数以及当前写入脉宽来确定目标写入脉宽，使得可以根据获取的环境参数确定当前写入脉宽，解决了现有技术中MRAM由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题，保证了MRAM芯片的性能较好。

技术研发人员：付婷,严政人,杨晓蕾,曹倩,孙娟娟
受保护的技术使用者：浙江驰拓科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5