介质滤波器、通信设备及基站的制作方法
本技术涉及射频通信的，尤其涉及一种介质滤波器、通信设备及基站。
背景技术：
1、介质滤波器是射频通信领域非常重要的电气元件，高品质因子是衡量介质滤波器的重要参数，腔体滤波器具有比较高的品质因子，然而腔体滤波器的体积较大，不利于介质滤波器的小型化，而介质滤波器的小型化又是业界研发的方向，因此，亟需一种高品质因子且小型化的介质滤波器。
技术实现思路
1、本技术提供一种介质滤波器、通信设备及基站，该介质滤波器即具有高品质因子，又利于小型化。
2、第一方面，本技术实施例提供一种介质滤波器，包括第一介质体、第一导体层和第二导体层，所述第一介质体为固体，所述第一介质体包括外表面和第一内壁，所述第一内壁包围形成第一内腔。所述第一导体层覆盖在所述第一介质体的外表面，所述第二导体层位于所述第一内腔且连接所述第一内壁。
3、本实施例中，由于第一介质体为固体，相较于第一介质体为空气而言，第一介质体为固体时具有更高的介电常数，在相同尺寸下能够提高介质滤波器的电容值，有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，所述第一导体层和所述第二导体层通过所述第一介质体绝缘设置。由于第二导体层连接在第一内壁，第二导体层可等效为一个电感，相当于本实施例中的介质滤波器增设了一个电感，以提高介质滤波器的整体电感值，从而有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，通过将第二导体层连接在第一内壁，而第一内壁围合形成第一内腔，从而通过第二导体层能够压缩第一内腔的空间，具体相当于降低了介质滤波器的电容的两个极板之间的距离，从而可以提高本实施例中的介质滤波器的电容值，有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。由于第一介质体为固体，且第一导体层覆盖在第一介质体的外表面，第二导体层则连接在第一介质体的第一内壁，从而使得第一介质体可作为一个支撑体，以支撑第一导体层和第二导体层，使得第一导体层和第二导体层的固定更为稳定便捷。而且对于本实施例中的介质滤波器，只要能够精准控制第一介质体的制造精度，在第一介质体的基础上形成第一导体层和第二导体层，就能够精准控制第一导体层和第二导体层的精准度，以及精准控制第一导体层和第二导体层的相对位置关系的精度，而第一介质体的精度则相对比较容易控制，由此有利于提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。
4、一些实施例中，所述介质滤波器包括至少一个介质谐振器，所述第一介质体、所述第一导体层和所述第二导体层构成其中一个所述介质谐振器，所述介质谐振器具有至少两个谐振模式。本实施例中，由第一介质体、第一导体层和第二导体层构成的介质谐振器至少两个谐振模式，而第二导体层和第一介质体均收容于第一导体层围成的腔体内，从而使得本实施例中的介质滤波器能够满足一腔双模或一腔多模的条件，相较于一腔一模的介质滤波器，由本实施例中的介质滤波器构成的多阶滤波器和通信设备有利于小型化。
5、一些实施例中第一导体层为中心对称的架构。由于第一导体层为中心对称的架构，从而使得第一导体层能够满足产生两个或三个谐振模式的边界条件，从而有利于由本实施例中的介质滤波器构成的多阶滤波器或通信设备的小型化。
6、一些实施例中，所述第一介质体的外表面呈正方体架构，所述第一导体层呈正方体架构。本实施例中，由于第一介质体的外表面呈正方体架构，第一导体层呈正方体架构，从而使得第一导体层围合形成一个呈正方体状的腔体，使得第一导体层能够满足产生三个谐振模式的边界条件，从而有利于由本实施例中的介质滤波器构成的多阶滤波器或通信设备的小型化。
7、一些实施例中，第一导体层呈球形结构。
8、一些实施例中，第一导体层呈三维锥体结构。
9、一些实施例中，所述第一内壁被所述第二导体层完全贴附，所述第二导体层呈腔体结构。本实施例中，通过将第一内壁被第二导体层完全贴附，而且第二导体层呈腔体结构，从而通过第二导体层将第一介质体的第一内壁所围成的第一内腔完全压缩，在有限的尺寸内可以最大程度的降低本实施例中的介质滤波器的电容的两个极板之间的距离，从而有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，由于第二导体层呈腔体结构，从而可以减小第二导体层材料的使用成本。
10、一些实施例中，所述介质滤波器还包括第二介质体，所述第二介质体位于在所述第二导体层所围成的腔体内。本实施例中，通过将第二介质体设置在第二导体层所围成的腔体内，第二介质体能够起到支撑第二导体层的作用，能够提高第二导体层的稳定性。
11、一些实施例中，所述第二介质体为气体或液体或固体。
12、一些实施例中，所述第二导体层和所述第一介质体的中心重合。本实施例中，通过将第二导体层与第一介质体的中心重合设置，可以降低第二导体层对介质谐振器的部分谐振模式的影响，利于提高本实施例中的介质滤波器的设计精度。
13、一些实施例中，所述第一介质体上开设有连通所述第一内腔的连接通孔。本实施例中，第二导体层的熔点低于第一介质体的熔点的时候，通过连接通孔，还可以降低本实施例中的介质滤波器的制造难度。
14、一些实施例中，所述第一介质体包括第一部分和第二部分，所述第一部分上开设有第一盲槽，所述第二部分上开设有与所述第一盲槽对应的第二盲槽，所述第一部分和所述第二部分连接，所述第一盲槽和所述第二盲槽连接形成所述第一内腔。本实施例中，通过将第一介质体分为第一部分和第二部分，第一部分上形成第一盲槽，第二部分上形成第二盲槽，然后通过第一部分和第二部分连接，将第一盲槽和第二盲槽连接而形成第一内腔，从而可以降低本实施例中的介质滤波器的制造难度。
15、一些实施例中，所述第一介质体包括第一部分和第二部分，所述第一部分上开设有安装盲孔，所述第二部分设置在所述安装盲孔内的开口端，并与所述第一部分连接，所述第二部分将所述安装盲孔的开口封堵形成所述第一内腔。本实施例中，通过将第一介质体分为第一部分和第二部分，然后在第一部分上开设安装盲孔，通过第一部分和第二部分的连接，能够形成第一内腔，从而可以降低本实施例中的介质滤波器的制造难度。
16、一些实施例中，所述介质滤波器还包括调频结构，所述调频结构围合形成调频盲孔，所述第一导体层环绕所述调频盲孔的开口，所述调频盲孔用于调节所述介质谐振器的谐振模式的频率。本实施例中，通过调频盲孔，可以调节介质谐振器的谐振模式的频率，以满足对不同频率的谐振频率的需求。
17、一些实施例中，所述介质滤波器还包括耦合结构，所述耦合结构围合形成耦合盲孔，所述第一导体层环绕所述耦合盲孔的开口，所述耦合盲孔用于调节介质谐振器的两个谐振模式之间的耦合强度。本实施例中，通过开设耦合盲孔，可以调节介质谐振器的两个谐振模式之间的耦合强度，以使两个耦合模式之间产生所需强度的耦合效果。
18、一些实施例中，所述第一介质体还包括第二内壁，所述第二内壁包围形成第二内腔，所述第一内腔和所述第二内腔间隔设置，所述介质滤波器还包括第三导体层，所述第三导体层贴附在所述第二内壁，所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层通过所述第一介质体两两绝缘设置。
19、本实施例中，由于第一介质体为固体，且第一导体层覆盖在第一介质体的外表面，第二导体层则连接在第一介质体的第一内壁，第三导体层则连接在第一介质体的第二内壁，从而使得第一介质体可作为一个支撑体，以支撑第一导体层、第二导体层和第三导体层，使得第一导体层、第二导体层和第三导体层的固定更为稳定便捷。而且对于本实施例中的介质滤波器，只要能够精准控制第一介质体的制造精度，在第一介质体的基础上形成第一导体层、第二导体层和第三导体层，就能够精准控制第一导体层、第二导体层和第三导体层的精准，以及精准控制第一导体层、第二导体层和第三导体层的相对位置关系的精度，而第一介质体的精度则相对比较容易控制，由此有利于提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。此外，由于第一介质体为固体，相较于第一介质体为空气而言，第一介质体为固体时具有更高的介电常数，在相同尺寸下能够提高介质滤波器的电容值，进而有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，所述第一导体层、所述第二导体层和第三导体层通过所述第一介质体两两绝缘设置。由于第二导体层连接在第一内壁，第三导体层连接在第二内壁，第二导体层和第三导体层可等效为两个电感，相当于本实施例中的介质滤波器增设了两个电感，以提高介质滤波器的整体电感值，从而有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，通过将第二导体层连接在第一内壁，将第三导体层连接在第二内壁，从而通过第二导体层能够压缩第一内腔的空间，通过第三导体层能够压缩第二内腔的空间，有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。
20、一些实施例中，所述第一介质体包括一体成型的第一部分、第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的耦合部分。本实施例中，由于第一部分、第二部分以及耦合部分一体成型，从而可以提高第一介质体的整体强度。此外可以提高第一部分和第二部分以及耦合部分之间的相对位置关系的制造精度，以提高本实施例中的介质滤波器的整体精度。
21、一些实施例中，所述第一内壁属于所述第一部分，所述第二内壁属于所述第二部分，所述第一部分的外表面为第一表面，所述第二部分的外表面为第二表面，所述耦合部分包括第三表面，所述外表面包括所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面。
22、本实施例中，由于第一内壁属于第一部分，第二内壁属于第二部分，第一内壁围合形成第一内腔，第二部分围合形成第二内腔，从而使得第一部分、覆盖在所述第一表面的第一导体层和所述第二导体层构成第一介质谐振器，所述第二部分、覆盖在所述第二表面的第一导体层和所述第三导体层构成第二介质谐振器。耦合部分又能够将第一介质谐振器和第二介质谐振器耦合。本实施例中的第一介质谐振器和第二介质谐振器由于共用的第一介质体为一体成型，从而可以提高第一介质谐振器与第二介质谐振器之间的相对位置关系的制造精度和耦合精度。此外，由于第一部分、第二部分以及耦合部分属于一个整体，无需通过开设耦合窗口并进行精准对位，即可实现第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的耦合，利于提高本实施例中的介质滤波器的精度。
23、一些实施例中，所述第一介质谐振器具有至少两个谐振模式。所述第二介质谐振器具有至少两个谐振模式。本实施例中的介质滤波器具有至少四个谐振模式，在通过本实施例中的介质滤波器组成多阶滤波器时，能够减小本实施例中的介质滤波器的数量，从而有利于由本实施例中的介质滤波器组成的多阶滤波器的尺寸小型化。
24、一些实施例中，第一导体层呈腔体结构。本实施例中，由于第一导体层呈腔体结构，从而可以将第一介质体包围起来，以使本实施例中的介质滤波器满足所需的边界条件，还能够通过第一导体层起到限制磁场辐射的作用，减小损耗，提高q值。
25、一些实施例中，所述第一部分上形成有第一调频盲孔，所述第一导体层环绕所述第一调频盲孔的开口，所述第一调频盲孔用于调节所述第一介质谐振器的谐振模式的频率。通过第一调频盲孔，可以调节第一介质谐振器的谐振模式的频率，以满足对不同频率的谐振频率的需求。
26、一些实施例中，所述第一部分上形成有第一耦合盲孔，所述第一导体层环绕所述第一耦合盲孔的开口，所述第一耦合盲孔用于调节所述第一介质谐振器的两个谐振模式的耦合强度。本实施例中，通过第一耦合盲孔，可以调节第一介质谐振器的两个谐振模式之间的耦合强度，以使两个耦合模式之间产生所需强度的耦合效果。
27、一些实施例中，所述第二部分上形成有第二调频盲孔，所述第一导体层环绕所述第二调频盲孔的开口，所述第二调频盲孔用于调节所述第二介质谐振器的谐振模式的频率。通过第二调频盲孔，可以调节第二介质谐振器的谐振模式的频率，以满足对不同频率的谐振频率的需求。
28、一些实施例中，所述第二部分上形成有第二耦合盲孔，所述第一导体层环绕所述第二耦合盲孔的开口，所述第二耦合盲孔用于调节所述第二介质谐振器的两个谐振模式的耦合强度。本实施例中，通过第二耦合盲孔，可以调节第二介质谐振器的两个谐振模式之间的耦合强度，以使两个耦合模式之间产生所需强度的耦合效果。
29、一些实施例中，所述第一部分呈正方体架构，所述第二部分呈正方体架构。本实施例中，通过将第一部分设置为正方体架构，可以使得覆盖第一部分的第一导体层呈正方体架构，以使第一介质谐振器能够产生三个电场大致相互垂直的谐振模式，从而有利于第一介质谐振器的小型化。通过将第二部分设置为正方体架构，可以使得覆盖第二部分的第一导体层呈正方体架构，以使第二介质谐振器能够产生三个电场大致相互垂直的谐振模式，从而有利于第二介质谐振器的小型化。从而有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。
30、一些实施例中，所述第一内壁被所述第二导体层完全贴附，所述第二导体层呈腔体结构。本实施例中，通过将第一内壁被第二导体层完全贴附，而且第二导体层呈腔体结构，从而通过第二导体层将第一介质体的第一内壁所围成的第一内腔完全压缩，可以最大程度的将的降低第一介质谐振器的电容的两个极板之间的距离，有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，由于第二导体层呈腔体结构，从而可以减小第二导体层材料的使用成本。
31、一些实施例中，所述第二内壁被所述第三导体层完全贴附，所述第三导体层呈腔体结构。本实施例中，通过将第二内壁被第三导体层完全贴附，而且第三导体层呈腔体结构，从而通过第三导体层将第一介质体的第二内壁所围成的第二内腔完全压缩，可以最大程度的将的降低第二介质谐振器的电容的两个极板之间的距离，有利于本实施例中的介质滤波器的小型化。此外，由于第三导体层呈腔体结构，从而可以减小第三导体层材料的使用成本。
32、一些实施例中，所述介质滤波器还包括第三介质体，所述第三介质体位于在所述第三导体层所围成的腔体内。通过将第三介质体设置在第三导体层所围成的腔体内，第三介质体能够起到支撑第三导体层的作用，能够提高第三导体层的稳定性。
33、一些实施例中，所述耦合部分包括耦合通孔，所述耦合通孔的内壁为第一耦合结构，所述第一耦合结构用于调节所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度。
34、本实施例中，通过耦合通孔，可以改变第一部分和第二部分所在位置的第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度，以满足耦合需求。此外，由于第一部分、第二部分以及耦合部分属于一个整体，想要使第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间耦合，无需通过开设耦合窗口并进行精准对位，只需要在耦合部分上开设耦合通孔，即可实现对第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度的调节，可以提高本实施例中的介质滤波器的精度。而且本实施例中的第一耦合结构既可以实现第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电场耦合，又可以实现第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的磁场耦合，从而实现多模的第一介质谐振器和多模的所述第二介质谐振器之间的合理耦合。
35、一些实施例中，所述介质滤波器的长度方向、宽度方向和高度方向两两相互垂直，沿所述介质滤波器的长度方向，所述第一部分正对所述第二部分，所述耦合通孔的长度方向沿所述介质滤波器的高度方向延伸，所述耦合通孔在所述介质滤波器的长度方向上的最大尺寸为m1，所述耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m2，其中，1＜m2/m1＜3。
36、本实施例中，在m1保持不变的情况下，通过改变耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸，可以增大或缩小耦合通孔内壁的表面积，从而能够调节第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度，由于1＜m2/m1＜3，在此范围内，在耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸具有比较大的调节范围，从而第一介质谐振器与第二介质谐振器之间的电场耦合强度具有比较大的调节范围，且能够保证耦合部分与第一部分和第二部分之间的连接强度不会因为耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸太长而受到太大影响。
37、一些实施例中，所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m4，所述耦合通孔位于所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的中间区域，所述中间区域在介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m5，其中，m5/m4＝0.5。
38、本实施例中，耦合通孔位于中间区域，不仅能够通过第一耦合结构实现第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合，还能够通过第一耦合结构实现第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场耦合，从而多模的第一介质谐振器和多模的第二介质谐振器通过第一耦合结构即可实现磁场耦合和电场耦合，而且结构简单化。
39、一些实施例中，所述介质滤波器包括多个所述耦合通孔，多个所述耦合通孔之间绝缘间隔设置。本实施例中，在第一介质体体积比较大时通过开设多个耦合通孔，可以合理化结构设计。
40、一些实施例中，所述耦合通孔包括在所述介质滤波器的高度方向上相对的第一端口和第二端口，所述耦合部分还包括第一耦合槽，所述第一耦合槽的槽壁构成第二耦合结构，所述第一耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包围所述第一端口。
41、本实施例中，通过开设第一耦合槽，可以改变耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以通过调节第一耦合槽在介质滤波器高度方向上的深度，以改变第一耦合结构在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以实现第一耦合结构的谐振频率的改变，可以改变第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场的耦合强度，而且由于耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度发生改变时，对耦合通孔的内壁的表面积的影响比较小，不会对第一耦合结构对第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度造成较大的影响。
42、一些实施例中，所述耦合部分还包括第二耦合槽所述第二耦合槽与所述第二端口连通，所述第二耦合槽的内壁构成第三耦合结构，所述第二耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包括所述第二端口。
43、本实施例中，通过开设第二耦合槽，可以改变耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以通过调节第二耦合槽在介质滤波器高度方向上的深度，以改变第一耦合结构在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以实现第一耦合结构的谐振频率的改变，可以改变第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场的耦合强度，而且由于耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度发生改变时，对耦合通孔的内壁的表面积的影响比较小，不会对第一耦合结构对第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度造成较大的影响。
44、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向贯穿所述耦合部分的通槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
45、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向其中一端贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
46、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向两端均未贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
47、一些实施例中，所述第二耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向贯穿所述耦合部分的通槽。本实施例中的第二耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
48、一些实施例中，所述第二耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向其中一端贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第二耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
49、一些实施例中，所述第二耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向两端均未贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第二耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
50、一些实施例中，第一耦合结构与第一导体层一体成型。从而可以提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。
51、第二方面，本技术实施例提供一种介质滤波器，包括第一介质体和第一导体层，所述第一介质体包括一体成型的第一部分、第二部分和连接所述第一部分和所述第二部分的耦合部分，所述第一部分的外表面为第一表面，第二部分的外表面为第二表面，所述耦合部分包括第三表面，所述第一导体层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层覆盖在所述第一表面，所述第二子层覆盖在所述第二表面，所述第三子层覆盖在所述第三表面，所述第一子层和所述第一部分构成第一介质谐振器，所述第一介质谐振器具有至少两个谐振模式，所述第二子层和所述第二部分构成第二介质谐振器，所述第二介质谐振器具有至少两个谐振模式，所述耦合部分包括耦合通孔，所述耦合通孔的内壁构成第一耦合结构，所述第一耦合结构用于调节所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度。
52、本实施例中，通过第一耦合结构，可以调节第一部分和第二部分所在位置的第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度，以满足耦合需求。此外，由于第一部分、第二部分以及耦合部分属于一个整体，想要使第一部分与第二部分耦合，无需通过开设耦合窗口并进行精准对位，只需要在耦合部分上开设耦合通孔，即可实现对第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度的调节，可以提高本实施例中的介质滤波器的精度。而且本实施例中的第一耦合结构既可以实现第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电场耦合，又可以实现第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的磁场耦合，从而实现多模的第一介质谐振器和多模的所述第二介质谐振器之间的合理耦合。
53、一些实施例中，所述介质滤波器的长度方向、宽度方向和高度方向两两相互垂直，沿所述介质滤波器的长度方向，所述第一部分正对所述第二部分，所述耦合通孔的长度方向沿所述介质滤波器的高度方向延伸，所述耦合通孔在所述介质滤波器的长度方向上的最大尺寸为m1，所述耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m2，其中，1＜m2/m1＜3。
54、本实施例中，在m1保持不变的情况下，通过改变耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸，可以增大或缩小耦合通孔内壁的表面积，从而能够调节第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度，由于1＜m2/m1＜3，在此范围内，在耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸具有比较大的调节范围，从而第一介质谐振器与第二介质谐振器之间的电场耦合强度具有比较大的调节范围，且能够保证耦合部分与第一部分和第二部分之间的连接强度不会因为耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的尺寸太长而受到太大影响。
55、一些实施例中，所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m4，所述耦合通孔位于所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的中间区域，所述中间区域在介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m5，其中，m5/m4＝0.5。
56、本实施例中，耦合通孔位于中间区域，不仅能够通过第一耦合结构实现第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合，还能够通过第一耦合结构实现第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场耦合，从而多模的第一介质谐振器和多模的第二介质谐振器通过第一耦合结构即可实现磁场耦合和电场耦合，而且结构简单化。
57、一些实施例中，所述介质滤波器包括多个所述耦合通孔，多个所述耦合通孔之间绝缘间隔设置。本实施例中，在第一介质体体积比较大时通过开设多个耦合通孔，可以合理化结构设计。
58、一些实施例中，所述耦合通孔包括在所述介质滤波器的高度方向上相对的第一端口和第二端口，所述耦合部分还包括第一耦合槽，所述第一耦合槽的槽壁构成第二耦合结构，所述第一耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包围所述第一端口。
59、本实施例中，通过开设第一耦合槽，可以改变耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以通过调节第一耦合槽在介质滤波器高度方向上的深度，以改变第一耦合结构在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以实现第一耦合结构的谐振频率的改变，可以改变第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场的耦合强度，而且由于耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度发生改变时，对耦合通孔的内壁的表面积的影响比较小，不会对第一耦合结构对第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度造成较大的影响。
60、一些实施例中，所述耦合部分还包括第二耦合槽所述第二耦合槽与所述第二端口连通，所述第二耦合槽的内壁构成第三耦合结构，所述第二耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包括所述第二端口。
61、本实施例中，通过开设第二耦合槽，可以改变耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以通过调节第二耦合槽在介质滤波器高度方向上的深度，以改变第一耦合结构在介质滤波器高度方向上的高度，从而可以实现第一耦合结构的谐振频率的改变，可以改变第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的磁场的耦合强度，而且由于耦合通孔在介质滤波器高度方向上的高度发生改变时，对耦合通孔的内壁的表面积的影响比较小，不会对第一耦合结构对第一介质谐振器和第二介质谐振器之间的电场耦合强度造成较大的影响。
62、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向贯穿所述耦合部分的通槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
63、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向其中一端贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
64、一些实施例中，所述第一耦合槽为沿所述介质滤波器的宽度方向两端均未贯穿所述耦合部分的盲槽。本实施例中的第一耦合槽易于加工制造，利于提高制造精度。
65、一些实施例中，第一耦合结构与第一导体层一体成型。从而可以提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。
66、一些实施例中，第二耦合结构与第一导体层一体成型。从而可以提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。
67、一些实施例中，第三耦合结构与第一导体层一体成型。从而可以提高本实施例中的介质滤波器的制造精度。
68、第三方面，本技术实施例提供一种多阶滤波器，包括两个如上第一方面和第二方面的任一项所述的介质滤波器，两个所述介质滤波器分别为第一介质滤波器和第二介质滤波器，所述第一介质滤波器的第一导体层上开设由第一耦合窗，所述第二介质滤波器的第一导体层开设有与所述第一耦合窗适配的第二耦合窗，所述第一介质滤波器的第一导体层和所述第二介质滤波器的第一导体层连接，且所述第一耦合窗与所述第二耦合窗的连通。
69、第四方面，本技术实施例提供一种通信设备，包括功放器件和如上第一方面和第二方面中任一项所述的介质滤波器，所述功放器件用于处理所述介质滤波器输出的信号。由于介质滤波器可小型化，从而使用该介质滤波器的通信设备也可以小型化。
70、一些实施例中，所述通信设备为射频拉远单元。由于介质滤波器可小型化，从而使用该介质滤波器的射频拉远单元也可以小型化。
71、第五方面，本技术实施例提供一种基站，包括天线和如上第四方面所述的通信设备，所述天线连接所述通信设备，所述天线用于将从所述通信设备收到的射频信号转化为电磁波并发射。
技术特征：
1.一种介质滤波器，其特征在于，包括第一介质体、第一导体层和第二导体层，所述第一介质体为固体，所述第一介质体包括外表面和第一内壁，所述第一内壁包围形成第一内腔，所述第一导体层覆盖在所述外表面，所述第二导体层位于所述第一内腔且连接所述第一内壁，所述第一导体层和所述第二导体层通过所述第一介质体绝缘设置。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一内壁被所述第二导体层完全贴附，所述第二导体层呈腔体结构。
3.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器还包括第二介质体，所述第二介质体位于在所述第二导体层所围成的腔体内。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质体上开设有连通所述第一内腔的连接通孔。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质体包括第一部分和第二部分，所述第一部分上开设有第一盲槽，所述第二部分上开设有与所述第一盲槽对应的第二盲槽，所述第一部分和所述第二部分连接，所述第一盲槽和所述第二盲槽连接形成所述第一内腔。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质体包括第一部分和第二部分，所述第一部分上开设有安装盲孔，所述第二部分设置在所述安装盲孔内的开口端，并与所述第一部分连接，所述第二部分将所述安装盲孔的开口封堵形成所述第一内腔。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器还包括调频结构，所述调频结构围合形成调频盲孔，所述第一导体层环绕所述调频盲孔的开口，所述调频盲孔用于调节所述介质谐振器的谐振模式的频率。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器还包括耦合结构，所述耦合结构围合形成耦合盲孔，所述第一导体层环绕所述耦合盲孔的开口，所述耦合盲孔用于调节所述介质谐振器的两个谐振模式之间的耦合强度。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质体还包括第二内壁，所述第二内壁包围形成第二内腔，所述第一内腔和所述第二内腔间隔设置，所述介质滤波器还包括第三导体层，所述第三导体层贴附在所述第二内壁，所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层通过所述第一介质体两两绝缘设置。
10.根据权利要求9所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质体包括一体成型的第一部分、第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的耦合部分，所述第一内壁属于所述第一部分，所述第二内壁属于所述第二部分，所述第一部分的外表面为第一表面，所述第二部分的外表面为第二表面，所述耦合部分包括第三表面，所述外表面包括所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面，所述第一部分、覆盖在所述第一表面的第一导体层和所述第二导体层构成第一介质谐振器，所述第二部分、覆盖在所述第二表面的第一导体层和所述第三导体层构成第二介质谐振器。
11.根据权利要求10所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合部分包括耦合通孔，所述耦合通孔的内壁为第一耦合结构，所述第一耦合结构用于调节所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的耦合强度。
12.根据权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器的长度方向、宽度方向和高度方向两两相互垂直，沿所述介质滤波器的长度方向，所述第一部分正对所述第二部分，所述耦合通孔的长度方向沿所述介质滤波器的高度方向延伸，所述耦合通孔在所述介质滤波器的长度方向上的最大尺寸为m1，所述耦合通孔在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m2，其中，1＜m2/m1＜3。
13.根据权利要求12所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m4，所述耦合通孔位于所述耦合部分在所述介质滤波器的宽度方向上的中间区域，所述中间区域在介质滤波器的宽度方向上的最大尺寸为m5，其中，m5/m4＝0.5。
14.根据权利要求12或13所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括多个所述耦合通孔，多个所述耦合通孔之间绝缘间隔设置。
15.根据权利要求12-14中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合通孔包括在所述介质滤波器的高度方向上相对的第一端口和第二端口，所述耦合部分还包括第一耦合槽，所述第一耦合槽的槽壁构成第二耦合结构，所述第一耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包围所述第一端口。
16.根据权利要求15所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合部分还包括第二耦合槽所述第二耦合槽与所述第二端口连通，所述第二耦合槽的内壁构成第三耦合结构，所述第二耦合槽在所述介质滤波器高度方向上的底壁包括所述第二端口。
17.根据权利要求15或16所述的介质滤波器，其特征在于，
18.一种通信设备，其特征在于，包括功放器件和如上权利要求1-17中任一项所述的介质滤波器，所述功放器件用于处理所述介质滤波器输出的信号。
19.如权利要求18所述的通信设备，其特征在于，所述通信设备为射频拉远单元。
20.一种基站，其特征在于，包括天线和如上权利要求19所述的通信设备，所述天线连接所述通信设备，所述天线用于将从所述通信设备收到的射频信号转化为电磁波并发射。
技术总结
本申请涉及一种介质滤波器、通信设备及基站，介质滤波器包括第一介质体、第一导体层和第二导体层，第一介质体为固体，第一介质体包括外表面和第一内壁，第一内壁包围形成第一内腔。第一导体层覆盖在第一介质体的外表面，第二导体层位于第一内腔且连接第一内壁，第一导体层和第二导体层通过第一介质体绝缘设置。本申请中的介质滤波器，第一导体层覆盖在第一介质体的外表面，第二导体层连接在第一介质体的第一内壁，有利于介质滤波器的小型化。
技术研发人员：徐俊,王盛杰,王华红
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5