薄膜沉积装置与加热基座的制作方法

本公开涉及半导体设备，特别是涉及一种薄膜沉积装置与加热基座。

背景技术：

1、薄膜沉积装置，包括反应腔室、可拆卸地设置于反应腔室的腔室底壁上的多个加热基座以及位于多个加热基座上方的旋转盘，每个加热基座上设有用于承载衬底的承载环。承载环在旋转盘的驱动下，能够将衬底从一个加热基座移动到另一个加热基座，进而使得衬底在各个加热基座上进行相应的工艺。当衬底表面各个沉积工艺都结束后，通过机械手从反应腔室内部将衬底向外取出。

2、由于加热基座在长时间的使用中，会有损伤或大量反应后的衍生物质覆盖在其表面，不利于可持续的使用和正常的生产，在薄膜沉积装置进行保养时，一般会对加热基座进行拆装清洁维护。

3、然而，在加热基座的底端通常设有三个定位针(一个是粗pin和两个细pin，分布在加热基座底部的三边)可以放在腔室底部对应的孔洞，由于加热基座比较重，所以在装加热基座时会使用原厂提供的吊装治具(简称吊具)，吊具有一个比加热基座上表面略大的圆盘，用来覆盖并钩住加热基座，靠吊具进行拆装，因为是三个定位针进行矫正加热基座的位置，会经过多次安装，费时费力，安装效率较低，而且还容易刮伤反应腔室内的相关零部件。

技术实现思路

1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种薄膜沉积装置与加热基座，它能够使得安装操作简单方便，节省时间和人力的同时，也减小了零件损坏的概率。

2、一种加热基座，可拆卸地设置于反应腔室的底部，所述加热基座包括：

3、支撑部，所述支撑部用于支撑衬底，所述支撑部包括主体部以及依次间隔地设置于所述主体部的外周上的至少两个第一凸耳，所述第一凸耳设有与所述反应腔室的底部滑动配合的抵接侧壁，所述抵接侧壁远离于所述主体部的部位，并与所述主体部的外周轮廓的距离设为s，距离s在所述抵接侧壁的顶部至所述抵接侧壁的底部的方向上呈逐渐减小趋势。

4、在其中一个实施例中，所述第一凸耳沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形、椭圆弧形或多边形。

5、在其中一个实施例中，所述抵接侧壁与经过所述支撑部的中心轴线的平面相交得到第一相交线，所述第一相交线包括圆弧形线、椭圆弧形线、抛物线以及与所述中心轴线呈夹角设置的直线中的一种或多种。

6、在其中一个实施例中，所述加热基座还包括与所述支撑部相连的固定盘、连接于所述固定盘上的多个定位针，以及与所述固定盘相连的底座；所述定位针用于对应插入到所述反应腔室底部的定位孔中；所述底座用于对应装入到所述反应腔室底部的安装孔中。

7、在其中一个实施例中，所述加热基座还包括加热件；所述加热件与所述支撑部、所述固定盘以及所述底座中的至少一个相连接。

8、一种薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括：至少一个所述的加热基座，所述薄膜沉积装置还包括反应腔室；所述反应腔室的腔室底壁设有至少一个安装槽，所述安装槽的内壁上设有与所述第一凸耳相适应的定位凹部，所述第一凸耳设于所述定位凹部中，所述加热基座对应地设置于所述安装槽中。

9、在其中一个实施例中，所述定位凹部沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形、椭圆弧形或多边形；和/或，

10、所述定位凹部的内侧壁面与经过所述支撑部的中心轴线的平面相交得到第二相交线，所述第二相交线包括圆弧形线、椭圆弧形线、抛物线以及与所述中心轴线呈夹角设置的直线中的一种或多种；和/或，

11、所述第一凸耳沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形，所述定位凹部沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形，且所述第一凸耳的抵接侧壁与所述定位凹部的内侧壁面设有间隙d；和/或，

12、所述安装槽为多个，所述薄膜沉积装置还包括设置于所述反应腔室内部的多个喷淋头，多个所述加热基座对应地设置于多个所述安装槽中，多个所述喷淋头对应地设置于多个所述加热基座的上方；所述反应腔室的腔室底壁上还设有与所述加热基座对应的出气部，所述出气部用于将保护气体吹向至所述反应腔室的顶部。

13、在其中一个实施例中，所述安装槽的内壁上设有凸出部；所述定位凹部形成于所述凸出部上并朝向远离于所述支撑部的中心轴线方向凹设；所述凸出部绕所述安装槽的内壁周向设置；所述出气部包括贯穿设置于所述凸出部上的一个出气孔，或者包括贯穿设置于所述凸出部上并绕所述支撑部的中心轴线依次间隔设置的多个出气孔。

14、在其中一个实施例中，当所述出气部包括一个出气孔时，所述出气孔设为弧形孔，所述弧形孔位于相邻两个所述加热基座之间；当所述出气部包括多个出气孔时，多个所述出气孔等间隔布置。

15、在其中一个实施例中，所述薄膜沉积装置还包括旋转组件；所述旋转组件包括主动力转轴、第一升降机构以及托件；所述主动力转轴用于与电机相连，所述主动力转轴还与所述第一升降机构相连，所述第一升降机构与所述托件相连，所述托件能分别承载固定多个所述衬底。

16、在其中一个实施例中，所述薄膜沉积装置还包括位于所述支撑部上方的承载环，所述承载环用于卡接定位所述衬底；所述薄膜沉积装置还包括至少两个推压件以及分别与至少两个所述推压件相连的第二升降机构，所述第一凸耳上设有与所述推压件相适应的活动孔，所述推压件可上下活动地穿设于所述活动孔中，所述推压件的顶端与所述承载环相互抵接，所述第二升降机构用于驱动各个所述推压件抬高位置或降低位置。

17、上述的薄膜沉积装置与加热基座，由于距离s在抵接侧壁的顶部至抵接侧壁的底部的方向上呈逐渐减小趋势，在安装过程中，使至少两个第一凸耳分别同步滑动装入到反应腔室的底部至少两个定位凹部内，装配过程中，能实现加热基座的定位针与反应腔室底部的定位孔自动高精准对位，使得定位针顺利装入到定位孔中，达到一次安装成功的效果，从而能减少安装时间与人力物力，以及减少氦测有漏导致重新安装的风险，减少密封圈等零件损坏的概率。

技术特征：

1.一种加热基座，可拆卸地设置于反应腔室的底部，其特征在于，所述加热基座包括：

2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述第一凸耳沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形、椭圆弧形或多边形。

3.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述抵接侧壁与经过所述支撑部的中心轴线的平面相交得到第一相交线，所述第一相交线包括圆弧形线、椭圆弧形线、抛物线以及与所述中心轴线呈夹角设置的直线中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述加热基座还包括与所述支撑部相连的固定盘、连接于所述固定盘上的多个定位针，以及与所述固定盘相连的底座；所述定位针用于对应插入到所述反应腔室底部的定位孔中；所述底座用于对应装入到所述反应腔室底部的安装孔中。

5.根据权利要求4所述的加热基座，其特征在于，所述加热基座还包括加热件；所述加热件与所述支撑部、所述固定盘以及所述底座中的至少一个相连接。

6.一种薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：至少一个如权利要求1至5任一项所述的加热基座，所述薄膜沉积装置还包括反应腔室；所述反应腔室的腔室底壁设有至少一个安装槽，所述安装槽的内壁上设有与所述第一凸耳相适应的定位凹部，所述第一凸耳设于所述定位凹部中，所述加热基座对应地设置于所述安装槽中。

7.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述定位凹部沿所述支撑部的中心轴线的截面轮廓为圆弧形、椭圆弧形或多边形；和/或，

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述安装槽的内壁上设有凸出部；所述定位凹部形成于所述凸出部上并朝向远离于所述支撑部的中心轴线方向凹设；所述凸出部绕所述安装槽的内壁周向设置；所述出气部包括贯穿设置于所述凸出部上的一个出气孔，或者包括贯穿设置于所述凸出部上并绕所述支撑部的中心轴线依次间隔设置的多个出气孔。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置，其特征在于，当所述出气部包括一个出气孔时，所述出气孔设为弧形孔，所述弧形孔位于相邻两个所述加热基座之间；当所述出气部包括多个出气孔时，多个所述出气孔等间隔布置。

10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括旋转组件；所述旋转组件包括主动力转轴、第一升降机构以及托件；所述主动力转轴用于与电机相连，所述主动力转轴还与所述第一升降机构相连，所述第一升降机构与所述托件相连，所述托件能分别承载固定多个所述衬底。

11.根据权利要求6至10任一项所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括位于所述支撑部上方的承载环，所述承载环用于卡接定位所述衬底；所述薄膜沉积装置还包括至少两个推压件以及分别与至少两个所述推压件相连的第二升降机构，所述第一凸耳上设有与所述推压件相适应的活动孔，所述推压件可上下活动地穿设于所述活动孔中，所述推压件的顶端与所述承载环相互抵接，所述第二升降机构用于驱动各个所述推压件抬高位置或降低位置。

技术总结
本公开涉及一种薄膜沉积装置与加热基座，加热基座包括支撑部。支撑部用于支撑衬底，支撑部包括主体部以及依次间隔地设置于主体部的外周上的至少两个第一凸耳。第一凸耳设有用于与反应腔室的底部滑动配合的抵接侧壁。抵接侧壁远离于主体部的部位与主体部的外周轮廓的距离设为S，距离S在抵接侧壁的顶部至抵接侧壁的底部的方向上呈逐渐减小趋势。在安装过程中，使至少两个第一凸耳分别同步滑动装入到反应腔室的底部至少两个定位凹部内，能实现定位针与反应定位孔自动高精准对位，使得定位针顺利装入到定位孔中，达到一次安装成功的效果，从而能减少安装时间与人力物力，以及减少氦测有漏导致重新安装的风险，减少密封圈等零件损坏的概率。

技术研发人员：高玄
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5