探测针用合金材料的制作方法

本发明涉及用于检测半导体晶圆上的集成电路或液晶显示设备等的电气特性的探测针(probe pin)用合金材料(以下简称为“探针材料”)。

背景技术：

1、在半导体晶圆上形成的集成电路或液晶显示设备等的电气特性的检测中，使用组装有多个探针(probe)的插座或探针卡。此检测通过使组装于插座或探针卡中的探测针与集成电路或液晶显示设备等的电极或端子、导电部接触来进行。

2、此种探测针需要低的接触电阻与能够耐受反复接触的硬度。就探针材料而言，使用铍铜合金或钨、钨合金、铂合金、钯合金等。

3、专利文献1公开了一种由16％以上50％以下的铜、约35％至约59％的钯、以及4％以上的银所构成的钯合金(以下称为agpdcu合金)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：美国专利第1935897号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、以往，塑性加工性优异且析出硬化的agpdcu合金，因源自其硬度的形状稳定性与低电阻率特性而被用作探针材料。但是，在用于使用了焊锡(例如sn-bi系焊锡)的电路连接部的情况下，存在以下课题。也就是说，由于在检测时探测针与焊锡反复接触、通电，所以因其焦耳热等，sn等焊锡成分与探针材料的成分会相互扩散，探测针尖端的耗损有变快的倾向。在这种情况下，由于接触电阻会突发性或经时性地变动而发生检测不良，因此会需要清洁或更换接触的尖端部，而有使检测步骤的工作效率降低的问题。

3、于是，迫切要求开发具有抑制焊锡成分扩散的耐焊锡性的探针材料。

4、本发明的目的在于提供一种探针材料，其可抑制在探针检测时检测对象的电路连接部的焊锡与探针材料的成分的扩散。

5、用于解决课题的技术方案

6、发现一种探针材料，其特征为由大于20质量％且60质量％以下的pd、3质量％以上且小于20质量％的ag、3质量％以上50质量％以下的ni、以及3质量％以上74质量％以下的cu组成，从而完成了本发明。

7、还发现一种探针材料，其特征为由大于20质量％且60质量％以下的pd、20质量％以上35质量％以下的ag、7质量％以上50质量％以下的ni、以及3质量％以上53质量％以下的cu组成，从而完成了本发明。

8、上述之中，也可以含有合计0.2质量％以上2.0质量％以下的in、sn、zn、ga中的至少一种以替代cu的一部分。

9、发明的效果

10、如果根据本发明，则能提供一种探针材料，其抑制在检测时检测对象的电路连接部的焊锡与探针材料的成分的扩散。

技术特征：

1.一种探测针用合金材料，其特征为，由以下成分组成：

2.根据权利要求1所述的探测针用合金材料，其特征为，含有0.2质量％以上2.0质量％以下的in、sn、zn、ga中的至少一种以替代cu的一部分。

3.一种探测针用合金材料，其特征为，由以下成分组成：

4.根据权利要求3所述的探测针用合金材料，其特征为，含有0.2质量％以上2.0质量％以下的in、sn、zn、ga中的至少一种以替代cu的一部分。

技术总结
本发明的目的在于提供一种探测针用合金材料，其可抑制在探针检测时检测对象的电路连接部的焊锡与探针材料的成分的扩散。本发明的探测针用合金材料由大于20质量％且60质量％以下的Pd、3质量％以上且小于20质量％的Ag、3质量％以上50质量％以下的Ni、以及3质量％以上74质量％以下的Cu组成。或者，由大于20质量％且60质量％以下的Pd、20质量％以上35质量％以下的Ag、7质量％以上50质量％以下的Ni、以及3质量％以上53质量％以下的Cu组成。

技术研发人员：长谷川浩一,江川恭德,松泽笃央,佐藤贤一
受保护的技术使用者：石福金属兴业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5