集成半导体结构的制作方法

本申请涉及集成半导体，特别是涉及一种集成半导体结构。

背景技术：

1、集成半导体可作为电子开关，用于控制回路的通断。相关技术中，集成半导体内封装有一个半导体器件，半导体器件具有栅极g、源极s和漏极d，半导体器件的每一极通过引脚引至集成半导体外，当栅极g与源极s之间的电压差达到预设值，漏极d和源极s导通，反之则截止。多个半导体器件接入电路，需将每个半导体器件分别封装为一个集成半导体，封装成本高，且难以在较小尺寸电路板上进行布置。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有多个半导体器件接入电路，需将每个半导体器件分别封装为一个集成半导体，封装成本高，且难以在较小尺寸电路板上进行布置的问题，提供一种集成半导体结构。

2、一种集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构包括：

3、框架，用于与外部电源电连接；

4、多个间隔排布的半导体器件，每个所述半导体器件均包括栅极、源极和漏极，每个所述半导体器件的所述源极均与所述框架电连接；

5、多个间隔排布的第一引脚，多个所述第一引脚与多个所述半导体器件一一对应地设置，每个所述第一引脚均与对应所述半导体器件的所述栅极电连接；

6、多个间隔排布的第二引脚，多个所述第二引脚与多个所述半导体器件一一对应地设置，每个所述第二引脚均与对应所述半导体器件的所述漏极电连接；

7、封装件，所述封装件封装所述框架、所述半导体器件、所述第一引脚以及所述第二引脚。

8、在其中一个实施例中，每个所述半导体器件均设置于所述框架沿厚度方向的同一侧。

9、在其中一个实施例中，所述漏极设置于所述半导体器件靠近所述框架一侧。

10、在其中一个实施例中，所述集成半导体结构包括陶瓷件，所述陶瓷件设于所述框架靠近所述半导体器件的一侧，所述半导体器件设于所述陶瓷件背离所述框架的一侧。

11、在其中一个实施例中，所述陶瓷件上设有多个间隔排布的焊接层，多个所述焊接层与多个所述半导体器件一一对应地设置，每个所述焊接层设于对应所述半导体器件与所述陶瓷件之间，以连接对应所述半导体器件与所述陶瓷件。

12、在其中一个实施例中，每个所述焊接层与对应所述半导体器件的所述漏极电连接，且与该所述半导体器件对应的所述第二引脚电连接。

13、在其中一个实施例中，所述集成半导体结构还包括，多个第一导线，多个所述第一导线与多个所述半导体器件一一对应设置，每个所述第一导线的一端与对应所述半导体器件所对应的所述焊接层电连接，另一端与该所述半导体器件对应的所述第二引脚电连接。

14、在其中一个实施例中，所述框架包括金属框体与设置于所述金属框体上的管脚，所述陶瓷件设于所述金属框体靠近所述半导体器件的一侧，所述管脚用于与所述外部电源电连接。

15、在其中一个实施例中，所述集成半导体结构还包括多个第二导线和多个第三导线，多个所述第二导线与多个所述半导体器件一一对应设置，每个所述第二导线的一端与对应所述半导体器件的所述源极电连接，另一端与所述框架电连接；

16、多个所述第三导线与多个所述半导体器件一一对应设置，每个所述第三导线的一端与对应的所述半导体器件的所述栅极电连接，另一端与该所述半导体器件对应的所述第一引脚电连接。

17、在其中一个实施例中，多个所述第一引脚与多个所述第二引脚，均位于所述框架沿第一方向同一侧，且多个所述第一引脚与多个所述第二引脚沿第二方向交替间隔排布；所述第一方向、所述第二方向以及所述框架的厚度方向两两垂直；

18、每个所述第一引脚沿所述第一方向，朝背离对应所述半导体器件一侧伸出所述封装件第一距离，每个所述第二引脚沿所述第一方向，朝背离对应所述半导体器件一侧伸出所述封装件第二距离，所述第一距离与所述第二距离的数值相等。

19、传统的集成半导体内只封装有一个半导体器件，由于需要多个半导体器件接入电路，因此，需要对每一个半导体器件均进行封装，封装费时费力，封装成本较高，而且封装后每个半导体器件的尺寸较大，难以在较小尺寸的电路板上同时布置多个。本实施例提供的集成半导体结构，封装件内设有框架、多个半导体器件、多个第一引脚，以及多个第二引脚，每个半导体器件的栅极电连接有一个第一引脚，每个半导体器件的漏极电连接有一个第二引脚，每个半导体器件的源极均与框架电连接，框架与外部电源电连接。一方面，可以避免多次封装所带来的封装料的浪费，以较少的封装料一次完成对多个半导体器件的封装，另一方面，多个半导体器件集中封装的体积，小于多个半导体器件分开封装的体积，进而可以布置于较小尺寸的电路板上。综上所述，上述集成半导体结构，可以采用较低的成本将多个半导体器件封装在一起，有利于在较小尺寸电路板上进行布置。

技术特征：

1.一种集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的集成半导体结构，其特征在于，每个所述半导体器件（200）均设置于所述框架（100）沿厚度方向的同一侧。

3.根据权利要求2所述的集成半导体结构，其特征在于，所述漏极设置于所述半导体器件（200）靠近所述框架（100）一侧。

4.根据权利要求3所述的集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构包括陶瓷件（500），所述陶瓷件（500）设于所述框架（100）靠近所述半导体器件（200）的一侧，所述半导体器件（200）设于所述陶瓷件（500）背离所述框架（100）的一侧。

5.根据权利要求4所述的集成半导体结构，其特征在于，所述陶瓷件（500）上设有多个间隔排布的焊接层（510），多个所述焊接层（510）与多个所述半导体器件（200）一一对应地设置，每个所述焊接层（510）设于对应所述半导体器件（200）与所述陶瓷件（500）之间，以连接对应所述半导体器件（200）与所述陶瓷件（500）。

6.根据权利要求5所述的集成半导体结构，其特征在于，每个所述焊接层（510）与对应所述半导体器件（200）的所述漏极电连接，且与该所述半导体器件（200）对应的所述第二引脚（400）电连接。

7.根据权利要求6所述的集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构还包括多个第一导线（600），多个所述第一导线（600）与多个所述半导体器件（200）一一对应设置，每个所述第一导线（600）的一端与对应所述半导体器件（200）所对应的所述焊接层（510）电连接，另一端与该所述半导体器件（200）对应的所述第二引脚（400）电连接。

8.根据权利要求4所述的集成半导体结构，其特征在于，所述框架（100）包括金属框体（110）与设置于所述金属框体（110）上的管脚（120），所述陶瓷件（500）设于所述金属框体（110）靠近所述半导体器件（200）的一侧，所述管脚（120）用于与所述外部电源电连接。

9.根据权利要求1所述的集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构还包括多个第二导线（700）和多个第三导线（800），多个所述第二导线（700）与多个所述半导体器件（200）一一对应设置，每个所述第二导线（700）的一端与对应所述半导体器件（200）的所述源极（220）电连接，另一端与所述框架（100）电连接；

10.根据权利要求1所述的集成半导体结构，其特征在于，多个所述第一引脚（300）与多个所述第二引脚（400），均位于所述框架（100）沿第一方向同一侧，且多个所述第一引脚（300）与多个所述第二引脚（400）沿第二方向交替间隔排布；所述第一方向、所述第二方向以及所述框架（100）的厚度方向两两垂直；

技术总结
本申请涉及集成半导体结构，一种集成半导体结构包括：框架，用于与外部电源电连接，多个间隔排布的半导体器件，每个半导体器件均包括栅极、源极和漏极，每个半导体器件的源极均与框架电连接，多个间隔排布的第一引脚，多个第一引脚与多个半导体器件一一对应地设置，每个第一引脚均与对应半导体器件的栅极电连接，多个间隔排布的第二引脚，多个第二引脚与多个半导体器件一一对应地设置，每个第二引脚均与对应半导体器件的漏极电连接，封装件，封装件封装框架、半导体器件、第一引脚以及第二引脚。综上所述，上述集成半导体结构，可以采用较低的成本将多个半导体器件封装在一起，有利于在较小尺寸电路板上进行布置。

技术研发人员：魏国栋,周大伟
受保护的技术使用者：深圳深爱半导体股份有限公司
技术研发日：20240229
技术公布日：2024/12/5