本技术涉及清洗装置,具体涉及一种清洗设备。
背景技术:
1、单晶硅通常采用单晶炉拉制而成,单晶炉的体积较大。单晶炉包括炉体和盖设于炉体上的盖体。在加工单晶硅前,或者加工单晶硅的过程中,需要对单晶炉的一些部件进行清洗。现有技术中,通常采用人工擦拭的方式,对单晶炉的这些部件进行擦拭。然而,人工擦拭效率低、作业强度大、而且容易存在卫生死角。
2、例如,为了提升单晶炉内热循环,需要在单晶炉的盖体上设置换热器,以通过换热器增强单晶炉内的热循环。在加工单晶硅前,或者加工单晶硅的过程中,需要对换热器表面的污垢进行清洗。现有技术中,通常采用人工对换热器表面的污垢进行擦拭。然而,通过人工擦拭换热器存在擦拭效率低、作业强度大、容易存在卫生死角等问题。并且,擦拭的过程中,作业人员位于盖体下方,使得作业过程中存在较大的安全隐患。
技术实现思路
1、本实用新型公开了一种清洗设备,以解决或者至少部分解决现有技术中存在的,通过人工擦拭零部件效率低、作业轻度大、存在卫生死角、作业过程中作业人员存在安全隐患的问题。
2、为了解决上述技术问题,本实用新型是这样实现的:
3、本实用新型公开了一种清洗设备,包括架体;清洗机构,所述清洗机构可升降的连接于所述架体,所述清洗机构内设置有清洗槽,所述清洗机构上升,以使所述清洗槽围设于待清洗件的外侧,对所述待清洗件进行清洗。
4、可选地,所述清洗设备还包括控制机构,其中,所述控制机构连接于所述清洗机构,所述控制机构用于在所述清洗机构到达预设位置的情况下,控制所述清洗机构上升,以使所述清洗槽围套设于所述待清洗件的外侧,并控制所述清洗机构清洗所述待清洗件。
5、可选地,所述清洗机构包括清洗机构本体、超声发生器和振板,其中,所述清洗机构本体可升降的连接于所述架体,所述清洗槽设置于所述清洗机构本体内,所述振板连接于所述清洗槽的内壁;所述超声发生器的一侧连接于所述控制机构,另一侧连接于所述振板,所述超声发生器用于驱动所述振板振动,以清洗所述待清洗件。
6、可选地,所述振板包括多个,多个所述振板间隔设置,且均连接于所述清洗槽的内壁。
7、可选地,所述清洗设备还包括多个间隔设置的加热器,其中,所述加热器连接于所述清洗槽的内壁,并与所述振板间隔设置,所述加热器用于加热所述清洗槽内的清洗液。
8、可选地,所述清洗设备还包括罩体,所述罩体连接于所述清洗机构远离所述架体的一侧;所述罩体上设置有通孔,所述通孔与所述清洗槽相对设置。
9、可选地,所述清洗设备还包括干燥机构,所述干燥机构设置于所述通孔内;且所述干燥机构连接于所述控制机构,所述控制机构用于在所述清洗机构清洗所述待清洗件之后,控制所述干燥机构干燥所述待清洗件。
10、可选地,所述干燥机构包括多个第一吹风件,多个所述第一吹风件间隔设置,且均连接于所述通孔的内壁。
11、可选地,所述干燥机构还包括第二吹风件和连接杆,所述连接杆的一端连接于所述清洗槽的底壁,另一端延伸至所述通孔内;所述第二吹风件连接于所述连接杆的另一端。
12、可选地,所述待清洗件为安装于单晶炉的换热器。
13、本实用新型公开了一种清洗设备,该清洗设备包括架体;清洗机构,所述清洗机构可升降的连接于所述架体,所述清洗机构内设置有清洗槽,所述清洗机构上升,以使所述清洗槽围设于待清洗件的外侧,对所述待清洗件进行清洗。
14、本实用新型中,将清洗机构可升降的连接于架体,并在清洗机构内设置清洗槽。清洗机构上升,使得清洗槽可以围设于待清洗件的外侧,通过清洗机构对待清洗件进行清洗。从而完成待清洗件的清洁作业,实现待清洗件的自动清洁,避免人工作业存在的安全隐患。并且,清洗效率高,待清洗件清洗的更加干净。
1.一种清洗设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还包括控制机构,其中,
3.根据权利要求2所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗机构包括清洗机构本体、超声发生器和振板,其中,
4.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述振板包括多个,多个所述振板间隔设置,且均连接于所述清洗槽的内壁。
5.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还包括多个间隔设置的加热器,其中,
6.根据权利要求2所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还包括罩体,所述罩体连接于所述清洗机构远离所述架体的一侧;
7.根据权利要求6所述的清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还包括干燥机构,所述干燥机构设置于所述通孔内;
8.根据权利要求7所述的清洗设备,其特征在于,所述干燥机构包括多个第一吹风件,多个所述第一吹风件间隔设置,且均连接于所述通孔的内壁。
9.根据权利要求7所述的清洗设备,其特征在于,所述干燥机构还包括第二吹风件和连接杆,所述连接杆的一端连接于所述清洗槽的底壁,另一端延伸至所述通孔内;
10.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,所述待清洗件为安装于单晶炉的换热器。
