一种掩膜版霉点抑制方法与流程

本发明涉及掩膜版清洗方法领域，具体涉及一种掩膜版霉点抑制方法。

背景技术：

1、掩膜版在在运输过程中，无论是航空运输还是陆运，到达目的地后，部分掩膜版在有图形的一面，整个表面或部分区域会生长出密集的直径为0.3-3um之间的不透光点状结晶，同时在储存和使用过程中也会生长出大量不透光点状结晶，在光学显微镜下观察类似发霉现象，本专利中称之为霉点，这种霉点在用户曝光后会形成大量缺陷。

2、为了解决上述问题，现有技术使用改变清洗工艺以及高温烘干的方式来抑制霉点生长，采用表面活性剂对掩膜版进行出货前清洗以及使用烘干箱对掩膜版进行烘烤，技术方案为：表面活性剂清洗-aoi扫描-高温烘干--打包，缺点在于掩膜版处理后：处理后运输过程不会产生霉点，但在长期存储和使用过程中由于接触到空气中水分，仍然产生了霉点，影响了使用寿命；高温烘干工艺处理时间过长，达到了210分钟，对于生产效率是一个巨大的挑战；处理后发现部分掩膜版受到热风循环带来的灰尘微粒污染，无法达到洁净度标准，造成掩膜版损失；高温烘干工艺最高温度达到200摄氏度以上，所以高温处理后发现部分掩膜版因为应力变化产生了损伤，造成了掩膜版损失。即使采用的表面活性剂对掩膜版进行出货前清洗以及高温烘烤后只能解决运输过程产生的霉点而不能防止在存储和使用过程中产生霉点。

3、有鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种掩膜版霉点抑制方法，通过采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移，以解决现有技术中掩膜版易在存储和使用过程中产生霉点的问题。

2、本发明通过下述技术方案实现：本发明实施例提供一种掩膜版霉点抑制方法，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。

3、优选地，该抑制方法包括以下步骤：

4、s1：清洗掩膜版，去除掩膜版表面的污染物；

5、s2：在真空微波高压电场复合环境下处理掩膜版，将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移和将掩膜版中的水分进行挥发；

6、s3：在包装盒内充入氮气后对掩膜版进行包装。

7、优选地，s2中真空微波高压电场复合环境的条件包括真空度为18～22pa；微波频率为2～3ghz，功率为0.8～1.2kw；电极电压为13～17kv，环境温度低于60℃，复合环境处理时间为4～6min。

8、优选地，s2中采用的仪器为加装高压电极的微波真空干燥箱，所述加装高压电极的微波真空干燥箱用于在其内部放置片掩膜版后对掩膜版进行处理，当所述掩膜版在真空微波高压电场复合环境下进行处理时，掩膜版上有图形的一面朝向电极的正极。

9、优选地，所述加装高压电极的微波真空干燥箱包括箱体、微波磁控管、电极、若干石英提篮；

10、所述微波磁控管位于箱体顶部，所述电极位于所述箱体的左右两侧，所述石英提篮设置在所述箱体的内部；单个所述石英提篮用于放置若干片掩膜版，单片所述掩膜版竖向设置，且其棱边垂直于所述箱体的箱门。

11、优选地，所述石英提篮设置有至少两个，单个所述石英提篮放置有至少两片掩膜版，以对多片掩膜版进行批量处理，每一片所述掩膜版朝向同一个方向放置。

12、优选地，所述加装高压电极的微波真空干燥箱的操作过程依次包括：

13、将装有多片掩膜版的石英提篮放入箱体，锁闭箱门；

14、抽真空；

15、启动微波磁控管；

16、对电极通电，产生电压；

17、将掩膜版在真空微波高压电场复合环境下处理；

18、在箱体内充入氮气进行降温和破真空，当掩膜版温度降低到室温以及箱体真空度恢复到大气压后，解锁箱门拿出石英提篮。

19、优选地，抽真空的时间为50～70s，达到的真空度为18～22pa；

20、微波磁控管启动后，持续110～130s后再对电极通电；

21、在箱体内充入氮气进行降温和破真空的时间为110～130s。

22、优选地，在s1之后，s2之前，还包括对清洗后的掩膜版进行外观检查，以检测掩膜版是否有划痕、损伤或其他表面缺陷。

23、优选地，在s2之后，s3之前，还包括采用aoi设备扫描掩膜版，确保掩膜版的图案转移质量。

24、本发明实施例与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

25、1、本发明实施例通过采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移，掩膜版表面钠离子含量降低到了每平方厘米1×10-7g以下，掩膜版亚表面层的钠离子含量降低到了原来的2％，相比现有技术中未经真空微波高压电场复合处理工艺处理的掩膜版表面每平方厘米钠离子含量在5×10-6g以上具有显著的优势。

26、2、本发明实施例提供的真空微波高压电场复合处理工艺可有效降低掩膜版亚表面层钠离子含量，这是此工艺方法使掩膜版在运输过程中、长期存储过程、以及长期使用过程中即使与水分子接触也不会产生霉点，大幅提升掩膜版的使用寿命的核心要素。

27、3、本发明实施例提供的真空微波高压电场复合处理工艺使掩膜版含水量降低到0.05％以下的处理时间为10分钟，而使用高温烘干工艺的处理时间为210分钟以上，真空微波高压电场复合处理工艺用时更短，大幅提升了生产效率，同时因为使用的是真空环境进行工艺处理，所以掩膜版的洁净程度能得到保证，不会新增灰尘微粒污染。该处理过程掩膜版最高温度为60摄氏度，而高温烘干工艺最高温度达到了200摄氏度以上，所以掩膜版也不会因高温造成应力变化而损坏。

28、4、通过本发明实施例的抑制方法，产品在运输过程以及长期储存过程中霉点发生率降低为0。达到了不在运输过程中产生霉点以及在长期储存过程中不产生霉点，将产品损失降低到0的效果，同时相比现有技术，即使掩膜版在运输过程中、长期存储过程、特别是长期使用过程中与水分子接触也不会产生霉点，提升了掩膜版的使用寿命。

29、5、使用karl fischer水分滴定法对掩膜版的含水量进行测定，未经真空微波高压电场复合处理工艺处理的掩膜版含水量在0.2％以上，经过真空微波高压电场处理后，掩膜版含水量降低到了0.05％以下。掩膜版包装盒内空气水分体积比测量值高达12120ppm，此工艺方法在包装盒内填充使用的高纯氮气水分体积比测量值降低为3ppm。掩膜版包装盒内空气中co2体积比测量值高达420ppm，此工艺方法在包装盒内填充使用的高纯氮气中co2体积比测量值降低到0ppm。

技术特征：

1.一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。

2.根据权利要求1所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，s2中真空微波高压电场复合环境的条件包括真空度为18～22pa；微波频率为2～3ghz，功率为0.8～1.2kw；电极电压为13～17kv，环境温度低于60℃，复合环境处理时间为4～6min。

4.根据权利要求3所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，s2中采用的仪器为加装高压电极的微波真空干燥箱，所述加装高压电极的微波真空干燥箱用于在其内部放置片掩膜版后对掩膜版进行处理，当所述掩膜版在真空微波高压电场复合环境下进行处理时，掩膜版上有图形的一面朝向电极的正极。

5.根据权利要求4所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，所述加装高压电极的微波真空干燥箱包括箱体、微波磁控管、电极、若干石英提篮；

6.根据权利要求5所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，所述石英提篮设置有至少两个，单个所述石英提篮放置有至少两片掩膜版，以对多片掩膜版进行批量处理，每一片所述掩膜版朝向同一个方向放置。

7.根据权利要求6所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，所述加装高压电极的微波真空干燥箱的操作过程依次包括：

8.根据权利要求7所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，抽真空的时间为50～70s，达到的真空度为18～22pa；

9.根据权利要求2所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，在s1之后，s2之前，还包括对清洗后的掩膜版进行外观检查，以检测掩膜版是否有划痕、损伤或其他表面缺陷。

10.根据权利要求2所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，在s2之后，s3之前，还包括采用aoi设备扫描掩膜版，确保掩膜版的图案转移质量。

技术总结
本发明公开了一种掩膜版霉点抑制方法，涉及掩膜版清洗方法领域，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。本发明通过采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移，掩膜版表面钠离子含量降低到了每平方厘米1×10<supgt;‑7</supgt;g以下，掩膜版亚表面层的钠离子含量降低到了原来的2％，相比现有技术中未经真空微波高压电场复合处理工艺处理的掩膜版表面每平方厘米钠离子含量在5×10<supgt;‑6</supgt;g以上具有显著的优势。

技术研发人员：傅云扬,孙多卫,郑宇辰
受保护的技术使用者：成都路维光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5