封装结构及其制作方法和电子产品与流程

本公开涉及芯片封装领域，更具体，涉及一种封装结构、封装结构的制作方法和电子产品。

背景技术：

1、射频前端（rffe, radio frequency front-end）是实现手机及各类移动终端通信功能的核心元器件。射频前端主要由功率放大器（pa）、射频开关（switch）、低噪声放大器（lna）和滤波器（filter）等器件组成。滤波器是射频前端中的一个重要的组件；目前，在智能手机等通讯装置中，广泛应用的射频滤波器是声表面波滤波器，其可用于将输入的多种射频信号中特定频率的信号取出。

2、另一方面，随着通讯技术从2g发展至5g，甚至6g，通信频段数目逐步增加（例如，从2g的4个频段上升到5g的50多个频段）。随着通讯技术不断发展，为了提高对不同通信制式的兼容能力，智能手机等通讯装置所需要的滤波器的用量将显著上升，推动滤波器市场大规模增长。

技术实现思路

1、本公开提供一种封装结构及其制作方法和电子产品。通过在衬底的焊盘区域形成上述的键合微结构，该封装结构可增加衬底焊盘的第一表面和键合微结构之间的结合力，并抑制衬底焊盘与衬底之间的裂纹的产生和生长，在保持器件性能的同时，还可实现器件封装的高可靠性要求。

2、本公开提供一种封装结构，其包括：衬底；电路板，与所述衬底相对间隔设置；衬底焊盘，位于所述衬底上；电路板焊盘，位于所述电路板上；以及导电球，位于所述衬底焊盘和所述电路板焊盘之间，所述衬底包括焊盘区域，所述衬底焊盘位于所述焊盘区域，所述衬底焊盘包括相对的第一表面和第二表面，所述焊盘区域包括键合微结构，所述衬底焊盘的所述第一表面与所述键合微结构接触设置，所述键合微结构包括多个键合凹槽，从所述衬底靠近所述电路板的表面凹入所述衬底。

3、例如，在本公开提供的封装结构中，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于30纳米。

4、例如，在本公开提供的封装结构中，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于50纳米。

5、例如，在本公开提供的封装结构中，所述第一表面具有与所述键合微结构啮合的第一微结构，所述第一微结构包括多个第一凸起，所述多个第一凸起与所述多个键合凹槽啮合。

6、例如，在本公开提供的封装结构中，所述第二表面具有第二微结构，所述第二微结构包括多个第二凸起，所述多个第二凸起的高度的平均值小于所述多个第一凸起的高度的平均值。

7、例如，在本公开提供的封装结构中，所述衬底焊盘包括：导电种子层，与所述衬底接触设置；以及导电金属层，位于所述导电种子层远离所述衬底的一侧，所述导电种子层的厚度大于所述多个键合凹槽的深度的最大值。

8、例如，在本公开提供的封装结构中，所述衬底焊盘在垂直于衬底的方向上的厚度的取值范围为2000纳米-2500纳米，所述导电种子层的厚度范围为300纳米-600纳米。

9、例如，在本公开提供的封装结构中，所述导电种子层的材料包括钛、铬、钛钨中的至少一种，所述导电金属层的材料包括铜、铝、银、铂、金中的至少一种。

10、例如，在本公开提供的封装结构中，所述衬底的材料包括钽酸锂、磷酸锂、铌酸锂和石英中的至少一种。

11、例如，本公开提供的封装结构还包括：塑封结构，所述塑封结构与所述电路板连接，以在所述塑封结构和所述电路板之间形成密封空间，所述衬底位于所述密封空间。

12、例如，本公开提供的封装结构还包括：微机电器件，位于所述衬底上，所述微机电器件与所述衬底焊盘电连接。

13、例如，在本公开提供的封装结构中，所述微机电器件包括声表面波谐振器。

14、本公开还提供一种封装结构的制作方法，其包括：在衬底的焊盘区域形成键合微结构；在所述键合微结构上形成衬底焊盘；在所述衬底焊盘远离所述键合微结构的一侧形成导电球；将具有电路板焊盘的电路板与所述衬底相对间隔设置，并将所述电路板焊盘与所述导电球键合，所述衬底焊盘包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底焊盘的所述第一表面与所述键合微结构接触设置，所述键合微结构包括多个键合凹槽，从所述衬底靠近所述电路板的表面凹入所述衬底。

15、例如，在本公开提供的封装结构的制作方法中，所述键合微结构包括多个键合凹槽，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于30纳米。

16、本公开还提供一种电子产品，其包括上述任一项所述的封装结构。

技术特征：

1.一种封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于30纳米。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于50纳米。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面具有与所述键合微结构啮合的第一微结构，所述第一微结构包括多个第一凸起，所述多个第一凸起与所述多个键合凹槽啮合。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第二表面具有第二微结构，所述第二微结构包括多个第二凸起，所述多个第二凸起的高度的平均值小于所述多个第一凸起的高度的平均值。

6. 根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述衬底焊盘包括：

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述衬底焊盘在垂直于衬底的方向上的厚度的取值范围为2000纳米-2500纳米，所述导电种子层的厚度范围为300纳米-600纳米。

8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述导电种子层的材料包括钛、铬、钛钨中的至少一种，所述导电金属层的材料包括铜、铝、银、铂、金中的至少一种。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述衬底的材料包括钽酸锂、磷酸锂、铌酸锂和石英中的至少一种。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括：

11.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括：

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述微机电器件包括声表面波谐振器。

13.一种封装结构的制作方法，包括：

14.根据权利要求13所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述键合微结构包括多个键合凹槽，所述多个键合凹槽的深度的平均值大于30纳米。

15.一种电子产品，其特征在于，包括根据权利要求1-12中任一项所述的封装结构。

技术总结
一种封装结构及其制作方法和电子产品。该封装结构包括衬底、电路板、衬底焊盘、电路板焊盘和导电球；电路板与衬底相对间隔设置，衬底焊盘位于衬底上，电路板焊盘位于所述电路板上，导电球位于衬底焊盘和电路板焊盘之间；衬底包括焊盘区域，衬底焊盘位于焊盘区域，衬底焊盘包括相对的第一表面和第二表面，焊盘区域包括键合微结构，衬底焊盘的第一表面与键合微结构接触设置，键合微结构包括多个键合凹槽，从衬底靠近电路板的表面凹入衬底。由此，该封装结构在保持器件性能的同时，还可实现器件封装的高可靠性要求。

技术研发人员：请求不公布姓名,郭佳惠,高晋文,杨涛
受保护的技术使用者：润芯感知科技（南昌）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5