一种飞行器进气道隐身结构及方法
本发明属于飞行器隐身，特别是涉及一种飞行器进气道隐身结构及方法。
背景技术：
1、随着无人机技术的高速发展，对无人机的隐身要求也越来越高，目前无人机的隐身技术主要侧重于外形隐身以及涂层隐身，反而忽略了进气道这一短板部位的隐身。因此，想要进一步提升无人机的整体隐身效果，提高飞行器进气道的隐身效果势在必行。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本发明提供一种飞行器进气道隐身结构及方法，首次将格栅隐身技术与等离子体隐身技术进行了有机结合，允许进气口处的隐身格栅更加稀疏化，降低隐身格栅对进气的阻碍，利用隐身格栅遮挡反射电磁波的同时，通过等离子体吸收电磁波，最终提高了飞行器进气道的隐身效果。
2、为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种飞行器进气道隐身结构，包括隐身格栅和等离子体发生组件；所述隐身格栅固定安装在飞行器进气道的进气口处；所述等离子体发生组件设置在隐身格栅的格栅孔内；所述等离子体发生组件包括阴电极棒和阳电极棒，阴电极棒和阳电极棒平行分布。
3、所述隐身格栅所在平面相对于竖直平面具有倾角，倾角范围为20°～30°。
4、所述阴电极棒的连接导线布设在隐身格栅的迎风侧；所述阳电极棒的连接导线布设在隐身格栅的背风侧。
5、所述阴电极棒与阳电极棒的间距不小于格栅孔边长的2/3。
6、所述阴电极棒和阳电极棒通过连接导线与等离子体发生器相连，等离子体发生器设置在飞行器机体内，等离子体发生器采用电压和频率可调式等离子体发生器。
7、一种飞行器进气道隐身方法，采用了所述的飞行器进气道隐身结构，具体为：当飞行器进气道需要隐身时，启动等离子体发生器，阴电极棒和阳电极棒通电，在阴电极棒和阳电极棒之间产生高能等离子体，高能等离子体与高速自由来流混合，形成高能等离子体气流；同时，每个格栅孔内形成的高能等离子体气流会进一步相互融合叠加，形成分布于隐身格栅及进气道内部的高能等离子体团，通过高能等离子体团实现进气道隐身；此外，通过调整等离子体发生器的电压和频率，对阴电极棒和阳电极棒之间产生高能等离子体的强度和大小进行调节，用以改变进气道隐身效果。
8、本发明的有益效果：
9、本发明的飞行器进气道隐身结构及方法，首次将格栅隐身技术与等离子体隐身技术进行了有机结合，允许进气口处的隐身格栅更加稀疏化，降低隐身格栅对进气的阻碍，利用隐身格栅遮挡反射电磁波的同时，通过等离子体吸收电磁波，最终提高了飞行器进气道的隐身效果。
技术特征：
1.一种飞行器进气道隐身结构，其特征在于：包括隐身格栅和等离子体发生组件；所述隐身格栅固定安装在飞行器进气道的进气口处；所述等离子体发生组件设置在隐身格栅的格栅孔内；所述等离子体发生组件包括阴电极棒和阳电极棒，阴电极棒和阳电极棒平行分布。
2.根据权利要求1所述的一种飞行器进气道隐身结构，其特征在于：所述隐身格栅所在平面相对于竖直平面具有倾角，倾角范围为20°～30°。
3.根据权利要求1所述的一种飞行器进气道隐身结构，其特征在于：所述阴电极棒的连接导线布设在隐身格栅的迎风侧；所述阳电极棒的连接导线布设在隐身格栅的背风侧。
4.根据权利要求1所述的一种飞行器进气道隐身结构，其特征在于：所述阴电极棒与阳电极棒的间距不小于格栅孔边长的2/3。
5.根据权利要求1所述的一种飞行器进气道隐身结构，其特征在于：所述阴电极棒和阳电极棒通过连接导线与等离子体发生器相连，等离子体发生器设置在飞行器机体内，等离子体发生器采用电压和频率可调式等离子体发生器。
6.一种飞行器进气道隐身方法，采用了权利要求1所述的飞行器进气道隐身结构，其特征在于，具体为：当飞行器进气道需要隐身时，启动等离子体发生器，阴电极棒和阳电极棒通电，在阴电极棒和阳电极棒之间产生高能等离子体，高能等离子体与高速自由来流混合，形成高能等离子体气流；同时，每个格栅孔内形成的高能等离子体气流会进一步相互融合叠加，形成分布于隐身格栅及进气道内部的高能等离子体团，通过高能等离子体团实现进气道隐身；此外，通过调整等离子体发生器的电压和频率，对阴电极棒和阳电极棒之间产生高能等离子体的强度和大小进行调节，用以改变进气道隐身效果。
技术总结
一种飞行器进气道隐身结构及方法，结构包括隐身格栅和等离子体发生组件；隐身格栅固定安装在飞行器进气道的进气口处；等离子体发生组件设在隐身格栅的格栅孔内；等离子体发生组件包括阴电极棒和阳电极棒，阴电极棒和阳电极棒平行分布。方法为：启动等离子体发生器，阴电极棒和阳电极棒通电，两电极棒之间产生高能等离子体，与高速自由来流混合形成高能等离子体气流；每个格栅孔内形成的高能等离子体气流会进一步相互融合叠加，形成分布于隐身格栅及进气道内部的高能等离子体团，通过高能等离子体团实现进气道隐身；通过调整等离子体发生器的电压和频率，对阴电极棒和阳电极棒之间产生高能等离子体的强度和大小进行调节，用以改变进气道隐身效果。
技术研发人员：王建明,夏鑫禹
受保护的技术使用者：沈阳航空航天大学
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5