一种LPCVD气路优化管道的制作方法
本发明涉及lpcvd系统，具体为一种lpcvd气路优化管道。
背景技术：
1、lp常用气体为sih4、o2、n2，在工艺沉积过程中，炉管内产生的硅粉会沉积在炉管内壁，炉管每使用一段时间，都需要用氮气吹扫炉管内的粉尘以及所有气路管道进行清理，通过真空泵的抽离带入废排管，但目前lp的气路吹扫过程中，氮气吹扫硅烷管道时，氮气会直接从硅烷流量计经过，进行硅烷管道吹扫，常规吹扫氮气会经过硅烷流量计，容易造成流量计粉尘污染，从而使流量计输出异常，造成蝶阀异常。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本发明提供了一种lpcvd气路优化管道，解决了现有的lp气路吹扫系统容易将管道内的硅粉带动经过硅烷流量计，造成流量计粉尘污染，从而使流量计输出异常，造成蝶阀异常的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种lpcvd气路优化管道，包括硅烷管道，所述硅烷管道的一端安装有气动阀一，硅烷管道的一侧连通有旁路管道，旁路管道远离硅烷管道的一端安装有气动阀二，硅烷管道和旁路管道之间安装有阀门，硅烷管道上安装有用于阻挡硅粉吹向气动阀一的分隔组件；
3、所述分隔组件包括与硅烷管道联通的横管，横管的内壁开设有两个轨道槽，轨道槽内滑动连接有滑块，滑块延伸至轨道槽外部的一端安装有根据硅烷管道和气动阀一的工作情况灵活调节开闭的管道封堵组件，两个管道封堵组件组成一个与横管适配的完整圆板，横管的两侧均安装有调整其内部气流路径的调节组件。
4、优选的，所述管道封堵组件包括与滑块固定连接的前端板，前端板远离滑块的一侧转动连接有多个中间板，远离前端板的中间板一侧转动连接有后端板，前端板、中间板和后端板组成一个半圆板，后端板的一侧设有延伸至其内部的磁铁块。
5、优选的，所述后端板远离气动阀一的一侧开设有弧形槽，后端板靠近气动阀一的一侧开设有缺口，缺口内安装有与后端板连接的弹性板和限位板，磁铁块安装在限位板的一侧，限位板远离后端板的一端固定连接有刷头。
6、优选的，所述横管的内部靠近气动阀一的一端内径逐渐增大，滑块与轨道槽的内壁之间固定连接有弹性片。
7、优选的，所述中间板远离气动阀一的一侧开设有纵向槽，前端板靠近中间板的一侧开设有收纳槽，收纳槽内部安装有多孔吸附块。
8、优选的，所述中间板内部安装有与收纳槽内壁转动连接的摆动板，摆动板的转轴设在靠近前端板的一端，摆动板远离前端板的一端固定连接有倾斜板。
9、优选的，所述调节组件包括与横管连通的纵向管，纵向管远离横管的一端开设有弧形缺口，纵向管的内壁一侧转动连接有用于封堵纵向管的圆球，圆球的一侧设有延伸至纵向管外部的旋钮。
10、优选的，所述圆球的一侧为平面，圆球的一侧开设有凹槽，凹槽内部固定连接有金属块。
11、与现有技术相比，本发明提供了一种lpcvd气路优化管道，具备以下有益效果：
12、1、通过设置的旁路管道和气动阀一，能够引导氮气吹扫硅烷管道时进入旁路管道，而不经过硅烷流量计，以达到减少硅烷流量计被污染的风险，降低流量计输出异常的可能，进而避免造成蝶阀异常，增加硅烷流量计的寿命。
13、2、通过设置的管道封堵组件，能够根据管路的气体流向不同，灵活调整靠近气动阀一处的管道的封闭状态，在气动阀一开启时，管道正常流动气流保证化学气体在晶圆表面上反应，在气动阀一关闭时，能够阻挡气流向气动阀一移动，防止吹灰时氮气携带硅粉移动到气动阀一的阀芯上，减少气动阀一再次开启式阀芯上附着的硅粉被携带到硅烷流量计处的可能。
14、3、通过设置的后端板上开设的弧形槽和缺口适当的减小了后端板的体积，从而使气流更顺利的推动后端板升高，以及磁铁块带动后端板升高，刷头在后端板被推动贴近横管的内壁时逐渐靠近气动阀一，不仅能够减轻后端板对气动阀一的撞击力，也能够清扫气动阀一表面附着的硅粉，方便对气动阀一表面的硅粉进行清理。
15、4、通过设置的中间板和后端板的具体结构，部分气流冲击管道封堵组件，虽然无法将管道封堵组件冲开，但是仍会对管道封堵组件形成冲击力，这部分冲击力推动倾斜板，带动摆动板晃动，使摆动板表面附着的硅粉掉落，同时，倾斜板延伸到中间板和后端板的连接处，阻挡硅粉掉落到中间板和后端板的缝隙中，气流沿着后端板表面的弧度向中间板流动，然后进入收纳槽内，引导气流吹走中间板内的硅粉，将硅粉吹到多孔吸附块处吸收，降低管道封堵组件打开后其表面附着的硅粉被带到硅烷流量计处的可能。
16、5、通过设置的圆球上的金属块，将后端板和中间板更加牢固的固定在横管的内壁，防止气流经过横管时管道封堵组件晃动影响气流经过。
17、6、通过设置的圆球上的平面，能够引导氮气吹走气动阀一的阀芯处的硅粉，减少附着在气动阀一的阀芯上的硅粉，从而降低气动阀一打开后其表面附着的硅粉被带动硅烷流量计处的可能。
技术特征：
1.一种lpcvd气路优化管道，包括硅烷管道(1)，其特征在于：所述硅烷管道(1)的一端安装有气动阀一(2)，硅烷管道(1)的一侧连通有旁路管道(3)，旁路管道(3)远离硅烷管道(1)的一端安装有气动阀二(4)，硅烷管道(1)和旁路管道(3)之间安装有阀门，硅烷管道(1)上安装有用于阻挡硅粉吹向气动阀一(2)的分隔组件(5)；
2.根据权利要求1所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述管道封堵组件(53)包括与滑块(52)固定连接的前端板(531)，前端板(531)远离滑块(52)的一侧转动连接有多个中间板(532)，远离前端板(531)的中间板(532)一侧转动连接有后端板(533)，前端板(531)、中间板(532)和后端板(533)组成一个半圆板，后端板(533)的一侧设有延伸至其内部的磁铁块(534)。
3.根据权利要求2所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述后端板(533)远离气动阀一(2)的一侧开设有弧形槽，后端板(533)靠近气动阀一(2)的一侧开设有缺口，缺口内安装有与后端板(533)连接的弹性板(6)和限位板(7)，磁铁块(534)安装在限位板(7)的一侧，限位板(7)远离后端板(533)的一端固定连接有刷头(8)。
4.根据权利要求1所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述横管(51)的内部靠近气动阀一(2)的一端内径逐渐增大，滑块(52)与轨道槽的内壁之间固定连接有弹性片(9)。
5.根据权利要求2所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述中间板(532)远离气动阀一(2)的一侧开设有纵向槽，前端板(531)靠近中间板(532)的一侧开设有收纳槽，收纳槽内部安装有多孔吸附块(10)。
6.根据权利要求5所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述中间板(532)内部安装有与收纳槽内壁转动连接的摆动板(11)，摆动板(11)的转轴设在靠近前端板(531)的一端，摆动板(11)远离前端板(531)的一端固定连接有倾斜板(12)。
7.根据权利要求1所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述调节组件(54)包括与横管(51)连通的纵向管(541)，纵向管(541)远离横管(51)的一端开设有弧形缺口，纵向管(541)的内壁一侧转动连接有用于封堵纵向管(541)的圆球(542)，圆球(542)的一侧设有延伸至纵向管(541)外部的旋钮(543)。
8.根据权利要求7所述的一种lpcvd气路优化管道，其特征在于：所述圆球(542)的一侧为平面，圆球(542)的一侧开设有凹槽，凹槽内部固定连接有金属块(13)。
技术总结
本发明涉及LPCVD系统技术领域，具体为一种LPCVD气路优化管道，包括硅烷管道，所述硅烷管道的一端安装有气动阀一，硅烷管道的一侧连通有旁路管道，旁路管道远离硅烷管道的一端安装有气动阀二，硅烷管道和旁路管道之间安装有阀门，硅烷管道上安装有用于阻挡硅粉吹向气动阀一的分隔组件；所述分隔组件包括与硅烷管道联通的横管，横管的内壁开设有两个轨道槽，轨道槽内滑动连接有滑块，滑块延伸至轨道槽外部的一端安装有根据硅烷管道和气动阀一的工作情况灵活调节开闭的管道封堵组件。解决了现有的LP气路吹扫系统容易将管道内的硅粉带动经过硅烷流量计，造成流量计粉尘污染，从而使流量计输出异常，造成蝶阀异常的问题。
技术研发人员：胡超
受保护的技术使用者：淮安捷泰新能源科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5