一种用于MEMS谐振器的引线框架及MEMS谐振器的制作方法

本申请涉及微机电，具体涉及一种用于mems谐振器的引线框架及mems谐振器。

背景技术：

1、微机电系统(mems，micro-electro-mechanical system)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统，可以包括振荡器、陀螺仪、加速度计等类型。其电路部分设计于ic芯片上，微机械部分设计于mems芯片上，ic芯片与mems芯片耦合。

2、谐振频率是mems谐振器的重要性能参数，mems谐振器的谐振频率对封装过程中的应力非常敏感，封装应力会给mems谐振器施加一个额外的外界应力，引起mems谐振器频率输出的偏移(简称频偏)。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请提供一种用于mems谐振器的引线框架及mems谐振器，可以减小现有的mems谐振器因封装应力导致的频偏。

2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种用于mems谐振器的引线框架，包括用于支撑ic裸片的多个引脚，所述多个引脚沿所述ic裸片的周边设置；

3、所述引脚的顶面包括靠近所述ic裸片的第一部分，以及远离所述ic裸片的第二部分，所述第一部分低于所述第二部分以使两者之间形成第一台阶；

4、所述第一部分用于支撑所述ic裸片。

5、可选的，所述引脚的底面包括靠近所述ic裸片的第三部分，以及远离所述ic裸片的第四部分，所述第三部分高于所述第四部分以使两者之间形成第二台阶。

6、可选的，所述第一部分的宽度大于所述第三部分的宽度，以使所述第一台阶和所述第二台阶错开。

7、可选的，所述第一部分包括靠近所述第二部分的支撑面，以及远离所述第二部分的悬空面，所述悬空面低于所述支撑面以使两者之间形成第三台阶，

8、所述支撑面用于支撑所述ic裸片。

9、可选的，所述第一台阶的高度大于0，且小于或等于100μm。

10、第二方面，本申请还提供一种mems谐振器，包括mems裸片、ic裸片、封装体，以及如上各实施例所述的引线框架：

11、所述ic裸片支撑于所述多个引脚的所述第一部分；

12、所述mems裸片设置于所述ic裸片的顶面；

13、所述封装体将所述ic裸片、所述mems裸片和所述引脚的至少一部分封装在内部。

14、可选的，所述ic裸片通过第一贴片胶固定于所述第一部分上。

15、可选的，所述mems裸片通过第二贴片胶固定于所述ic裸片上；或，

16、所述mems裸片通过焊球与所述ic裸片连接。

17、如上所述，本申请的用于mems谐振器的引线框架，其顶面形成有凹槽，其中，所有引脚顶面的第一部分共同构成该凹槽的底面，第一台阶构成该凹槽的侧壁，封装时ic裸片支撑于所有引脚顶面的第一部分，即ic裸片设置于上述凹槽中，通过在引线框架的顶面设置凹槽，该凹槽可以改变封装时的应力分布，释放影响mems谐振器频率的应力，从而减小了mems谐振器的频偏。

技术特征：

1.一种用于mems谐振器的引线框架，其特征在于，包括用于支撑ic裸片的多个引脚，所述多个引脚沿所述ic裸片的周边设置；

2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引脚的底面包括靠近所述ic裸片的第三部分，以及远离所述ic裸片的第四部分，所述第三部分高于所述第四部分以使两者之间形成第二台阶。

3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述第一部分的宽度大于所述第三部分的宽度，以使所述第一台阶和所述第二台阶错开。

4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一部分包括靠近所述第二部分的支撑面，以及远离所述第二部分的悬空面，所述悬空面低于所述支撑面以使两者之间形成第三台阶，

5.根据权利要求1-4任一项所述的引线框架，其特征在于，所述第一台阶的高度大于0，且小于或等于100μm。

6.一种mems谐振器，其特征在于，包括mems裸片、ic裸片、封装体，以及权利要求1-5任一项所述的引线框架：

7.根据权利要求6所述的mems谐振器，其特征在于，所述ic裸片通过第一贴片胶固定于所述第一部分上。

8.根据权利要求6所述的mems谐振器，其特征在于，所述mems裸片通过第二贴片胶固定于所述ic裸片上；或，

技术总结
本申请公开了一种用于MEMS谐振器的引线框架及MEMS谐振器，引线框架，包括用于支撑IC裸片的多个引脚，多个引脚沿IC裸片的周边设置；引脚的顶面包括靠近IC裸片的第一部分，以及远离IC裸片的第二部分，第一部分低于第二部分以使两者之间形成第一台阶；第一部分用于支撑IC裸片。本申请的引线框架顶面形成有凹槽，其中，所有引脚顶面的第一部分共同构成该凹槽的底面，第一台阶构成该凹槽的侧壁，封装时IC裸片支撑于所有引脚顶面的第一部分，即IC裸片设置于上述凹槽中，通过在引线框架的顶面设置凹槽，该凹槽可以改变封装时的应力分布，释放影响MEMS谐振器频率的应力，从而减小了MEMS谐振器的频偏。

技术研发人员：朱怀远,周莎莉,舒赟翌
受保护的技术使用者：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
技术研发日：20240415
技术公布日：2024/12/5