存储器器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及存储器器件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成密度的提高来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许更多的组件集成到给定的区域中。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元，每个存储器单元包括彼此串联耦合的存取晶体管和熔丝电阻器；第一驱动器电路，沿着第一横向方向设置在存储器阵列旁边，并且可操作地耦合到每个存储器单元的存取晶体管；以及第二驱动器电路，沿着第二横向方向设置在存储器阵列旁边，并且可操作地耦合到每个存储器单元的熔丝电阻器；其中，存储器阵列由多个部分组成；其中，属于多个部分中的至少第一部分的存储器单元的存取晶体管具有第一电特性、或者沿着衬底的主表面设置；其中，属于多个部分中的至少第二部分的存储器单元的存取晶体管具有不同于第一电特性的第二电特性、或者设置在位于衬底的主表面上方的多个金属化层中的一个或多个金属化层中；并且其中，第一电特性包括第一栅极介电厚度、第一掺杂浓度、第一平坦带电压或第一栅极介电常数中的至少一个，并且第二电特性包括第二栅极介电厚度、第二掺杂浓度、第二平坦带电压或第二栅极介电常数中的至少一个。

2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：多个一次性可编程(otp)存储器单元，至少分组为第一部分和第二部分，其中，第一部分和第二部分沿着第一横向方向彼此相邻设置；第一驱动器电路，沿着第一横向方向设置在第一部分旁边，其中，第一部分沿着第一横向方向介于第二部分和第一驱动器电路之间；以及第二驱动器电路，沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向设置在第一部分和第二部分两者旁边；其中，第一部分的otp存储器单元与第一电特性/物理特性相关联，并且第二部分的otp存储器单元与第二电特性/物理特性相关联，其中，第一电特性/物理特性不同于第二电特性/物理特性。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种用于形成存储器器件的方法，包括：沿着一横向方向在驱动器电路旁边形成存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器单元；基于第一部分与驱动器电路之间的第一距离以及第二部分与驱动器电路之间的第二距离，将存储器阵列分组为至少第一部分和第二部分；形成属于第一部分的存储器单元的第一子集的具有第一电特性或第一物理特性的存取晶体管；以及形成属于第二部分的存储器单元的第二子集的具有不同于第一电特性的第二电特性或不同于第一物理特性的第二物理特性的存取晶体管；其中，多个存储器单元中的每个被配置为一次性可编程(otp)存储器单元，otp存储器单元还包括形成在设置在衬底的主表面上方的多个金属化层中的对应一个金属化层中的熔丝电阻器。

技术特征：

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第二部分沿着所述第一横向方向布置在所述第一驱动器电路旁边，或者沿着所述第二横向方向布置在所述第二驱动器电路旁边，所述第一部分介于所述第二部分与所述第一驱动电路或所述第二驱动电路之间。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述第一电特性导致第一阈值电压，并且所述第二电特性导致第二阈值电压，并且其中，所述第一阈值电压高于所述第二阈值电压。

4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述第二部分沿着所述第一横向方向布置在所述第一驱动器电路旁边，所述第一部分介于所述第二部分与所述第一驱动器电路之间，所述存储器器件还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，属于所述第一部分的所述存储器单元的所述存取晶体管沿着所述衬底的所述主表面设置，而属于所述第二部分的所述存储器单元的所述存取晶体管设置在所述一个或多个金属化层中，使得从设置在相应一个所述金属化层内的互连结构延伸到属于所述第一部分的所述存储器单元的所述熔丝电阻器的第一距离等于从所述互连结构延伸到属于所述第二部分的所述存储器单元的所述熔丝电阻器的第二距离。

6.一种存储器器件，包括：

7.根据权利要求6所述的存储器器件，

8.根据权利要求6所述的存储器器件，

9.一种用于形成存储器器件的方法，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一距离短于所述第二距离，并且所述第一物理特性包括沿着所述衬底的所述主表面形成的所述存储器单元的所述第一子集的所述存取晶体管，且所述第二物理特性包括在所述金属化层之中形成的所述存储器单元的所述第二子集的所述存取晶体管。

技术总结
一种存储器器件，包括：多个一次性可编程(OTP)存储器单元，至少分组为第一部分和第二部分，第一部分和第二部分沿着第一横向方向彼此相邻设置；第一驱动器电路，沿着第一横向方向设置在第一部分旁边，其中，第一部分沿着第一横向方向介于第二部分和第一驱动器电路之间；以及第二驱动器电路，沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向设置在第一部分和第二部分两者旁边。第一部分的OTP存储器单元与第一电特性/物理特性相关联，并且第二部分的OTP存储器单元与第二电特性/物理特性相关联，其中，第一电特性/物理特性不同于第二电特性/物理特性。本申请的实施例还公开了一种用于形成存储器器件的方法。

技术研发人员：林育纬,张盟昇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5