半导体器件的制作方法

本发明涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种金属氧化物(metal-oxide)半导体器件。

背景技术：

1、包括家用电器在内的各种电子设备中所包含的半导体器件是决定电子设备质量的主要组成。随着电子设备的大容量化、多功能化及/或小型化，对具有提高的可靠性和其他特性的半导体器件的需求正在增加。

2、许多设备需要能够在低压和高压应用中运行的金属氧化物半导体(mos，metal-oxide-semiconductor)器件。

3、例如，液晶显示器(liquid crystal display；lcd)或有机发光显示装置等显示面板和驱动集成电路(integrated circuit；ic)等功率器都需要用于驱动相关逻辑电路的低电压(lv；low voltage)操作和用于驱动工作中的面板的高电压(hv；high voltage)操作。

4、这些低电压操作和高电压操作可以通过集成有多个半导体器件的半导体装置来实现。然而，如此多个半导体器件彼此相邻形成的半导体装置上可能会存在空间效率问题。

5、另外，在半导体器件中，对栅极没有施加电压的状态(gate off)时，可能会出现漏电流。

6、因此，需要一种方法来解决这些问题。

技术实现思路

1、根据本发明的一实施例，其目的在于，提供一种在构成多个半导体器件时可以提高空间效率性的半导体器件。

2、另外，根据本发明的一实施例，其目的在于，提供一种能够减少或防止发生漏电流的半导体器件。

3、另外，本发明的目的在于，提供一种可以减少或防止因早期导通(turn on)而发生漏电流的驼峰(hump)现象的半导体器件。

4、为达成所述目的的本发明的第一观点，提供一种半导体器件，其中，可以包括：有源区，具备配置在第一导电性的相隔开的第一区域和第二区域之间的沟道区；栅极氧化物层，配置在所述有源区上；以及栅极金属层，配置在所述栅极氧化物层上，所述栅极氧化物层和所述栅极金属层中的至少一个包括位于所述有源区的内侧的第一部分和向所述有源区的外侧扩张的第二部分。

5、在示例性实施例中，可以是，所述有源区具有横跨所述第一区域和所述第二区域的方向的第一宽度以及垂直于所述第一宽度的第二宽度，所述第二部分相对于所述第二宽度向外扩张定位。

6、在示例性实施例中，所述第二部分可以相对于所述第二宽度的中心相对称定位。

7、在示例性实施例中，所述第一部分和所述第二部分可以形成t形。

8、在示例性实施例中，所述栅极氧化物层和所述栅极金属层可以具有相同的形状。

9、在示例性实施例中，所述第一区域和所述第二区域，可分别包括：第一掺杂浓度的漂移区；以及高掺杂区，位于所述漂移区的端侧，具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

10、在示例性实施例中，所述第一部分和所述第二部分可以将所述漂移区彼此连接来定位。

11、为达成所述目的的本发明的第二观点，提供一种半导体器件，可以是，包括多个单元半导体器件，所述多个单元半导体器件具备形成在衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，所述多个单元半导体器件，可以包括：有源区，在第一导电性的相隔开的第一区域和第二区域之间形成第二导电性的沟道区；栅极氧化物层，在所述有源区上与所述沟道区一起相连接所述第一区域和所述第二区域；以及栅极金属层，位于所述栅极氧化物层上，所述栅极氧化物层和所述栅极金属层中的至少一个包括位于所述有源区的内侧的第一部分和向所述有源区的外侧扩张定位的第二部分。

12、在示例性实施例中，所述第一半导体器件的第二部分和所述第二半导体器件的第二部分可以相连接。

13、在示例性实施例中，在所述第一半导体器件中，所述第二部分可以与所述第一区域相邻，在所述第二半导体器件中，所述第二部分可以与所述第二区域相邻。

14、发明效果

15、根据本发明的示例性实施例，具有如下效果。

16、首先，根据本发明的一实施例，当构成多个半导体器件时，可以提高空间效率性。

17、例如，在半导体装置上可以有效地利用空间。因此，可以在相同面积内制造更多数量的单元半导体器件。

18、另外，根据本发明的一实施例，可以减少或防止半导体器件中发生漏电流。

19、另外，可以减少或防止由于在半导体器件中早期导通(turn on)而发生漏电流的驼峰现象。

20、此外，根据本发明的另一实施例，还具有此处未提及的附加技术效果。本领域的普通技术人员可以通过说明书和附图的全部内容而理解。

技术特征：

1.一种半导体器件，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区具有横跨所述第一区域和所述第二区域的方向的第一宽度以及垂直于所述第一宽度的第二宽度，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二部分相对于所述第二宽度的中心相对称配置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分和所述第二部分形成t形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极氧化物层和所述栅极金属层具有相同的形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域和所述第二区域，分别包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一部分和所述第二部分将所述漂移区彼此连接来定位。

8.一种半导体器件，其中，包括多个单元半导体器件，所述多个单元半导体器件具备形成在衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一半导体器件的第二部分和所述第二半导体器件的第二部分相互连接。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述第一半导体器件中，所述第二部分与所述第一区域相邻，在所述第二半导体器件中，所述第二部分与所述第二区域相邻。

技术总结
本发明涉及一种半导体器件，具体涉及一种金属氧化物半导体器件。本发明的一实施例，可以包括：有源区，具备配置在第一导电性的相隔开的第一区域和第二区域之间的沟道区；栅极氧化物层，配置在所述有源区上；以及栅极金属层，位于所述栅极氧化物层上，其中所述栅极氧化物层和所述栅极金属层中的至少一个可以包括位于所述有源区的内侧的第一部分、和向所述有源区的外侧扩张定位的第二部分。

技术研发人员：崔基埈
受保护的技术使用者：LX半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5