本公开涉及一种电子器件,并且更具体地涉及一种具有封装级电容器的集成电路封装件。
背景技术:
1、模拟和数字集成电路(ic)利用片上电容器(金属对金属;多晶硅帽等)实现多种用途,包括噪声过滤、电荷存储等。这些片上电容器需要ic芯片上的大量空间,这增加了芯片尺寸和ic封装件的整体尺寸。尺寸的增加进一步增加了材料和制造成本。此外,在制造期间,来自电容器的颗粒可能变得嵌入管芯中,并在管芯中和管芯上的其他部件中创建短路,从而损害ic的信号完整性。
技术实现思路
1、在所描述的示例中,一种电子器件包括具有管芯焊盘和引线的引线框。具有有源侧的管芯被附接到管芯焊盘。管芯进一步包括沉积在管芯的与有源侧相反的一侧上的电介质层和沉积在电介质层上的管芯附接膜。线键合件从管芯的有源侧附接到引线。关键信号线键合件从管芯的有源侧附接到管芯焊盘。模制化合物包封管芯、线键合件、关键信号线键合件和一部分的引线框。管芯、电介质层和管芯附接膜的堆叠形成物形成电容器,该电容器从由关键信号线键合件连接的关键信号中过滤噪声。
2、在另一个描述的示例中,一种方法包括提供管芯,其中管芯具有有源侧和与有源侧相反的非有源侧。管芯附接膜被附接在管芯的非有源侧上,并且管芯的非有源侧被附接到引线框的管芯焊盘。线键合件从管芯的有源侧附接到引线框的引线。关键信号线键合件从管芯的有源侧附接到管芯焊盘,并且在管芯、线键合件、关键信号线键合件和一部分的引线框之上形成模制化合物。管芯和管芯附接膜的形成物形成电容器,该电容器从经由关键信号线键合件从管芯到管芯焊盘的关键信号中过滤噪声。
3、在另一个描述的示例中,一种电子器件包括具有管芯焊盘和引线的引线框。管芯被附接到管芯焊盘,其中管芯包括有源侧和与有源侧相反的非有源侧。管芯附接膜被附接到管芯的非有源侧,这有助于将管芯附接到管芯焊盘。线键合件从管芯的有源侧附接到引线。此外,关键信号线键合件从管芯的有源侧附接到管芯焊盘。模制化合物包封管芯、关键信号线键合件和一部分的引线框。管芯和管芯附接膜的堆叠形成物形成电容器,该电容器从关键信号线键合件承载的关键信号中过滤噪声。
1.一种电子器件,其包括:
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述管芯包括在与所述有源侧相反的所述一侧上的电接地且导电的衬底,所述衬底形成所述电容器的一个导电板。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其中所述管芯附接膜是导电膜,所述导电膜与所述管芯焊盘一起形成所述电容器的另一导电板。
4.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述电介质层包括氧化物,并且经由旋涂工艺沉积在所述管芯的与所述有源侧相反的所述一侧上。
5.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述信号是参考电压和输出信号中的一个。
6.一种方法,其包括:
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述管芯附接膜由电介质材料形成,所述电介质材料形成所述电容器的电介质层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述管芯包括在所述非有源侧上的电接地且导电的衬底,所述衬底形成所述电容器的一个导电板,并且其中所述管芯焊盘形成所述电容器的另一导电板。
9.根据权利要求6所述的方法,其中在将管芯附接膜附接在所述管芯的所述非有源侧上之前,所述方法进一步包括在所述管芯的所述非有源侧上沉积电介质层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述电介质层包括氧化物,并且经由旋涂工艺沉积在所述管芯的所述非有源侧上。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述管芯包括在所述非有源侧上的电接地且导电的衬底,所述衬底形成所述电容器的一个导电板。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述管芯附接膜是导电膜,所述导电膜与所述管芯焊盘一起形成所述电容器的另一导电板。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述引线包括内引线和外引线,并且其中所述模制化合物被形成在所述管芯焊盘和所述内引线之上,但不形成在外引线之上。
14.根据权利要求9所述的方法,其中所述模制化合物被形成在所述引线框的除一个表面之外的所有表面之上,所述一个表面背向所述管芯。
15.根据权利要求9所述的方法,其中所述信号是参考电压和输出信号中的一个。
16.一种电子器件,其包括:
17.根据权利要求16所述的电子器件,其中所述管芯附接膜由电介质材料制成,所述电介质材料形成所述电容器的电介质层。
18.根据权利要求17所述的电子器件,其中所述管芯包括在所述非有源侧上的电接地且导电的衬底,所述衬底形成所述电容器的一个导电板。
19.根据权利要求18所述的电子器件,其中所述管芯焊盘形成所述电容器的另一导电板。
20.根据权利要求16所述的电子器件,其中所述信号是参考电压和输出信号中的一个。
