晶片的制造方法与流程

本发明涉及晶片的制造方法，从作为锭或单晶基板的被加工物制造具有比该被加工物的厚度小的厚度的晶片。

背景技术：

1、作为从碳化硅(以下称为sic)等化合物半导体的锭切出晶片的手段已知线切割机(例如，参照专利文献1)。但是，线切割机的切削余量相对于从锭切出的晶片的厚度是比较大的。而且，为了使切出的晶片的表面平坦化，还需要进行研磨等。

2、这样，在使用线切割机的情况下，在锭中被废弃的体积相对于成为晶片的体积比较多，因此存在使用线切割机从锭切出晶片的生产率比较低的问题。

3、对此，为了提高晶片的生产率，提出了如下的方法：在使用具有透过化合物半导体的锭的波长的脉冲状的激光束在锭的内部的规定深度形成多个机械强度脆弱的剥离层之后，以该多个剥离层为起点从锭剥离晶片(例如，参照专利文献2)。

4、具体而言，首先，在将激光束的聚光点定位于锭的内部的规定深度的状态下，使锭相对于该聚光点沿着与锭的厚度方向垂直的加工进给方向相对地移动，由此在锭的内部形成包含改质层和以改质层为起点而延伸的裂纹的一个剥离层。

5、在形成了该一个剥离层之后，使锭沿着与加工进给方向和锭的厚度方向垂直的分度进给方向移动规定的距离。然后，将锭相对于聚光点再次进行加工进给，同样地形成剥离层。

6、在这样形成了多个剥离层之后，以多个剥离层为起点从锭剥离晶片。接着，通过磨削、研磨等去除残留在分别与多个剥离层连接的晶片的剥离面和锭的被剥离面上的凹凸。

7、剥离层的厚度比线切割机的切削余量薄，另外，也不需要剥离后的研磨，因此在利用激光束从化合物半导体的锭剥离晶片的情况下，与使用线切割机的情况相比能够减少废弃的锭的体积(即，材料的损失)。

8、但是，希望进一步降低从锭、单晶基板等被加工物剥离晶片时的材料损失。激光加工中的被加工物的材料的损失主要根据在被加工物的厚度方向上进展而形成的裂纹的长度而增加。

9、照射到被加工物的激光束的平均输出越高，越容易形成改质层，但另一方面，裂纹容易在被加工物的厚度方向上进展(即，激光束带来的损伤增加)。

10、因此，作为降低材料的损失的加工方法，研究了如下的方式：使激光束的平均输出降低，取而代之地将分度进给方向上的改质层的间隔缩窄(例如，参照专利文献3)。

11、在专利文献3所记载的激光加工方法中，首先，在锭的内部的规定的深度位置上分别形成线状且相互平行地配置的多个第一改质层，接着，在各第一改质层之间形成线状的第二改质层。

12、但是，在该加工方法中，当形成第二改质层时，激光束会被按照连接两个第一改质层的方式形成的裂纹反射，成为晶片的区域会因该反射光而受到损伤，有时材料的损失反而会增加。

13、专利文献1：日本特开平9-262826号公报

14、专利文献2：日本特开2016-111143号公报

15、专利文献3：日本特表2022-517543号公报

技术实现思路

1、本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，与形成剥离层时在分别呈线状且相互平行地配置的多个第一改质层之间分别形成第二改质层的情况相比，降低被加工物的材料的损失。

2、根据本发明的一个方式，提供晶片的制造方法，从作为锭或单晶基板的被加工物制造具有比该被加工物的厚度小的厚度的晶片，其中，该晶片的制造方法具有如下的工序：剥离层形成工序，在按照具有透过该被加工物的波长的脉冲状的激光束的激光点位于该被加工物的规定的深度的方式将会聚该激光束的聚光透镜调整成规定的高度位置的状态下，交替地重复进行沿着与该被加工物的厚度方向垂直的第一方向使该被加工物和该激光束的聚光点相对地移动的加工进给和使该被加工物和该聚光透镜沿着与该厚度方向以及该第一方向分别垂直的第二方向相对地移动的分度进给，由此在该被加工物的内部形成多个剥离层，该多个剥离层分别包含沿着该第一方向延伸的改质层以及从该改质层进展的裂纹；裂纹进展工序，沿着通过该剥离层形成工序而形成的该多个剥离层中的至少一个剥离层中的改质层的长度方向，向该至少一个剥离层中的改质层照射该激光束，由此进行从该至少一个剥离层中的改质层进展的裂纹的进一步进展和新裂纹从该至少一个剥离层中的改质层的进展中的一方或双方；以及剥离工序，以该多个剥离层为起点而从该被加工物剥离该晶片。

3、优选在该裂纹进展工序中，向在该第二方向上排列的多个剥离层中每隔规定的条数的各剥离层中的改质层照射该激光束。

4、另外，优选在该裂纹进展工序中，在该第二方向上重复进行照射工序和非照射工序，该照射工序按照不存在省略了该激光束的照射的改质层的方式向在该第二方向上连续的第一条数的各剥离层中的改质层照射该激光束，该非照射工序对于与在该第二方向上连续的该第一条数的剥离层在该第二方向上相邻的第二条数的各剥离层中的改质层省略该激光束的照射。

5、另外，优选在该裂纹进展工序中，向该被加工物照射具有在该剥离层形成工序中向该被加工物照射的该激光束的输出以下的输出的该激光束。

6、另外，优选在该裂纹进展工序中，在将该激光束的聚光点的高度位置调整成与该剥离层形成工序中的该激光束的聚光点的高度位置相同的高度位置之后，向该被加工物照射该激光束。

7、在本发明的一个方式的晶片的制造方法中，沿着通过剥离层形成工序而形成的改质层照射激光束，由此进行从该改质层进展的裂纹的进一步进展和新裂纹从该改质层的进展中的一方或双方(裂纹进展工序)。

8、因此，在裂纹进展工序中，不存在向两个改质层之间照射激光束时激光束被形成于两个改质层之间的裂纹反射的情况，因此能够降低被加工物的材料的损失。

技术特征：

1.一种晶片的制造方法，从作为锭或单晶基板的被加工物制造具有比该被加工物的厚度小的厚度的晶片，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供晶片的制造方法，与形成剥离层时在分别呈线状且相互平行地配置的多个第一改质层之间分别形成第二改质层的情况相比，降低被加工物的材料的损失。晶片的制造方法具有：剥离层形成工序，将具有透过被加工物的波长的脉冲状的激光束的聚光点定位于被加工物的规定的深度，交替地重复进行使被加工物和激光束的聚光点沿着与被加工物的厚度方向垂直的第一方向相对移动的加工进给和使被加工物和聚光透镜沿着与厚度方向和第一方向垂直的第二方向相对移动的分度进给，由此形成多个剥离层；裂纹进展工序，向通过剥离层形成工序而形成的多个剥离层中的至少一个剥离层中的改质层照射激光束；和剥离工序，以多个剥离层为起点而从被加工物剥离晶片。

技术研发人员：森一辉
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5