主动式挠场产生装置的制作方法

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本发明涉及一种主动式挠场产生装置。更具体地,本发明涉及一种可通过线圈产生挠场效应的装置。


背景技术:

1、扭转场称为挠场,也称为自旋场,是物体自旋角动量扭曲时时空坐标所产生的场。在原子空间中,质子、中子、电子在进行激烈的旋转运动,就有扭转场存在。扭转场是同荷合并、异荷排斥,由于其是经典的自旋产生的,扭转场对物体的作用是只会改变物体的自旋状态,且在通过常规物质时不会被吸收,也不会产生相互作用。此外,扭转场具有记忆和滞后作用,也就是具有一定强度和频率的挠场的场源把围绕该物体的空间中的物流真空极化了,当场源被移走后,空间的涡旋结构仍然保留,扭转场还存在。

2、鉴于扭转场的特性,其能够应用于生物体的医疗中。生物体的dna和rna都会有自身的扭转场,以维持其生命体征。一旦将他们的形成扭转场的条件消失,生命体也将消失。但现有技术都是直接将扭转场照射在生物体上,直接影响生物体的dna和rna,从而实现生物医疗。例如目前已有市售的产品可通过围绕人体的增强信息自旋场(扭转场)环境来降低人体中焦虑的压力。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于一环境空间中产生挠场效应,通过挠场的气场能量来对人体产生益处。

2、根据本发明,提供了一种主动式挠场产生装置,其包含:一控制模组;

3、一挠场产生模组,该挠场产生模组包括:一第一电路板,与该控制模组耦接,用以接收该控制模组的指令;一第一线圈板,设有一第一线圈及一第一通孔,该第一线圈与该第一通孔耦接,该第一线圈板经由该第一通孔与该第一电路板耦接;一第二线圈板,设有一第二线圈及一第二通孔,该第二线圈与该第二通孔耦接,且该第二线圈板经由该第二通孔与该第一通孔耦接,使该第一线圈板与该第二线圈板耦接;一第二电路板,通过该第二通孔与该第二线圈板耦接;以及一供电模组,与上述各模组耦接,提供各模组驱动所需的电力;其中,该供电模组受该控制模组的控制,以产生一驱动电力至该挠场产生模组,使该挠场产生模组通电后产生挠场效应。

4、在一个实施例中,该主动式挠场产生装置包含一外壳体,该控制模组、该挠场产生模组以及该供电模组设置于该外壳体内部。

5、在一个实施例中,该外壳体包括一上壳体以及一下壳体,该上壳体及该下壳体经过组装后形成该外壳体。

6、在一个实施例中,该外壳体设有一指示灯单元,该指示灯单元与该挠场产生模组耦接,供以显示该挠场产生模组的作动状况。

7、在一个实施例中,该控制模组包含一开关/模式切换单元,该开关/模式切换单元与该控制模组耦接,供以启动或关闭该挠场产生模组,以及切换该挠场产生模组的该第一线圈及该第二线圈的电流输入方向。

8、在一个实施例中,该供电模组为一可充电式的锂电池,且该供电模组耦接一充电孔,该供电模组可通过该充电孔进行充电。

9、在一个实施例中,该充电孔耦接有一充电指示单元,供以显示该供电模组目前的充电状况。



技术特征:

1.一种主动式挠场产生装置,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该主动式挠场产生装置包含一外壳体,该控制模块、该挠场产生模块以及该供电模块设置于该外壳体内部。

3.如权利要求2所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该外壳体包括一上壳体以及一下壳体,该上壳体及该下壳体经过组装后形成该外壳体,所述挠场产生模组收容于该外壳体内。

4.如权利要求2所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该外壳体设有一指示灯单元,该指示灯单元与该挠场产生模组耦接,供以显示该挠场产生模组的作动状况。

5.如权利要求1所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该控制模组包含一开关/模式切换单元,该开关/模式切换单元与该控制模组耦接,供以启动或关闭该挠场产生模组,以及切换该挠场产生模组的该第一线圈及该第二线圈的电流输入方向。

6.如权利要求1所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该供电模组为一可充电式的锂电池,且该供电模组耦接一充电孔,该供电模组可通过该充电孔进行充电。

7.如权利要求6所述的主动式挠场产生装置,其特征在于,该充电孔耦接有一充电指示单元,供以显示该供电模组目前的充电状况。


技术总结
一种主动式挠场产生装置,其包含一控制模组;一挠场产生模组,该挠场产生模组包括一第一电路板,与该控制模组耦接,用以接收该控制模组的指令;一第一线圈板,设有一第一线圈及一第一通孔,该第一线圈板经由该第一通孔与该第一电路板耦接;一第二线圈板,设有一第二线圈及一第二通孔,该第二线圈板经由该第二通孔与该第一通孔耦接;一第二电路板,通过该第二通孔与该第二线圈板耦接;以及一供电模组,提供各模组驱动所需的电力;其中,该供电模组受该控制模组的控制,以产生一驱动电力至该挠场产生模组,使该挠场产生模组通电后产生挠场效应。

技术研发人员:李嗣涔,蔡熊光,胡财騵,林裕丞,李境展,范启明,廖展毅
受保护的技术使用者:气机科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/5

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