存储器设备和操作该存储器设备的方法与流程

本公开涉及一种存储器设备和一种操作该存储器设备的方法，并且更具体地，本公开涉及一种被配置为执行编程操作的存储器设备和一种制造该存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括其中存储有数据的存储器单元，并且可以被配置为执行编程、读取或擦除操作。

2、在存储器设备中执行的编程操作可以包括用于增加存储器单元的阈值电压的编程步骤以及用于确定阈值电压是否增加到目标电压的验证步骤。

3、根据编程方法，存储器单元可以存储1位或2位或更多位的数据。例如，将1位数据存储在一个存储器单元中的方法被称为单级单元方法，将2位数据存储在一个存储器单元中的方法被称为多级单元方法。将3位数据存储在一个存储器单元中的方法被称为三级单元方法，将4位数据存储在一个存储器单元中的方法被称为四级单元方法。除此之外，可以将5位或更多位数据存储在一个存储器单元中。

4、随着存储在一个存储器单元中的位数的增加，存储器设备的存储容量可能增加，但编程操作所需要的时间可能增加。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备可以包括存储器块、外围电路和控制电路，外围电路被配置为根据逻辑数据来增加在存储器块中包括的存储器单元之中的选择的存储器单元的阈值电压，在根据逻辑数据中包括的位数而设置的验证时间内的第一时间，在具有低于验证电压的阈值电压的存储器单元之中检测具有高于参考电压的阈值电压的低电平单元，并且在第一时间之后的第二时间，检测具有高于验证电压的阈值电压的高电平单元，控制电路被配置为响应于命令而控制外围电路。

2、根据本公开的一个实施例，一种操作存储器设备的方法可以包括：根据逻辑数据的位数来设置验证电压和验证时间；增加存储器单元的阈值电压；在具有低于验证电压的阈值电压的存储器单元之中检测具有高于参考电压的阈值电压的低电平单元；检测具有高于验证电压的阈值电压的高电平单元；以及将新逻辑数据指定给低电平单元和高电平单元，新逻辑数据所具有的位数大于逻辑数据的位数。

3、根据本公开的一个实施例，一种操作存储器设备的方法可以包括：增加处于擦除状态的存储器单元之中的选择的存储器单元的阈值电压；以及在选择的存储器单元之中连接到偶数位线的存储器单元之中，将具有低于参考电压的阈值电压的存储器单元检测为第一逻辑编程状态，并且将具有高于参考电压的阈值电压的存储器单元检测为高于第一逻辑编程状态的第二逻辑编程状态。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括：

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述页缓冲器中的每个页缓冲器包括：

4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述选择数据包括第一选择数据和第二选择数据，其中所述第一数据和所述第二数据中的一者是“0”，并且另一数据是“1”。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中所述第一选择数据和所述第二选择数据中的每一者包括至少1位数据。

6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中所述低电平单元根据所述第一选择数据来检测，并且所述高电平单元根据所述第二选择数据来检测。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述选择的存储器单元的编程操作被执行的同时，所述外围电路将被检测为所述低电平单元的单元切换为未选择的存储器单元。

8.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中检测所述低电平单元和检测所述高电平单元是在所述验证时间内依次执行的。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述新逻辑数据包括比所述逻辑数据多至少1位的数据。

11.根据权利要求8所述的方法，其中：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述选择数据由不同的1位数据配置。

13.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中根据输入到页缓冲器以用于编程操作的逻辑数据，来执行增加所述选择的存储器单元的所述阈值电压。

15.根据权利要求13所述的方法，其中在对所述偶数位线和奇数位线进行预充电以用于验证操作之后，在针对编程操作而设置的验证时间之前的第一时间，执行将所述存储器单元检测为所述第一逻辑编程状态。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在设置的所述验证时间，执行将所述存储器单元检测为所述第二逻辑编程状态。

技术总结
本技术的实施例包括存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备包括存储器块、外围电路和控制电路，外围电路被配置为根据逻辑数据来增加在存储器块中包括的存储器单元之中的选择的存储器单元的阈值电压，在根据逻辑数据中包括的位数而设置的验证时间内的第一时间，在具有低于验证电压的阈值电压的存储器单元之中检测具有高于参考电压的阈值电压的低电平单元，并且在第一时间之后的第二时间，检测具有高于验证电压的阈值电压的高电平单元，控制电路被配置为响应于命令而控制外围电路。

技术研发人员：金在雄,林奎南
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5