本技术涉及半导体,尤其涉及一种基于新型散热铜的半导体封装结构。
背景技术:
1、目前现有的半导体封装结构如图1所示,其外引脚1从树脂3顶端折下,高度大,且宽度较窄,会导致产品上板后稳定性较差;另外现有的半导体封装结构上的散热片2通过其仅有的三个凸起21与树脂3卡合,导致散热片2与树脂3之间的结合力较弱,降低了产品的可靠性。
2、因此,如何克服现有的半导体封装结构带来的弊端,是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种基于新型散热铜的半导体封装结构,以解决上述技术问题。
2、第一方面,本实用新型提供一种基于新型散热铜的半导体封装结构,所述基于新型散热铜的半导体封装结构,包括:
3、封装体,所述封装体内封装有芯片;
4、散热件,所述散热件的至少一条边上设置有至少4个凸起,所述散热件安装在所述封装体上,且所述至少4个凸起分别与所述封装体上的凹槽一一配合实现与所述封装体的树脂互锁;
5、引脚,所述引脚从所述封装体内引出,所述引脚采用折弯牛角设计且向上延伸,所述引脚的宽度大于管脚的宽度;所述管脚的折弯方向背离所述散热件;所述引脚的折弯方向与所述管脚的折弯方向相反,且在所述散热件的反向,所述引脚与所述管脚的延伸方向相反。
6、可以理解的是,在该实施方式中,通过在散热件的至少一条边上设置有至少4个凸起,且所述至少4个凸起分别与所述封装体上的凹槽一一配合,从而在散热件上形成多个锯齿状结构,可有效增加散热件与封装体的结合面积,从而增加了散热件与封装体之间的结合力,提高了半导体封装结构的可靠性。另外,通过对引脚采用折弯牛角设计且向上延伸,并将引脚的宽度设计为大于管脚的宽度;且管脚的折弯方向背离所述散热件;所述引脚的折弯方向与所述管脚的折弯方向相反,且在所述散热件的反向,所述引脚与所述管脚的延伸方向相反,从而提高了该半导体封装结构的上板的稳定性;
7、在一可能的实施例中,所述散热件的至少2条边上设置有至少4个凸起。
8、可以理解的是,在该实施方式中,通过将散热件凸起的数量设置为4个,相对现有的半导体封装结构,凸起数量明显增加了,可以增加散热件与封装体之间的结合面积,从而增加了散热件与封装体的结合力,进而有效提高了产品应用过程中的可靠性。
9、在一可能的实施例中,所述至少2条边包括第一边和第二边,所述第一边与所述第二边相对设置。
10、在一可能的实施例中,所述第一边上设置的所述至少4个凸起与所述第二边上设置的所述至少4个凸起成对称设置。
11、可以理解的是,在该实施方式中,通过在所述第一边上设置的所述至少4个凸起与所述第二边上设置的所述至少4个凸起,并成对称设置,可以增加散热件与封装体之间的结合面积,从而增加了散热件与封装体的结合力,进而有效提高了产品应用过程中的可靠性。
12、在一可能的实施例中,所述凸起的数量为6个。
13、可以理解的是,在该实施方式中,通过将散热件凸起的数量设置为6个,可以增加散热件与封装体之间的结合面积,从而增加了散热件与封装体的结合力,进而有效提高了产品应用过程中的可靠性。
14、在一可能的实施例中,所述引脚的宽度大于单根所述管脚的宽度的2倍。
15、可以理解的是,在该实施方式中,通过将引脚的宽度设计为大于单根所述管脚的宽度的2倍,能够增加该基于新型散热铜的半导体封装结构的产品上板稳定性。
16、在一可能的实施例中,所述引脚的宽度等于单根所述管脚的宽度的2倍。
17、可以理解的是,在该实施方式中,通过将引脚的宽度设计为等于单根所述管脚的宽度的2倍,能够进一步增加该基于新型散热铜的半导体封装结构的产品上板稳定性。
18、在一可能的实施例中,所述管脚从所述封装体内引出。
19、可以理解的是,在该实施方式中,通过将管脚从所述封装体内引出后折弯,从而使得管脚的折弯高度可以较大程度降低,从而增加产品的可靠性和稳定性。
20、在一可能的实施例中,还包括:爬电沟槽;
21、所述爬电沟槽开设于所述封装体上;
22、所述爬电沟槽的长度与所述散热件的宽度相等。
23、可以理解的是,在该实施方式中,通过将爬电沟槽的长度设计为与所述散热件的宽度相等,可以增加爬电沟槽的尺寸,有效的增加了该基于新型散热铜的半导体封装结构的爬电距离和降低了爬电区域小电压干扰的风险。
24、在一可能的实施例中,所述引脚的数量为2。
25、有益效果
26、本实用新型提供的基于新型散热铜的半导体封装结构,通过在散热件的至少一条边上设置有至少4个凸起,且所述至少4个凸起分别与所述封装体上的凹槽一一配合,从而在散热件上形成多个锯齿状结构,可有效增加散热件与封装体的结合面积,从而增加了散热件与封装体之间的结合力,提高了半导体封装结构的可靠性。另外,通过对引脚采用折弯牛角设计且向上延伸,并将引脚的宽度设计为大于管脚的宽度;且管脚的折弯方向背离所述散热件;所述引脚的折弯方向与所述管脚的折弯方向相反,且在所述散热件的反向,所述引脚与所述管脚的延伸方向相反,从而提高了该半导体封装结构的上板的稳定性。
1.一种基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述基于新型散热铜的半导体封装结构,包括:
2.根据权利要求1所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述散热件的至少2条边上设置有至少4个凸起。
3.根据权利要求2所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述至少2条边包括第一边和第二边,所述第一边与所述第二边相对设置。
4.根据权利要求3所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述第一边上设置的所述至少4个凸起与所述第二边上设置的所述至少4个凸起成对称设置。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述凸起的数量为6个。
6.根据权利要求1所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度大于单根所述管脚的宽度的2倍。
7.根据权利要求1所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度等于单根所述管脚的宽度的2倍。
8.根据权利要求6或7所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述管脚从所述封装体内引出。
9.根据权利要求8所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,还包括:爬电沟槽;
10.根据权利要求9所述的基于新型散热铜的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的数量为2。
