一种存储设备的管脚选择电路、存储设备及芯片的制作方法

本发明涉及集成电路，特别是涉及一种存储设备的管脚选择电路、存储设备及芯片。

背景技术：

1、在集成电路的应用过程中，随着工艺的进步和发展，在不同协议里，存储设备的封装标准引脚定义并不一致，导致不能完全通用。

2、在实际操作中，本申请的研发人员发现，当前存储设备的管脚选择方案中，若要在市面上通用，则需要增加跳线电阻、叠焊转接板、改版pcb等复杂工序，不方便切换，还导致布线空间不足，限制了不同封装标准对存储设备的兼容性。

技术实现思路

1、本发明主要解决的技术问题是：提供一种存储设备的管脚选择电路、存储设备及芯片，能够使得存储设备可以兼容不同的封装标准。

2、为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种存储设备的管脚选择电路，包括参考电压提供模块和选择模块，其中，参考电压提供模块用于向存储设备中的主控单元提供参考电压，所述参考电压基于所述存储设备中存储单元的封装标准而确定；选择模块连接所述参考电压提供模块、所述主控单元和所述存储单元，所述选择模块响应于所述主控单元基于所述参考电压而发送的控制信号，选择所述主控单元与所述存储单元之间的管脚连接关系，实现所述主控单元与所述存储单元之间的通信。

3、在本申请一实施例中，所述选择模块包括：控制端、输入通道以及至少两输出通道，其中，控制端连接所述主控单元，用于接收所述控制信号；输入通道连接所述主控单元的功能管脚；第一输出通道连接第一功能管脚区，第二输出通道连接第二功能管脚区，并通过至少一输出通道连接所述参考电压提供模块；所述第一功能管脚区和所述第二功能管脚区在不同封装标准下对应的管脚的功能各不相同；所述选择模块响应于所述控制端接收到第一控制信号，选择所述输入通道和所述第一输出通道导通，以使所述主控单元的功能管脚与所述存储单元的管脚连接；或，所述选择模块响应于所述控制端接收到第二控制信号，选择所述输入通道和所述第二输出通道导通，以使所述主控单元的功能管脚与所述存储单元的管脚连接。

4、在本申请一实施例中，所述第一控制信号和所述第二控制信号的逻辑电位相反。

5、在本申请一实施例中，所述选择模块响应于所述控制端接收到第三控制信号，选择所述输入通道和目标输出通道导通，以使所述主控单元的功能管脚与所述存储单元的管脚连接；其中，所述目标输出通道与所述参考电压提供模块连接；以及所述参考电压提供模块响应于所述主控单元发送的第四控制信号，向所述主控单元提供所述参考电压。

6、在本申请一实施例中，所述参考电压提供模块包括：电阻和场效应管；所述场效应管通过漏极连接所述电阻，通过栅极连接所述主控单元，通过源极连接所述目标输出通道，且所述场效应管通过所述漏极连接所述主控单元；其中，所述场效应管响应于所述第四控制信号而导通，向所述主控单元提供第一参考电压，进而使得所述主控单元产生第一控制信号；或者，所述场效应管响应于所述第四控制信号而关断，向所述主控单元提供第二参考电压，进而使得所述主控单元产生第二控制信号。

7、在本申请的一实施例中，在所述主控单元向所述控制端发送所述第一控制信号或所述第二控制信号时，所述主控单元向所述场效应管发送第五控制信号，以使所述场效应管关断。

8、在本申请的一实施例中，所述参考电压提供模块还包括：电源单元，连接所述电阻，在所述场效应管导通时，通过所述电阻向所述主控单元提供第一参考电压，在所述场效应管关断时，通过所述电阻向所述主控单元提供第二参考电压。

9、在本申请的一实施例中，所述场效应管为n型场效应管。

10、为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是：提供一种存储设备，包括：存储单元、主控单元和管脚选择电路；其中，管脚选择电路分别耦接所述存储单元和所述主控单元，所述管脚选择电路为上述的管脚选择电路。

11、为解决上述技术问题，本申请采用的再一技术方案是：提供一种芯片，包括上述的管脚选择电路。

12、区别于当前技术，本申请提供的管脚选择电路，包括参考电压提供模块和选择模块；其中，参考电压提供模块用于向存储设备中的主控单元提供参考电压，所述参考电压基于所述存储设备中存储单元的封装标准而确定；选择模块连接所述参考电压提供模块、所述主控单元和所述存储单元，其中，所述选择模块响应于所述主控单元基于所述参考电压而发送的控制信号，选择所述主控单元与所述存储单元之间的管脚连接关系，实现所述主控单元与所述存储单元之间的通信。即本申请的技术方案可以根据参考电压提供模块提供的参考电压，使得主控单元对选择模块发出控制信号，进而使得选择模块响应于该控制信号而选择主控单元与存储单元之间的管脚连接关系，即可以使得当前的存储设备可以兼容不同封装标准所对应的引脚定义，且结构简单，降低了成本，适用性广。

技术特征：

1.一种存储设备的管脚选择电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的管脚选择电路，其特征在于，所述选择模块包括：

3.根据权利要求2所述的管脚选择电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号的逻辑电位相反。

4.根据权利要求2所述的管脚选择电路，其特征在于，所述选择模块响应于所述控制端接收到第三控制信号，选择所述输入通道和目标输出通道导通，以使所述主控单元的功能管脚与所述存储单元的管脚连接；其中，所述目标输出通道与所述参考电压提供模块连接；以及所述参考电压提供模块响应于所述主控单元发送的第四控制信号，向所述主控单元提供所述参考电压。

5.根据权利要求4所述的管脚选择电路，其特征在于，所述参考电压提供模块包括：

6.根据权利要求5所述的管脚选择电路，其特征在于，在所述主控单元向所述控制端发送所述第一控制信号或所述第二控制信号时，所述主控单元向所述场效应管发送第五控制信号，以使所述场效应管关断。

7.根据权利要求5所述的管脚选择电路，其特征在于，所述参考电压提供模块还包括：

8.根据权利要求5所述的管脚选择电路，其特征在于，所述场效应管为n型场效应管。

9.一种存储设备，其特征在于，包括：

10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的管脚选择电路。

技术总结
本发明公开了一种存储设备的管脚选择电路、存储设备及芯片，其中，管脚选择电路包括参考电压提供模块和选择模块，参考电压提供模块用于向存储设备中的主控单元提供参考电压，参考电压基于存储设备中存储单元的封装标准而确定；选择模块连接参考电压提供模块、主控单元和存储单元，选择模块响应于主控单元基于参考电压而发送的控制信号，选择主控单元与存储单元之间的管脚连接关系，实现主控单元与存储单元之间的通信。即使得当前的存储设备可以兼容不同封装标准所对应的引脚定义，且结构简单，降低了成本，适用性广。

技术研发人员：植睿麟
受保护的技术使用者：深圳市江波龙电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5